東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)設(shè)備
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202201/431168.htm這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
■ 應(yīng)用：
- 用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
- 電機(jī)控制設(shè)備
- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
■ 特性：
- 安裝方式兼容Si IGBT模塊
- 損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 內(nèi)置NTC熱敏電阻
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，@Tc＝25℃）
器件型號(hào) | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 | ||
封裝 | 2-153A1A | |||
絕對(duì)最大額定值 | 漏極-源極電壓VDSS（V） | 1200 | 1700 | |
柵極-源極電壓VGSS（V） | +25／-10 | +25／-10 | ||
漏極電流（直流）ID（A） | 600 | 400 | ||
漏極電流（脈沖）IDP（A） | 1200 | 800 | ||
結(jié)溫Tch（℃） | 150 | 150 | ||
隔離電壓Visol（Vrms） | 4000 | 4000 | ||
電氣特性 | 漏極-源極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VDS(on)sense典型值（V） | @VGS＝+20V， Tch＝25℃ | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
源極-漏極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VSD(on)sense典型值（V） | @VGS＝+20V， Tch＝25℃ | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A | |
源極-漏極關(guān)斷電壓（感應(yīng)） VSD(off)sense典型值（V） | @VGS＝-6V， Tch＝25℃ | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A | |
開通損耗 Eon典型值（mJ） | @Tch＝150℃ | 25 @VDS＝600V， ID＝600A | 28 @VDS＝900V， ID＝400A | |
關(guān)斷損耗 Eoff典型值（mJ） | @Tch＝150℃ | 28 @VDS＝600V， ID＝600A | 27 @VDS＝900V， ID＝400A | |
熱敏電阻特性 | 額定NTC電阻 R典型值（kΩ） | 5.0 | 5.0 | |
NTC B值 B典型值（K） | @TNTC＝25℃-150℃ | 3375 | 3375 | |
評(píng)論