Teledyne e2v半導體的超高密度存儲器DDR4的開發(fā)仍在繼續(xù)，有消息稱，宇航級正片現(xiàn)在正在運往世界各地的關(guān)鍵客戶。這標志著在所提供的樣品成功帶來廣泛的活動設計和這項技術(shù)的采用之后，這一開創(chuàng)性項目向前邁出了一大步。因此，該公司現(xiàn)在正進入大規(guī)模生產(chǎn)階段，可提供宇航級耐輻射DDR4。

Teledyne e2v的DDR4s存儲容量為4G字節(jié)，尺寸僅為15mm x 20mm x 1.92mm，其存儲密度遠高于競爭對手的解決方案——僅占PCB基板面的一半，體積幾乎減少了一個數(shù)量級。它們擁有高性能，并可提供2.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速度。

每個Teledyne e2v DDR4T04G72內(nèi)存都以多芯片封裝（MCP）形式提供，具有擴展總線功能，其中64位用于數(shù)據(jù)傳輸，另外8位用于糾錯。DDR4T04G72是該公司自己的Qormino?處理器的最佳配套產(chǎn)品，并且與其他供應商提供的絕大多數(shù)處理器、SOC和FPGA具有很好的兼容性。
對這些DDR4進行輻射測試表明，它們的單事件鎖定（SEL）閾值大于60MeV.cm2/mg。它們的單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）和單粒子功能中斷（SEFI）數(shù)據(jù)也超過60MeV.cm2/mg，并且它們已經(jīng)驗證了對100krad總離子幅射量（TID）的恢復能力。
Teledyne e2v的DDR4可訂購適合工業(yè)溫度范圍（-40°C至105°C）的也可訂購適合軍事溫度范圍（-55°C至125°C）的，并可達到NASA 1級（基于NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs），這意味著可以滿足更廣泛的潛在應用。

“我們被視為太空應用中高密度耐輻射存儲器的領先者，我們的技術(shù)已經(jīng)在市場上獲得了令人難以置信的好評。我們與競爭對手的不同之處在于，我們提供了全面、開放的數(shù)據(jù)包，為客戶提供了在盡可能短的時間內(nèi)開始設計和完成設計所需的一切，并隨時提供所有背景信息和專家工程支持” Teledyne e2v的營銷及業(yè)務開發(fā)經(jīng)理Thomas Guillemain表示：“我們?yōu)楹教旃I(yè)提供了可靠的緊湊型、易于連接的存儲器，提高了性能基準。我們在下一階段的路線圖上取得了長足的進步，其他幾代乃至更高容量的設備目前正在籌備中?！?/em>