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          國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

          作者:萬(wàn)大叔 時(shí)間:2022-07-04 來(lái)源:知乎 收藏

          頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,自主研發(fā)的192層閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202207/435863.htm



          一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。

          2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。

          為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,跳過(guò)了96層,直接進(jìn)行了128層 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

          長(zhǎng)江存儲(chǔ)只用了3年的時(shí)間,就實(shí)現(xiàn)了從32層到128層的跨越,完成同領(lǐng)域企業(yè)6年走過(guò)的路。



          4月份,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了一款高速UFS 3.1閃存芯片,性能方面與當(dāng)下最優(yōu)秀的各家大廠相比,完全不落下風(fēng)。





          例如,行業(yè)里最好的三星UFS 3.1閃存芯片,其512GB版讀取速度2100MB/s,寫(xiě)入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s,寫(xiě)入速度1250MB/s,可以說(shuō)不分伯仲,2款芯片都處于行業(yè)里最頂尖的水平。

          美光在去年發(fā)布了176層的UFS 3.1閃存,但其讀取速度只有1500MB/s,而寫(xiě)入速度卻未進(jìn)行公布,估計(jì)是因?yàn)樾阅苌险疾坏絻?yōu)勢(shì)。所以說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存芯片,已經(jīng)非常優(yōu)秀了。

          另外,根據(jù)業(yè)內(nèi)傳出消息稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也打入蘋(píng)果供應(yīng)鏈,為iPhone SE 3供應(yīng)閃存芯片,這也是最好的證明。

          當(dāng)然,從時(shí)間維度上來(lái)看,我們還處于落后,例如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片,但是我們起步晚,目前來(lái)說(shuō)已經(jīng)取得了飛速的進(jìn)步。

          當(dāng)然,從行業(yè)里來(lái)看,其他廠商也在加大研發(fā)力度,例如,近日美光發(fā)布了業(yè)界首個(gè)232層3D閃存芯片,預(yù)計(jì)年底或者明年開(kāi)始量產(chǎn)。

          三星也發(fā)布了224層3D閃存芯片,同樣預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)。

          另外三星還宣布,已經(jīng)研發(fā)出UFS 4.0閃存芯片,每通道帶寬速度增至23.2Gbps,是UFS 3.1的兩倍,基于三星第七代V-NAND閃存和自研主控,可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)4200MB/s的順序讀取速度和高達(dá)2800MB/s的寫(xiě)入速度,為當(dāng)今性能最高的閃存芯片。



          所以如果從相似規(guī)格或者相近性能角度來(lái)說(shuō),我們的國(guó)產(chǎn)閃存芯片還落后世界頂尖水平1-2年時(shí)間。但我相信,用不了多久,一定可以追上這個(gè)差距。

          除了在技術(shù)方面,國(guó)產(chǎn)閃存的產(chǎn)能上也略顯不足。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將月產(chǎn)量擴(kuò)大至10萬(wàn)片晶圓,并且隨著武漢的工廠二期項(xiàng)目的建設(shè),預(yù)計(jì)到2023年底,長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)量可能超過(guò)20萬(wàn)片,全球市場(chǎng)份額也有望達(dá)到7-8%。但是與行業(yè)大廠相比,還是有很大的差距。

          總之,192層3D NAND閃存芯片,將是長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展過(guò)程中的一個(gè)里程碑,同時(shí)它也意味著,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在追趕美國(guó)、韓國(guó)頂尖企業(yè)的道路上,又前進(jìn)了一大步。并且在這個(gè)領(lǐng)域,我們已經(jīng)完全不用懼怕國(guó)外的打壓和封鎖,不會(huì)存在卡脖子的難題。




          關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

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