近日，有消息稱，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。

這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。

而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。

可見，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星、美光這樣的頂級(jí)大廠，大家差不多處于同一水平線了。

而仔細(xì)說起來，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片從之前的落后20年，到現(xiàn)在追上頂級(jí)水平，其實(shí)只花了6年時(shí)間。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是2016年成立的，總投資1600億元，預(yù)計(jì)建設(shè)目標(biāo)是總產(chǎn)能30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元，拿下全球20%以上的市場(chǎng)份額，成為全球知名的NAND閃存廠商。

而2016年時(shí)，國(guó)內(nèi)在存儲(chǔ)芯片上基本一片空白，落后國(guó)外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長(zhǎng)江存儲(chǔ)，覺得可能需要很久的時(shí)候，才有可能追上三星、美光等。

不曾想長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)度非?？?，2017年就研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片，然后在2018年實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，雖然落后國(guó)外很多，但有了0的突破。

后來長(zhǎng)江存儲(chǔ)又自研出了Xtacking架構(gòu)，大幅度的提高了存儲(chǔ)密度。并在2019年9月份，基于自研Xtacking架構(gòu)，推出了64層3D NAND Flash，拉近了與三星、美光之間的差距。

接著長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展，跳過了96層，直接在2020年4月，發(fā)布了128層3D NAND 閃存，再次縮小與三星、美光的差距。

并且基于Xtacking架構(gòu)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層堆疊的NAND閃存芯片，其存儲(chǔ)密度達(dá)到了8.48 Gb/mm2，遠(yuǎn)高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

可能很多人不理解，堆疊層數(shù)多少有什么意義？在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，堆疊層數(shù)越高，意味著工藝越先進(jìn)，意味著存儲(chǔ)密度越高，芯片的成本越低，尺寸越小。

大家原本以為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從128層跨越到232層，可能需要幾年時(shí)間，不曾想在美光、三星進(jìn)入232層時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)馬上也追了上來。

而按照機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，2021年，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)份額為4%，而2022年可以達(dá)到7%左右，而2023年預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到12-15%。

這也就意味著，長(zhǎng)江存儲(chǔ)真的花了6年多一點(diǎn)的時(shí)間，就把原本落后至少20多年的存儲(chǔ)芯片技術(shù)，追了上來，市場(chǎng)也是飛速增長(zhǎng)，這實(shí)在是太牛了。

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)也給大家證明了一個(gè)事實(shí)，那就是只要認(rèn)真扎實(shí)去研發(fā)，芯片技術(shù)一樣難不倒我們。