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          格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片

          作者: 時(shí)間:2022-10-19 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察整理 收藏

          據(jù)外媒《NBC》報(bào)道,近日,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries)獲得3000萬(wàn)美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202210/439313.htm

          這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱,電動(dòng)汽車的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。

          格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示,芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。

          Caulfield在一份聲明中表示,“有了這筆新的聯(lián)邦資金,以及在2023年聯(lián)邦預(yù)算中可能獲得的進(jìn)一步支持,GF完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領(lǐng)導(dǎo)者。”



          關(guān)鍵詞: 格芯獲 GaN

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