摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過(guò)程的機(jī)理并推導(dǎo)了數(shù)學(xué)模型，表明了MOSFET關(guān)斷過(guò)程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模型，仿真結(jié)果對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了驗(yàn)證；設(shè)計(jì)了雙脈沖實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。研究結(jié)論有助于器件設(shè)計(jì)優(yōu)化和應(yīng)用改善。

關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結(jié)電容；Spice模型；雙脈沖

1 引言

功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管 ) 作為開關(guān)器件在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，隨著新能源技術(shù)的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的成熟，功率 MOSFET 迎來(lái)了快速發(fā)展的機(jī)會(huì)，但復(fù)雜多樣的應(yīng)用環(huán)境，各不相同的器件參數(shù)，給功率 MOSFET 設(shè)計(jì)和應(yīng)用提出新的要求。功率 MOSFET 關(guān)斷特性是器件應(yīng)用的重要影響因素，在大功率、冷啟動(dòng)或者短路保護(hù)等應(yīng)用中，由于電流較大，關(guān)斷速度較快，常常出現(xiàn)嚴(yán)重的振蕩，導(dǎo)致電磁干擾、性能降低甚至系統(tǒng)失效的問(wèn)題 ^[1]。結(jié)電容是功率 MOSFET 內(nèi)部寄生電容，與器件關(guān)斷特性密切相關(guān) ^[2]，基于結(jié)電容概念對(duì)功率 MOSFET 關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析，建立 Spice 模型進(jìn)行仿真，并設(shè)計(jì)了雙脈沖實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。通過(guò)對(duì)結(jié)電容對(duì)功率 MOSFET 關(guān)斷特性的影響進(jìn)行分析，有利于設(shè)計(jì)和應(yīng)用人員對(duì)器件特性的了解，有助于器件設(shè)計(jì)優(yōu)化和應(yīng)用改善。

2 功率MOSFET關(guān)斷過(guò)程分析

分析過(guò)程中忽略了電容的非線性、寄生電感、跨導(dǎo)以及閾值電壓等因素的影響，同時(shí)“柵控”和“容控”兩種模式和電容之間的規(guī)律缺乏量化分析，問(wèn)題將在后續(xù)工作中繼續(xù)研究。

圖7 關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷過(guò)程的影響

圖8 電感電流iL對(duì)關(guān)斷過(guò)程的影響

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(注：本文轉(zhuǎn)載自《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年10月期)