基于安森美半導(dǎo)體雙管正激NCL30125的300W電源
雙管正激式變換器與單管正激拓?fù)涞拇蟛糠衷硎窍嗤?,?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/雙管正激">雙管正激式的突出優(yōu)點(diǎn)有三:
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202211/440955.htm(1)變壓器儲(chǔ)能有釋放回路,不需要另設(shè)復(fù)位電路或復(fù)位繞組。主要原因是在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器勵(lì)磁,而開關(guān)管閉合時(shí)由橋臂上的兩個(gè)二極管續(xù)流,磁芯去磁,同時(shí)磁芯能量返回直流電源。
(2)變壓器初級電路半導(dǎo)體器件承受的電壓等于轉(zhuǎn)換器的輸入電壓Ui。而單管正激需要高得多的耐壓器件。
(3)雙管正激相對于其他多管的變換器拓?fù)涠裕瑑芍婚_關(guān)管無直通短路的危險(xiǎn)。因兩只開關(guān)管在橋的對角線上,正常工作時(shí)就是兩管同時(shí)開通,同時(shí)關(guān)斷,此時(shí)變壓器初級繞組承受電壓,所以沒有直通危險(xiǎn)。而全橋和半橋拓?fù)鋭t有直通的危險(xiǎn)。
目前市面上雙管正激方案都是采用單管控制器加變壓器或光耦來實(shí)現(xiàn)上管驅(qū)動(dòng),ON Semiconductor新推出NCL30125雙管正激方案,上管與下管驅(qū)動(dòng)分離,并通過控制復(fù)位MOS可解決開機(jī)之前MOS中點(diǎn)電壓(HB)不為0的issue。
?場景應(yīng)用圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?核心技術(shù)優(yōu)勢
1. 上管與下管驅(qū)動(dòng)分離,省去上管驅(qū)動(dòng)變壓器及其周邊期間,整體成本降低 2. 電源架構(gòu)簡化,可減少電源尺寸,實(shí)現(xiàn)小型化 3. 通過控制復(fù)位MOS可解決開機(jī)之前MOS中點(diǎn)電壓(HB)不為0的issue。
?方案規(guī)格
1. 輸入電壓:180V~264V
2. 輸入電流:2A @ 180Vin & 滿載
3. 輸入頻率:47~63Hz
4. 輸出功率:300W
5. 效率:88.4% @ 230Vin & 板端測試
6. 輸出電壓/電流:12V/25A
7. 待機(jī)功耗:<0.3W @ 230Vin
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