臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的布局深遠(yuǎn)，除了已經(jīng)量產(chǎn)的5nm、4nm之外，明年重點(diǎn)量產(chǎn)3nm，2nm工藝則會(huì)在2025年量產(chǎn)，1nm工藝也在路上了，已經(jīng)開始選址工作，2028年有望量產(chǎn)。

1nm芯片工廠的投資驚人，3nm、5nm工廠的建設(shè)資金大約是200億美元，1nm工藝的投資計(jì)劃高達(dá)320億美元，輕松超過2000億元，成本要比前面的工藝高多了。

不僅如此，1nm工廠的耗電量也會(huì)是個(gè)麻煩，相比3nm工廠年耗電量70億度的水平來說，1nm工廠不會(huì)少于80億度，甚至接近100億度。

這是什么概念？預(yù)計(jì)到了2028年，這個(gè)1nm工廠的耗電量就相當(dāng)于全臺(tái)2.3%的用電量了，臺(tái)積電所有工廠將占到全臺(tái)15%以上，影響極大，對(duì)供電的要求很高。

為何耗電這么大？一個(gè)重要原因就是1nm需要下代EUV光刻機(jī)，總功耗將達(dá)到2MW，也就是200萬瓦的水平。

如果一天24小時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)，那么下代光刻機(jī)每天就要消耗4.8萬度電，這個(gè)成本對(duì)芯片制造企業(yè)來說是非常高的，絕對(duì)的電老虎。