安森美:圍繞全球可持續(xù)發(fā)展的共同目標(biāo)而推進(jìn)
安森美(onsemi) 得益于在電動(dòng)汽車/ 汽車功能電子化、自動(dòng)駕駛、光伏、儲(chǔ)能和工廠自動(dòng)化等市場(chǎng)的戰(zhàn)略布局和技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),近6個(gè)季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)連創(chuàng)新高,2022 年第3 季度實(shí)現(xiàn)破紀(jì)錄收入21.926 億美元,其中汽車和工業(yè)市場(chǎng)收入占比達(dá)到68%。展望2023 年,我們?nèi)詴?huì)專注于這兩大長(zhǎng)期增長(zhǎng)的市場(chǎng),持續(xù)精益業(yè)務(wù)及流程改進(jìn),優(yōu)化產(chǎn)能,提升客戶體驗(yàn)及滿意度,以智能電源和智能感知技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)兩倍的市場(chǎng)增長(zhǎng)。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202301/442683.htm碳化硅(“SiC”) 是未來功率半導(dǎo)體最主流的方向,是顛覆創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)之一。SiC 用于汽車主驅(qū)、車載充電(OBC)、DC-DC,可大幅提高能效,增加續(xù)航能力;SiC 用于充電樁,可滿足越來越高的功率和速度要求;SiC 用于光伏逆變器將顯著提升能效和功率密度;機(jī)器學(xué)習(xí)、云計(jì)算和在線服務(wù)需求帶來的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng),將推動(dòng)這些數(shù)據(jù)中心使用基于SiC 的更可靠的不間斷電源( 以下簡(jiǎn)稱UPS)。安森美是世界上為數(shù)不多的能提供從襯底到模塊的端到端SiC 方案供應(yīng)商之一,包括SiC 晶錠生長(zhǎng)、襯底、外延、器件制造、出色的集成模塊和分立封裝方案,這賦予了我們獨(dú)特的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),能為客戶提供無與倫比的品質(zhì)和供貨保證。為滿足市場(chǎng)對(duì)SiC 需求的加速增長(zhǎng),安森美還大力投資擴(kuò)產(chǎn),并與戰(zhàn)略客戶簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議( 以下簡(jiǎn)稱“LTSA”),以切實(shí)保障客戶的供應(yīng)鏈安全。預(yù)計(jì)未來3 年LTSA 可以為安森美帶來40 億美元的SiC 收入。
在汽車市場(chǎng),新能源汽車中的半導(dǎo)體含量將是傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)車型的20 倍左右,智能電源技術(shù)就像是新能源汽車的心臟和肌肉,而智能感知就像是新能源汽車的眼睛和耳朵,能夠幫助實(shí)現(xiàn)更安全地自動(dòng)駕駛。安森美具有廣闊的智能電源產(chǎn)品陣容,包括SiC、IGBT、MOSFET 等,已推動(dòng)國(guó)內(nèi)首款采用SiC 的本土品牌電動(dòng)車的落地,并與3 家領(lǐng)先的新能源汽車新勢(shì)力簽訂了LTSA,會(huì)逐漸將這一合約關(guān)系延展到更多主流汽車合作伙伴。主驅(qū)逆變是電動(dòng)車電氣系統(tǒng)的關(guān)鍵,直接影響電動(dòng)車的能效、性能和續(xù)航能力。
工業(yè)自動(dòng)化趨勢(shì)及人工智能( 以下簡(jiǎn)稱AI) 的進(jìn)步推動(dòng)著機(jī)器視覺市場(chǎng)快速發(fā)展。邊緣AI 不斷地催生出新領(lǐng)域,這些都離不開圖像傳感器這雙眼睛。安森美是智能感知的領(lǐng)導(dǎo)者,尤其在工業(yè)機(jī)器視覺全球稱冠,在邊緣AI 市場(chǎng)也遙遙領(lǐng)先,擁有寬廣的成像方案陣容及先進(jìn)的成像技術(shù),在更高分辨率、更高動(dòng)態(tài)范圍和捕獲快速運(yùn)動(dòng)物體圖像的全局快門技術(shù)方面不斷推陳出新,賦能機(jī)器超越人眼的視覺,從而為AI 處理提供精準(zhǔn)的決策依據(jù)。此外,AI 應(yīng)用需要“一直在線”,因而需要超低功耗的方案,為此,安森美布局了超低功耗藍(lán)牙RSL1X 系列芯片(RSL10 與RSL15),和12 相數(shù)字控制器FD5012 搭配智能功率級(jí),支持AI“一直在線”。
能源危機(jī)日益嚴(yán)峻,系統(tǒng)能效亟待提高,有兩個(gè)技術(shù)方向,一是合適的電路拓?fù)?,另一個(gè)方向就是新材料SiC 的使用。SiC MOSFET 能夠在IGBT 不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化,而且SiC-MOSFET 的芯片面積小,其體二極管的恢復(fù)損耗非常小,可實(shí)現(xiàn)小型封裝模塊產(chǎn)品在高功率產(chǎn)品中使用,以提升密度,改善系統(tǒng)能效,提升單機(jī)功率,使系統(tǒng)逆變器數(shù)量減少、電纜、施工運(yùn)維成本降低。
(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年1月期)
評(píng)論