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          擴展無線電力傳輸以實現(xiàn)更高的功率傳輸

          作者: 時間:2023-03-15 來源: 收藏

          在過去十年中,傳輸功能已在各種商業(yè)、工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛采用。市場趨勢正在轉(zhuǎn)向需要更高功率充電的電池供電產(chǎn)品。需要充電的產(chǎn)品數(shù)量在增加,對快速充電、大容量電池的需求也在增加。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202303/444430.htm


          在過去十年中,傳輸功能已在各種商業(yè)、工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛采用。市場趨勢正在轉(zhuǎn)向需要更高功率充電的電池供電產(chǎn)品。需要充電的產(chǎn)品數(shù)量在增加,對快速充電、大容量電池的需求也在增加。

          無線充電設(shè)計現(xiàn)在可以提供比手機和可穿戴市場所需的功率高得多的功率?,F(xiàn)代手機的功耗可達 50 W,但由于熱限制,使用時間非常有限。另一方面,真正的高功率應(yīng)用,如筆記本電腦、平板電腦、便攜式廚房電器、電動工具、機器人和無人機以及輕型電動汽車,可以維持更高的功率輸出并長時間充電。

          然而,超出 Qi 擴展功率配置文件 (EPP) 的更高功率設(shè)計通常被認為復(fù)雜且成本高昂,因為標(biāo)準(zhǔn)仍在不斷發(fā)展,導(dǎo)致互操作性和共存問題。討論多的挑戰(zhàn)與 IEC-62368 對消費類便攜式設(shè)備的觸摸溫度限制的安全要求有關(guān)。除了高效的充電子系統(tǒng)之外,這還意味著需要動態(tài)異物檢測 (FOD) 功能,以確保在整個負載范圍內(nèi)(包括瞬態(tài))充電的同時提供保護。因此,發(fā)射器 (Tx) 和接收器 (Rx) 之間穩(wěn)健的通信協(xié)議也成為此類大功率充電的基本要求。

          為了滿足更高功率無線充電的這些嚴(yán)格的系統(tǒng)和法規(guī)要求,英飛凌開發(fā)了范圍廣泛的高度集成的無線充電 IC。其中包括帶有片上 32 位 ARM Cortex-M0 處理器的 USB-PD/PPS 接收器、128-KB 閃存、16-KB RAM 和 32-KB ROM。它們還配備了各種模擬和數(shù)字外圍設(shè)備、集成柵極驅(qū)動器和 DC/DC 控制器。這些 IC 與基于英飛凌高功率充電協(xié)議的系統(tǒng)解決方案和軟件堆棧一起提供,具有獨特的識別和可配置的保護功能,以維持安全的高功率充電環(huán)境。除了專有模式,英飛凌的WLCx 系列產(chǎn)品還支持的無線充電聯(lián)盟 (WPC) Qi EPP (≤15 W) 規(guī)范1以實現(xiàn)兼容和可互操作的解決方案。

          在接下來的部分中,我們將概述典型的系統(tǒng)和設(shè)計熱管理解決方案的一些見解,深入探討線圈設(shè)計并概述英飛凌的解決方案功能和幾個應(yīng)用來解釋原因無線充電是任何環(huán)境下大功率產(chǎn)品的合適和方便的選擇。

          無線電力系統(tǒng)和設(shè)計考慮

          無線電源系統(tǒng)是獨特的電源管理解決方案,包括混合信號模擬和數(shù)字傳感、通信電路以及 AC 和 DC 電源轉(zhuǎn)換級,重要的是,軟件堆??稍?Tx 和 Rx 端之間提供可靠的握手。圖 1 中的框圖顯示了典型高功率感應(yīng)無線系統(tǒng)的主要功能塊。


          擴展無線電力傳輸以實現(xiàn)更高的功率傳輸

          圖 1:無線電力系統(tǒng)框圖


          在圖 1 中,輸入電源將是基于 USB-C(PPS 或 PD)的直流電源或固定軌電壓電源。該電源可直接傳遞至中間 DC/DC 穩(wěn)壓器或由其轉(zhuǎn)換,以為 DC-AC 電源逆變器供電。逆變器使用 L P和 C P串聯(lián)諧振回路產(chǎn)生交變磁場,以將電力傳輸?shù)浇邮掌?。在系統(tǒng)的接收側(cè),串聯(lián)諧振元件 L S和 C S將輸入磁場轉(zhuǎn)換為電流,大功率整流器將交流電流轉(zhuǎn)換為直流電壓。,輸出穩(wěn)壓器用于為負載提供穩(wěn)定的直流電壓,負載可以是產(chǎn)品或電池充電器的特定工作功能。

          典型的無線電力系統(tǒng) (≤15 W) 有幾個附加項以符合高功率解決方案 (>15 W) 的要求。首先是提高磁體性能的需求增加,以減少功率損耗和傳輸過程中由于功率損耗而產(chǎn)生的相關(guān)熱量。大功率設(shè)計的附加指南將包括額外的安全和程序,以防止假冒設(shè)計產(chǎn)生或提供大功率。同時,它將確保適當(dāng)?shù)?FOD 機制到位,以安全有效地向接收器及其負載提供高功率。大多數(shù)終端產(chǎn)品將使用 Rx 輸出為電池充電;然而,可以有獨立的應(yīng)用程序,例如泳池照明和衛(wèi)洗麗,其中無線電源只是在沒有電池的情況下為負載供電的方式。

          更好的熱管理設(shè)計:冷卻選項

          有人擔(dān)心高功率無線系統(tǒng)的發(fā)熱和效率可能會阻礙或延遲滿足安全要求。盡管如此,這些仍然可以通過設(shè)計散熱和優(yōu)化效率來緩解。圖 2 顯示了 Tx-Rx 耦合感應(yīng)式無線充電器的完整疊層,以更好地理解熱捕獲和冷卻的途徑。


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          圖 2:典型無線充電系統(tǒng)的疊層


          PCB 的物理結(jié)構(gòu)也會影響系統(tǒng)的工作溫度。連接到功率元件的銅表面區(qū)域和電路板厚度將影響終工作溫度。由于較低的熱阻和較大的面積,較薄的 PCB 設(shè)計將在內(nèi)層之間傳遞更多的熱量。與銅層之間具有更多電介質(zhì) FR-4 的較厚 PCB 相比,設(shè)計較薄的 PCB 將提高熱性能。其他解決方案包括添加風(fēng)扇以強制氣流穿過電路和接口(圖 3)。如果使用強制空氣,通過設(shè)計凹槽以便空氣可以流過或使用允許空氣自由流動的半多孔材料,在界面中提供隧道或氣流通道是至關(guān)重要的。


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          圖 3:利用通道允許來自 Tx 的接口處的氣流的示例


          在不斷發(fā)展的更高無線功率市場的這個階段,常見的應(yīng)用是手機。某些手機的功耗可達 50 W,但持續(xù)時間非常有限。隨著新興市場的形成,筆記本電腦、機器人和其他類似的大功率應(yīng)用將能夠無限期地維持電力輸送。此外,由于充電座和設(shè)備通常非常小,如果不使用風(fēng)扇將較熱的空氣從產(chǎn)品界面(測量觸摸溫度的地方)移走,高功率耗散將是一項挑戰(zhàn)。


          圖 3 顯示了如何創(chuàng)建空氣通道以允許強制空氣通過 Tx 電路并到達接口,它可以在不干擾接口間距或功率傳輸?shù)那闆r下冷卻兩個線圈。空氣從 Tx 側(cè)吸入,Tx 和 Rx 上設(shè)計了空氣通道以具有更大的表面積。這樣,接口處的壓力就會降低,所有強制空氣都會在接口處排出,從而同時冷卻 Tx 和 Rx 線圈。

          更好的熱管理設(shè)計:提高線圈效率、布線

          在感應(yīng)式無線充電系統(tǒng)中,突出的熱問題之一是磁性本身。因此,提高效率的主要思路是使用質(zhì)量更高的 Rx 線圈。例如,與多股線或 PCB 線圈相比,具有納米晶屏蔽層的李茲線線圈可以顯著降低界面溫度。通常需要在成本和性能之間進行權(quán)衡,其中性能優(yōu)異的利茲線 Rx 線圈設(shè)計往往是昂貴的,而 PCB 型線圈成本較低且效率。

          納米晶屏蔽將在更薄的材料中產(chǎn)生高飽和水平,并且與標(biāo)準(zhǔn)的燒結(jié)鐵氧體磁芯相比性能更優(yōu)越。使用 PCB 型線圈時,使用較重的銅箔(即 2 盎司或 4 盎司銅,而不是大多數(shù)柔性 PCB 基板上的標(biāo)準(zhǔn) 0.5 盎司)是有益的。因為這些導(dǎo)體承載高電流并且通常相對較大,所以它們用作散熱器和電流導(dǎo)體。因此,一項基本的緩解技術(shù)是將大銅層連接到 Tx 和 Rx 線圈觸點以及其他發(fā)熱源,例如功率 MOSFET、電感器和 IC。在這種情況下,重要的是要包含大量的銅平面區(qū)域,以吸收電子設(shè)備功耗產(chǎn)生的熱量。

          圖 4 顯示了 WLC1x 高功率四層 Rx [1] PCB 的布局,其中顯示 Rx 線圈觸點具有多個縫合在一起的平行平面和多個過孔,以使用每個平行平面?zhèn)鬏旊娏骱蜔崃俊K薪涣鬏d流節(jié)點(LC,或L S和C S,公共連接節(jié)點以及 AC1 和 AC2 節(jié)點),如圖 1 所示,應(yīng)用于在大功率設(shè)計中傳遞熱量和電流。請注意,線圈觸點(頂層,黃色觸點)連接到 LC 節(jié)點上的所有四層和 AC2 節(jié)點上四層中的三層。此外,AC1 在空間允許的情況下復(fù)制到四層中的三層。通過多個平行通孔,這些技術(shù)可以顯著降低熱阻。因此,與這些節(jié)點接觸的所有組件的工作溫度都較低。還應(yīng)注意,每個整流器 MOSFET 在漏極連接焊盤/引腳中都有一個由九個熱和電流傳輸過孔組成的陣列。


          圖 3 顯示了如何創(chuàng)建空氣通道以允許強制空氣通過 Tx 電路并到達接口,它可以在不干擾接口間距或功率傳輸?shù)那闆r下冷卻兩個線圈??諝鈴?Tx 側(cè)吸入,Tx 和 Rx 上設(shè)計了空氣通道以具有更大的表面積。這樣,接口處的壓力就會降低,所有強制空氣都會在接口處排出,從而同時冷卻 Tx 和 Rx 線圈。

          更好的熱管理設(shè)計:提高線圈效率、布線

          在感應(yīng)式無線充電系統(tǒng)中,突出的熱問題之一是磁性本身。因此,提高效率的主要思路是使用質(zhì)量更高的 Rx 線圈。例如,與多股線或 PCB 線圈相比,具有納米晶屏蔽層的李茲線線圈可以顯著降低界面溫度。通常需要在成本和性能之間進行權(quán)衡,其中性能優(yōu)異的利茲線 Rx 線圈設(shè)計往往是昂貴的,而 PCB 型線圈成本較低且效率。

          納米晶屏蔽將在更薄的材料中產(chǎn)生高飽和水平,并且與標(biāo)準(zhǔn)的燒結(jié)鐵氧體磁芯相比性能更優(yōu)越。使用 PCB 型線圈時,使用較重的銅箔(即 2 盎司或 4 盎司銅,而不是大多數(shù)柔性 PCB 基板上的標(biāo)準(zhǔn) 0.5 盎司)是有益的。因為這些導(dǎo)體承載高電流并且通常相對較大,所以它們用作散熱器和電流導(dǎo)體。因此,一項基本的緩解技術(shù)是將大銅層連接到 Tx 和 Rx 線圈觸點以及其他發(fā)熱源,例如功率 MOSFET、電感器和 IC。在這種情況下,重要的是要包含大量的銅平面區(qū)域,以吸收電子設(shè)備功耗產(chǎn)生的熱量。

          圖 4 顯示了 WLC1x 高功率四層 Rx [1] PCB 的布局,其中顯示 Rx 線圈觸點具有多個縫合在一起的平行平面和多個過孔,以使用每個平行平面?zhèn)鬏旊娏骱蜔崃?。所有交流載流節(jié)點(LC,或L S和C S,公共連接節(jié)點以及 AC1 和 AC2 節(jié)點),如圖 1 所示,應(yīng)用于在大功率設(shè)計中傳遞熱量和電流。請注意,線圈觸點(頂層,黃色觸點)連接到 LC 節(jié)點上的所有四層和 AC2 節(jié)點上四層中的三層。此外,AC1 在空間允許的情況下復(fù)制到四層中的三層。通過多個平行通孔,這些技術(shù)可以顯著降低熱阻。因此,與這些節(jié)點接觸的所有組件的工作溫度都較低。還應(yīng)注意,每個整流器 MOSFET 在漏極連接焊盤/引腳中都有一個由九個熱和電流傳輸過孔組成的陣列。


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          圖 4:WLC1x 交流節(jié)點布局示例,使用平行平面分布熱量和降低電阻


          共存設(shè)計:更高功率,向后兼容 Qi

          事實上,有幾個因素會影響 Tx 和 Rx 感應(yīng)電力傳輸系統(tǒng)的選擇或設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。為了簡化這個問題,我們建議從標(biāo)準(zhǔn)WPC定義的擴展功率線圈(或線圈,例如MP-A2或MP-A11)開始,然后匹配諧振槽設(shè)計規(guī)范以保持與標(biāo)準(zhǔn)Qi Rx設(shè)備的兼容性和便于提供高功率。事實證明,這些線圈可與互操作性平臺 (IOP) 一起正常運行。由于采用大規(guī)格利茲線,載流能力足以提供更高的功率,而不會在線圈或大型鐵氧體屏蔽中引入過多的功率損耗。選擇其中一個標(biāo)準(zhǔn)線圈或根據(jù)特定系統(tǒng)要求進行一些小的修改后,應(yīng)開始 Rx 線圈的設(shè)計(對于配對系統(tǒng))。

          當(dāng)解決方案需要創(chuàng)建自定義線圈時,應(yīng)注意,當(dāng)組合氣隙(Rx 和 Tx 接口高度或線圈到線圈面對表面的空間)在 3 到 8 毫米之間時,無線電源系統(tǒng)表現(xiàn)出性能,取決于終的幾何形狀。這將有助于確保耦合系數(shù)介于 0.5 和 0.85 之間,這是感應(yīng)無線電力系統(tǒng)的點。因此,當(dāng) Tx 和 Rx 線圈電感保持在彼此大約 ±25% 的范圍內(nèi)時,這使設(shè)計能夠滿足適當(dāng)?shù)幕ジ兄怠4送?,它確保增益曲線既不太陡也不太淺,以致在整個工作電壓和頻率范圍內(nèi)允許適當(dāng)?shù)墓β收{(diào)節(jié)步驟。

          利用諧波近似 (FHA) 分析,可以對許多參數(shù)和大多數(shù)操作模式進行建模和仿真。Infineon 的高功率 Tx 設(shè)計指南2包括必要的推導(dǎo)、推薦模型和全面的系統(tǒng)設(shè)計指南。例如,本設(shè)計指南可用于創(chuàng)建圖 5 中所示的圖形。在此圖形中,典型的 Tx 線圈功率與頻率斜率的關(guān)系表明增益如何響應(yīng)工作頻率的變化。為了對 Rx 側(cè)的頻率(或電壓)變化做出可預(yù)測的響應(yīng),使用漂亮的線性曲線。然而,對于相同的頻率步長,陡峭的曲線或指數(shù)曲線會產(chǎn)生可變的功率電平變化,這會使控制回路更加復(fù)雜。


          擴展無線電力傳輸以實現(xiàn)更高的功率傳輸

          圖 5:具有 20V 輸入和輸出的感應(yīng)無線電源系統(tǒng)的典型功率與頻率曲線


          查看圖 5 并考慮 MP-A2 無線電源 Tx 規(guī)范,我們發(fā)現(xiàn)工作頻率范圍限制在 110 至 148 kHz。通過檢查曲線,很明顯,在此范圍內(nèi),響應(yīng)隨頻率變化呈線性變化,同時為 Rx 提供充足的功率。將此作為設(shè)計計算器2的目標(biāo),使用 FHA 仿真有助于線圈設(shè)計,而無需運行復(fù)雜的磁學(xué)仿真(盡管這些仿真始終受到鼓勵)。使用 Tx 設(shè)計指南后,可以使用以下指南在模擬或設(shè)計計算的同時生成 Rx 線圈原型,以加快設(shè)計階段并開始縮小終磁性設(shè)計的范圍:

          Tx 和 Rx 線圈幾何形狀(內(nèi)徑/外徑)應(yīng)在彼此的 ±25% 范圍內(nèi)。

          匝數(shù)應(yīng)相似(±3 以內(nèi))。

          自由空氣電感應(yīng)在彼此的 ±20% 范圍內(nèi)。

          Rx 屏蔽應(yīng)該是納米晶體或斷裂鐵氧體類型,并且盡可能厚(多 2 毫米就足夠了)。

          相對磁導(dǎo)率 (μ r ) 應(yīng)在 500–900 范圍內(nèi)。

          交流和直流電阻應(yīng)化。在 PCB 上使用利茲線、多股導(dǎo)線或?qū)?厚銅箔可以增加導(dǎo)體的“皮膚”量。

          理想情況下,屏蔽應(yīng)該是連續(xù)的并且超過線圈外徑至少 1 毫米到 3 毫米(如果空間允許)。

          通過遵循這些指南,耦合因子、互感和磁場體積將適合運行并提供合適的有源區(qū)域,而不是復(fù)雜的迭代模擬。上述指南旨在立即準(zhǔn)備線圈原型,以便通過檢查負載和電壓下的效率、瞬態(tài)響應(yīng)和通信保真度來完成測試和終設(shè)計調(diào)整。建議獲得一些具有不同磁導(dǎo)率和電感的 Rx 線圈原型,并在可能的情況下對氣隙進行試驗,以找到配置和線圈設(shè)計。有關(guān)控制方程式的其他詳細信息和說明,請參閱WLC1150 設(shè)計指南。2個

          下一個主要設(shè)計決策將是定義所需輸出功率后的工作電壓。然后,輸出功率可用于估算系統(tǒng)其余部分返回至 Tx 的輸入直流電源的功率損耗。這將啟用熱建模并幫助確定MOSFET 的電阻和 R DS(on)值的限制。應(yīng)該注意的是,通過在盡可能高的電壓下運行系統(tǒng)以降低電流和相關(guān)的 I 2來實現(xiàn)效率R 功率損耗。例如,50W 輸出適合使用 2.5A 時的 20V 輸出,而不是 5A 時的 10V 輸出。原因是較高的整流器電壓需要較低的整流器電流,從而導(dǎo)致較低的線圈電流,并且大部分 Rx 損耗將發(fā)生在整流器和 Rx 線圈中。一個很好的假設(shè)是,均方根 Rx 線圈和整流器電流將約為 1.11 × 整流直流電流(假設(shè)一個相當(dāng)正弦的波形)。同樣,WLC1150 設(shè)計指南2提供了對高功率無線發(fā)射器設(shè)計工作點的全面洞察、建議和估計。

          使用這些參考指南將允許對整流器 MOSFET 和 Rx LC 槽路以及 Tx 預(yù)調(diào)節(jié)器(如果使用)、逆變器和 Tx 線圈進行功率損耗估計。很明顯,線圈中的交流損耗占主導(dǎo)地位,因此,應(yīng)通過使用更粗的利茲線、多股絞線或平行的厚銅 PCB 走線來盡可能地降低該電阻,以創(chuàng)建 Rx 電感器,同時滿足終產(chǎn)品的成本和厚度要求。

          回到輸出端,一旦確定了輸出功率和電壓,就應(yīng)該考慮V rect和 V out之間的后置穩(wěn)壓器。一般來說,對于高壓輸出 (>15 V),LDO 類型的輸出效率更高,因為 V rect和 V out之間的差值在 0.2 V 以內(nèi)。因此,輸出調(diào)節(jié)器損耗和線圈電流將被化。簡化了輸出級功率計算,利用功率和電壓可以計算出整流器直流電流。然后可以找到整流器和 Rx 線圈電流,因為它幾乎等于輸出電流(控制器 IC 靜態(tài)電流和開關(guān)電流必須添加到輸出電流以獲得整流電流)。

          對于將使用 <15V 輸出的系統(tǒng),降壓穩(wěn)壓器是有利的,因為系統(tǒng)可以在更高的電壓下調(diào)節(jié) V rect并降低輸出。這允許較低的線圈電流,同時在較低電壓下實現(xiàn)高輸出電流。系統(tǒng)細節(jié)可能會影響 LDO 和降壓之間的決策(尤其是在 15-VV輸出目標(biāo)值附近),并且應(yīng)該在設(shè)計啟動之前考慮,具體取決于哪種輸出類型可以限度地提高效率。借助英飛凌解決方案,由于采用了可配置的設(shè)計理念,這些測試可以快速輕松地運行。使用降壓穩(wěn)壓器后,還可以通過將輸出電流除以 V rect /V out的比率來估算整流器電流。

          一旦估計了系統(tǒng)的 Rx 端,就可以在進行熱建模的同時選擇和設(shè)計合適的組件。終組件可能會在幾次設(shè)計迭代中確定,然后 PCB 設(shè)計可能會開始。使用確定的 Rx 線圈電流和耦合系數(shù)(使用 k ≈ 0.65 是解決未對準(zhǔn)充電條件的良好指導(dǎo)),現(xiàn)在可以使用以下方法估算 Tx 線圈電流和功率計算(假設(shè)使用上述線圈指導(dǎo))WLC1150 設(shè)計指南。2個

          Tx 線圈和逆變器電流可以使用設(shè)計指南和選定的輸出功率和輸入/輸出電壓來確定。此外,可以選擇 Tx 線圈交流電阻、Tx 線圈和逆變器 MOSFET 以滿足效率目標(biāo)。應(yīng)該注意的是,具有較低 RDS (on)的 MOSFET具有較高的寄生電容,因此會增加開關(guān)損耗。因此,簡單地降低 R DS(on)并不總能帶來更好的性能。通常,MOSFET 的 R DS(on)范圍為 10 至 20 mΩ將在開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間取得合理的平衡,是無線電源系統(tǒng)的理想選擇。對于在直流輸入和逆變器之間具有預(yù)調(diào)節(jié)器的系統(tǒng)(可變電壓或混合可變電壓和可變頻率系統(tǒng)),需要設(shè)計 DC/DC 調(diào)節(jié)器以處理與 V 的寬輸入到輸出差異BRG范圍為 4 V 至 19 V,設(shè)計用于提供至少 3 A 的電流。請注意,V BRG應(yīng)設(shè)計為在指定的 V IN電壓范圍內(nèi)工作(通常為 12 V 至 20 V)。

          現(xiàn)在可以通過將 Rx 輸出功率除以目標(biāo)系統(tǒng)效率輕松估算 Tx 輸入功率(李茲線線圈為 90%,PCB 線 Rx 線圈為 85%,即除以 0.9 或 0.85)。然后使用設(shè)計計算器估算 BRG 功率(如果使用WLC1150 ,則假設(shè)損耗為 4% 至 5%給逆變器供電)。放置 MOSFET 時,應(yīng)使用多層連接到漏極和源極。此外,應(yīng)該使用寬銅平面將熱量傳遞到 PCB,在那里熱量可以擴散以降低設(shè)備的工作溫度。圖 6 中的簡化圖顯示了通過將實心銅平面與多個過孔連接到內(nèi)層以進行熱分布而創(chuàng)建的熱路徑。外層是有效的,但也應(yīng)盡可能使用內(nèi)層。


          擴展無線電力傳輸以實現(xiàn)更高的功率傳輸
          圖 6:從功率元件到 PCB 的熱路徑分布在內(nèi)層和外層以降低工作溫度


          典型的無線電力系統(tǒng)也有一些附加功能,以從標(biāo)準(zhǔn)功率水平轉(zhuǎn)移到高功率領(lǐng)域。這些包括但不限于更快的 FSK 模式,以減少向 Rx 發(fā)送消息所需的通信吞吐量。強制身份驗證或至少使用加密進行軟憑證檢查也很重要,以避免假冒產(chǎn)品以高功率為設(shè)備供電和充電的可能性。這樣做的主要原因是為了防止損壞高壓敏感電子設(shè)備并將逆變器和整流器的電壓和電流限制在安全值。

          初級 LC 槽的不當(dāng)控制會導(dǎo)致逆變器 LC 槽內(nèi)和整流器上的電壓過高。這些大功率系統(tǒng)經(jīng)過精心設(shè)計,以避免可能發(fā)生損壞的操作情況。盡管如此,假冒解決方案可能并不那么謹慎,如果在輸入磁場強度太強以致 Rx 無法處理或持續(xù)很長時間時出現(xiàn)突然的耦合改進或大的瞬態(tài)負載突降,這可能具有破壞性。這些系統(tǒng)設(shè)計為具有無功功率鉗位,以在需要時吸收多余的輸入能量。

          當(dāng)前趨勢和英飛凌的解決方案

          除了設(shè)計為以 50 W 安全充電外,英飛凌WLC1150 Tx解決方案還具有一些差異化的關(guān)鍵功能,可以安全地提供更高的功率。這些包括:

          高電壓(高達 24 V),具有高側(cè)電流感應(yīng)
          集成 USB-PD 控制器
          USB-C PPS 適配器的直流電壓控制
          用于全橋逆變器和 DC/DC 的集成柵極驅(qū)動器
          自適應(yīng) FOD 算法
          使用全棧軟件的可定制配置
          基于輸出功率水平的安全磁場工作范圍

          此外,英飛凌還提供完整的解決方案,包括即將推出的 WLC1x Rx [2],它支持后置穩(wěn)壓器的 LDO 或降壓輸出;因此,可以根據(jù)成本和電源類型調(diào)整變送器(圖 7)。


          擴展無線電力傳輸以實現(xiàn)更高的功率傳輸

          圖 7:帶有 MP A2 功率發(fā)送器和接收器的 WLC1x 高功率解決方案


          高功率無線系統(tǒng)對于為筆記本電腦、吸塵器和無人機等大型設(shè)備供電和充電非常有用。這些設(shè)計非常適合高濕度環(huán)境或由于缺少暴露觸點而預(yù)計會出現(xiàn)冷凝的環(huán)境。這些設(shè)計還減少了與 ESD 相關(guān)的故障,因為電子設(shè)備與通常有靜電的外部環(huán)境進一步隔離。

          高功率解決方案是低功率解決方案的放大版本,同時仍然依賴于相同的設(shè)計基礎(chǔ)。他們需要注意 PCB 的布局和布線,尤其是開關(guān)穩(wěn)壓器的電流環(huán)路區(qū)域。此外,重要的是使用寬銅平面以減少傳導(dǎo)路徑中的I 2 R 壓降并將熱量從功率元件散開。該系統(tǒng)使用基于操作條件的可變調(diào)制深度的穩(wěn)健帶內(nèi)通信方案,通過配對的 Tx 和 Rx 線圈對可靠、安全和方便地將高功率傳輸?shù)饺魏呜撦d。

          在工業(yè)環(huán)境中,這些系統(tǒng)非常棒,因為它們可以消除電線和電纜的需要,同時支持持續(xù)數(shù)年的無腐蝕充電。高功率設(shè)計稍微復(fù)雜一些,需要使用更高額定電流和更低電阻的組件來減少整個系統(tǒng)的功率損耗。但是,按照本文的建議以及英飛凌的高質(zhì)量參考設(shè)計和設(shè)計指南,可以高效地設(shè)計它們。2個

          高功率無線系統(tǒng)需要進行多項改進才能限度地提高性能,但從 15 W 到 50 W 的順序步驟不會導(dǎo)致成比例的設(shè)計時間或挑戰(zhàn)。當(dāng)使用英飛凌的高功率解決方案提供當(dāng)今市場上的無線功率時,可以通過對一些關(guān)鍵組件進行較小的縮放來實現(xiàn)所需的功率增加。



          關(guān)鍵詞: 無線電力

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