前10年一直在消費電子領(lǐng)域沖浪的氮化鎵（GaN）技術(shù)不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。

氮化鎵應用不斷擴充

消費領(lǐng)域一直是原始設備制造商（OEM）采用GaN的主要驅(qū)動力，其中電力設備市場為主流市場，快速充電器為主要應用，此外還包括一些音頻設備等。借助GaN，智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。

目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性價比的“最佳點”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨勢可能會在不久的將來推動智能手機 OEM對GaN的采用。大多數(shù)國家超過75W的功率需要功率因數(shù)校正(PFC)電路，這需要使用更多的GaN含量。

另外，在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應用中GaN技術(shù)的得到進一步應用。比如在汽車領(lǐng)域，其主要驅(qū)動力將是電動汽車的車載充電器（AC-DC轉(zhuǎn)換）以及DC/DC轉(zhuǎn)換器（電壓范圍為48V至400V）。市場消息顯示，大概到2030年左右，OEM將開始考慮在主逆變器 (650-800V) 中集成GaN。

從市場情況看，在過去幾年越來越多的汽車制造商與GaN器件供應商合作。如德國汽車系統(tǒng)制造商ZF與以色列GaN公司VisIC合作，意大利汽車零部件制造商Marelli則與GaN器件公司Transphorm合作等。

隨著氮化鎵應用不斷擴充，國內(nèi)外廠商動作頻頻。

國外GaN動態(tài)：收購、擴產(chǎn)、技術(shù)創(chuàng)新

英飛凌收購GaN Systems，鞏固全球功率系統(tǒng)領(lǐng)導地位

3月2日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司GaN Systems，交易總值8.3億美元（約57.3億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃以全現(xiàn)金收購GaN Systems，資金將來自現(xiàn)有的流動資金。

在第三代半導體領(lǐng)域，英飛凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半導體市場已有豐富的客戶積累，供應鏈布局也比較完善，但在氮化鎵領(lǐng)域的動態(tài)不多。

此次英飛凌通過并購GaN Systems，不但可以快速豐富產(chǎn)品線、客戶群，還能將GaN Systems積累的GaN技術(shù)與英飛凌先進的8-12寸晶圓廠、生產(chǎn)制程相結(jié)合，將氮化鎵應用帶上新高度。

瑞典SweGaN擴產(chǎn)，年產(chǎn)能達4萬片

3月2日，瑞典公司SweGaN宣布，他們正在瑞典林雪平的創(chuàng)新材料集群建設一個新總部，包括一個大規(guī)模的半導體生產(chǎn)設施。

報道稱，該項目計劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng)新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預計年產(chǎn)能將高達4萬片4/6英寸外延片。

2022年9月，該擴產(chǎn)項目就已經(jīng)獲得1200萬歐元（約8300萬人民幣）A輪融資的支持，以滿足5G基站、國防雷達、低軌道衛(wèi)星通信和電動汽車車載充電器主要供應商的市場需求。此前2022年7月，SweGaN還獲得了一次投資，獲投金額與本次融資金額相近（約8216萬元人民幣），資金將用于擴大員工數(shù)量，并建設新的生產(chǎn)線。

SweGaN于2022年表示，預計幾年后，公司年營業(yè)額將從2021年的1700萬瑞典克朗增加到2億瑞典克朗（約1.3億元人民幣），營收目標做到“數(shù)十億”。

羅姆開發(fā)出控制氮化鎵功率半導體的新技術(shù)，有望年內(nèi)供應樣品

近日，羅姆官方消息顯示，其開發(fā)出用于GaN半導體的高速控制IC，能夠減少電源封裝面積86%，可把通過集成電路切換電流開關(guān)時的時間縮短到了2納秒（僅為原來的四分之一），是業(yè)界最快的。使用這種控制IC，GaN半導體就能最大限度地發(fā)揮出比現(xiàn)有的硅(Si)半導體等更好的高速開關(guān)性能，還能實現(xiàn)驅(qū)動外圍部件的小型化。

業(yè)界消息顯示，該技術(shù)預計將與該公司制造的GaN半導體等結(jié)合，應用于通信基站、數(shù)據(jù)中心(DC)、工業(yè)機器、飛行機器人(無人機)等領(lǐng)域。最早將在2023年內(nèi)開始供應樣品。

國內(nèi)GaN動態(tài)：6大項目開工/投產(chǎn)

另外，我國2023年1月至3月有多個氮化鎵項目迎來最新進展，包括百思特達半導體氮化鎵項目、博康(嘉興)半導體氮化鎵項目、仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目、中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目、東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目等。

百思特達半導體GaN外延片項目試生產(chǎn)

近日，據(jù)盤錦日報消息，遼寧百思特達半導體旗下氮化鎵項目獲得新進展——2英寸&4英寸外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認證階段，正式投產(chǎn)后，可實現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

據(jù)介紹，百思特達是2019年興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目，該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品。

2019年11月，百思特達氮化鎵項目正式開工建設，該項目占地125畝，總投資15億元，其中一期投資3億元；去年5月，項目一期正式建成，預計增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。

博康建GaN項目，年產(chǎn)能為3000片

3月6日，“嘉興城南”官微發(fā)文稱，博康(嘉興)半導體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工，該項目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。

公開資料顯示，博康（嘉興）半導體成立于2022年10月，公司主營業(yè)務包括半導體分立器件制造、銷售及服務等。

而且，3月3日，嘉興市公共資源交易中心發(fā)布招標公告稱，博康（嘉興）半導體年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導線項目設計對外采購施工總承包，招標估算價約為1.9億元。

根據(jù)公告，博康的氮化鎵項目位于浙江嘉興經(jīng)開區(qū)，總工期歷時一年左右，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進光刻機、磁控濺射機等設備約100臺套用于生產(chǎn)國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的通信用氮化鎵射頻芯片先導線，預計年產(chǎn)能將為3000片。

東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目預計4月底投產(chǎn)

據(jù)北青網(wǎng)消息，2月16日，東科半導體表示，旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項目”已竣工，正在進行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預計4月底投產(chǎn)。

公開資料顯示，該項目項目占地52畝，新建廠房5.1萬平米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目開工

今年1月上旬，合肥仙羋智造科技有限公司（）仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目正式開工。該項目總投資5億元，建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預計全部投產(chǎn)后年銷售收入可達12億元。

此前消息顯示，該項目于2022年6月簽約落戶安徽蚌埠傳感谷。目前，廠房外部墻面改造已完成，開始裝修廠房和設備入場。

中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目建成完工

據(jù)中鐵建工集團公眾號消息，1月10日，中鐵建工集團旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目”已經(jīng)建成完工，該項目總投資超過30億元。

項目建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設計、生產(chǎn)、測試能力。

格晶半導體第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目落地江西上饒 總投資25億元

據(jù)格晶半導體官方消息，1月5日，江西上饒市萬年縣與上海格晶半導體有限公司舉行合作簽約儀式。

此次簽約的第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目總投資達25億元，項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。