功率晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結(jié)溫預估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。

晶閘管是半控型電力電子器件，可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時，控制晶閘管導通，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管自行關(guān)斷。晶閘管一般處于工頻開關(guān)工作，所以在計算其損耗時，忽略開關(guān)損耗，只計算其導通損耗。

公式計算方法如下：

各參數(shù)定義如下：

P_VT是單個晶閘管的損耗

V_T0是閾值電壓 (threshold voltage)

I_TAV是單個晶閘管輸出電流平均值

r_T是斜率電阻 (slope resistance)

F是波形因數(shù) (form factor)，可由公式2獲得

其中I_TRMS是單個晶閘管輸出電流均方根值，即有效值；對于UPS旁路應用中的正弦半波電流，此時 F取值1.571。（參考文后公式4~6）

上圖電路中I₁是該相交流電流有效值，I_TAV是單個晶閘管的電流平均值，U₁為相電壓有效值。

以600kW UPS，輸出電壓400 VAC旁路舉例，分別考慮下述過載規(guī)格，125%功率過載10分鐘以及150%功率過載1分鐘，并且以85%輸出電壓作為最惡劣條件。

125%功率過載時，對應的最大相電流有效值為：

根據(jù)公式4計算該單個器件的電流平均值為：

選擇TT820N16KOF和TT600N16KOF作為方案備選，它們的參數(shù)如下：

由于只計算單個晶閘管的損耗，R_thJC取單個晶閘管的結(jié)殼熱阻(per arm,θ=180° sin)。將上述參數(shù)代入公式1，并假定器件的殼溫T_case=85°C，根據(jù)公式3即可計算出器件結(jié)溫。

對比這兩個方案的計算結(jié)溫，TT820N16KOF的結(jié)溫裕量有19，TT600N16KOF只有2.5。

150%功率過載時，對應的最大相電流有效值為：

根據(jù)公式4計算該單個器件的電流平均值為：

同上述125%功率過載計算方法一樣，并且由于規(guī)格書中的瞬態(tài)熱阻在60S時已經(jīng)穩(wěn)定，我們可以使用上述表格中的最大R_thJC值來計算結(jié)溫。

對比這兩個方案的計算結(jié)溫，TT820N16KOF的結(jié)溫裕量仍然有10℃，TT600N16KOF已經(jīng)超過最大結(jié)溫上限了。顯然，TT820N16KOF是最適合600kW UPS的旁路方案。此類壓接型的晶閘管外觀呈現(xiàn)黑色，有著更高的結(jié)溫規(guī)格以及更強的抗沖擊電流能力，適合UPS旁路應用。

我們再使用IPOSIM來進行仿真，然后同公式計算結(jié)果進行對比。

掃描下方二維碼或點擊文末“閱讀原文”，登陸英飛凌官網(wǎng)上的IPOSIM頁面，選擇AC/AC Applications。

在器件選型中，選取TT820N16KOF和TT600N16KOF。

在Circuit & Control中輸入上文計算的I₁，這里I₁=I_out。

在Cooling Condition中設置固定殼溫(Fixed Case Temperature)，最后運行仿真(Run Simulation)。

仿真結(jié)果如下。其中P_arm即是上文計算的P_VT，TT系列晶閘管內(nèi)部是2顆芯片反向并聯(lián)，P_tot=P_arm*2。結(jié)果也顯示最大結(jié)溫T_{vj max}和單個晶閘管電流均方根值I_TRMS。

125%過載結(jié)果

150%過載結(jié)果

對比公式計算和IPOSIM仿真結(jié)果，基本一致。

當然，IPOSIM的功能更強大，在Cooling Condition中還可以設置散熱片參數(shù)，得到更準確的結(jié)溫仿真結(jié)果。同時，使用IPOSIM也更簡單，只需要填入電流有效值即可，并能同時仿真多個方案進行對比。

以上，是晶閘管在UPS旁路應用中的損耗評估方法，請各位參考，謝謝。

附

正弦半波電流的平均值和均方根有效值的計算。

正弦半波電流的有效值

作者：周明

來源：英飛凌