美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%
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IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進(jìn)一步擴(kuò)展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202310/451388.htm
美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開(kāi)始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶(hù)提供，峰值速度可以達(dá)到 7200 MT/s。
這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進(jìn)的 high-k CMOS 器件技術(shù)，4 相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。
全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線(xiàn)提供 4,800 MT/s 至 7,200 MT/s 的模塊密度，滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心和客戶(hù)端應(yīng)用的需求。
美光核心計(jì)算設(shè)計(jì)工程集團(tuán)公司副總裁 Brian Callaway 強(qiáng)調(diào)了這一發(fā)展的重要性，他表示：“面向客戶(hù)端和數(shù)據(jù)中心平臺(tái)的 1β DDR5 DRAM 的大批量生產(chǎn)和可用性標(biāo)志著行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和客戶(hù)的合作將推動(dòng)這些高性能內(nèi)存產(chǎn)品的更快普及?！?/p>
美光的 1β 技術(shù)支持多種基于內(nèi)存的解決方案組合，包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7，16Gb DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品將通過(guò)直銷(xiāo)和渠道合作伙伴方式銷(xiāo)售。
IT之家此前報(bào)道稱(chēng)，行業(yè)分析機(jī)構(gòu) TechInsights 拆解 iPhone 15 Pro 之后，發(fā)現(xiàn)內(nèi)部使用了美光最新超高密度 D1β（D1b）LPDDR5 16 Gb DRAM 芯片，這是業(yè)內(nèi)首次涉足 D1β。
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