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          沖刺 1nm 制程,日本 Rapidus、東京大學與法國研究機構合作開發(fā)尖端半導體

          作者: 時間:2023-11-17 來源:IT之家 收藏

          IT之家 11 月 17 日消息,據(jù)《日本經濟新聞》當?shù)貢r間今日凌晨報道,日本芯片制造商 、東京大學將與法國半導體研究機構 Leti 合作,共同開發(fā)電路線寬為 級的新一代半導體設計的基礎技術。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202311/453053.htm

          報道稱,雙方將從明年開始展開人員交流、技術共享,法國研究機構 Leti 將貢獻其在芯片元件方面的專業(yè)技術,以構建供應 產品的基礎設施。

          雙方的目標是確立設計開發(fā)線寬為 1.4nm- 的半導體所需要的基礎技術。制造 1nm 產品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結構,Leti 在該領域的成膜等關鍵技術上具備較為雄厚的實力。

          與 2nm 相比,1nm 技術可將計算性能和效率提升 10-20%。 已經與 IBM 和比利時研發(fā)集團 Imec 合作,以實現(xiàn) 2027 年量產 2nm 芯片的目標,預計 1nm 半導體最快在 2030 年代進入主流。同時,IBM 也考慮在 1nm 領域與 進行合作。

          另據(jù)IT之家此前報道,荷蘭大型半導體制造設備廠商 ASML 將在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技術支持基地。Rapidus 公司正在力爭量產最先進半導體,ASML 將為 Rapidus 提供工廠建設和維護檢查等協(xié)助,到 2028 年前后將日本國內人員增加 40%。




          關鍵詞: Rapidus 1nm 晶圓代工

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