近年來(lái)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)發(fā)生了相當(dāng)大的變化。三星電子公司曾經(jīng)是該領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)導(dǎo)者，但現(xiàn)在卻落后于規(guī)模較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士。兩家公司之間不斷擴(kuò)大的差距是來(lái)自哪里？

爭(zhēng)做 CXL 游戲規(guī)則改變者

造成這種差距的一個(gè)主要因素是投資者對(duì) SK 海力士作為潛在人工智能 (AI) 領(lǐng)導(dǎo)者的信心增強(qiáng)。公司一直積極拓展在人工智能行業(yè)的布局，吸引了來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的巨額投資。SK 海力士的尖端研發(fā)工作和戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系展現(xiàn)了對(duì)推進(jìn)人工智能技術(shù)的堅(jiān)定承諾。由于對(duì)其高帶寬內(nèi)存 (HBM) 芯片的高需求，其股價(jià)今年飆升了 67%。

另一方面，三星股價(jià)僅上漲了 24%，相對(duì)微薄。業(yè)內(nèi)人士分析，為了在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域進(jìn)行有效競(jìng)爭(zhēng)，三星需要重新考慮其戰(zhàn)略，并確保其創(chuàng)新與行業(yè)的快速進(jìn)步保持一致。

爭(zhēng)奪 CXL 市場(chǎng)的核心是 DRAM，三星和 SK 海力士是全球第一和第二大存儲(chǔ)器廠商，自然不會(huì)錯(cuò)過(guò) CXL 這片「新藍(lán)海」，目前都在積極開(kāi)發(fā) CXL 技術(shù)，以提高服務(wù)器 DRAM 銷量。CXL 內(nèi)存模塊理論上在服務(wù)器中可以實(shí)現(xiàn)「無(wú)限」的 DRAM 擴(kuò)展，而且還能統(tǒng)一不同信息處理設(shè)備直接的通信協(xié)議，簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)處理、減少了數(shù)據(jù)瓶頸、提高了能源效率，解決了現(xiàn)有計(jì)算機(jī)標(biāo)準(zhǔn)里 DRAM 的物理可擴(kuò)展性問(wèn)題。

三星于 2021 年 5 月開(kāi)發(fā)了業(yè)界首款基于 CXL 的 DRAM 技術(shù)，引領(lǐng)下一代內(nèi)存的商業(yè)化。開(kāi)發(fā)兩年后，三星宣布計(jì)劃開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于 CXL 的 128GB DRAM。

三星最近在 HBM 芯片開(kāi)發(fā)方面落后于 SK 海力士。他們表示，為了避免在 CXL 開(kāi)發(fā)中重蹈覆轍，這家科技巨頭似乎正在積極爭(zhēng)取在市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。將積極利用 CXL 內(nèi)存模塊 (CMM) 等新型接口，這將有助于實(shí)現(xiàn)內(nèi)存帶寬和容量可以根據(jù)運(yùn)營(yíng)需求無(wú)縫擴(kuò)展。

今年 5 月，三星發(fā)出其首款支持 Compute Express Link（CXL）2.0 的 128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾至強(qiáng)平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。「作為 CXL 聯(lián)盟的董事會(huì)成員，三星電子在 CXL 技術(shù)上一直處于前沿地位，」三星電子新業(yè)務(wù)企劃副總裁 Jangseok Choi 表示，「這一突破性的進(jìn)展強(qiáng)化了我們通過(guò)與全球各地的數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)服務(wù)器和芯片公司合作，進(jìn)一步擴(kuò)大 CXL 生態(tài)系統(tǒng)的決心。」

CXL 2.0 是三星有史以來(lái)第一個(gè)支持內(nèi)存池（Pooling）的產(chǎn)品。內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù)，它將服務(wù)器平臺(tái)上的多個(gè) CXL 內(nèi)存塊綁定在一起，形成一個(gè)內(nèi)存池，使多個(gè)主機(jī)能夠根據(jù)需要從池中動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存。這項(xiàng)新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效，從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強(qiáng)服務(wù)器內(nèi)存中去。

三星電子計(jì)劃于今年年底之前開(kāi)始量產(chǎn)這一最新的 CXL 2.0 DRAM，并準(zhǔn)備推出多種容量的產(chǎn)品，以滿足快速變化的下一代計(jì)算市場(chǎng)，進(jìn)一步加速擴(kuò)大 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。

CXL 作為下一代內(nèi)存可擴(kuò)展設(shè)備，能夠?yàn)楦咝阅芊?wù)器系統(tǒng)中與 CPU 一起使用的加速器、DRAM 和存儲(chǔ)設(shè)備提高效率。由于它與主內(nèi)存（main DRAM）共同使用時(shí)可擴(kuò)大帶寬和容量，該技術(shù)的進(jìn)步有望在人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）等核心技術(shù)，對(duì)處理高速數(shù)據(jù)的需求極大增加的下一代計(jì)算市場(chǎng)引起轟動(dòng)。

今年 10 月中旬，SK 海力士與數(shù)據(jù)處理平臺(tái)公司 HazelCast 合作，發(fā)布了 Compute Express Link（CXL）技術(shù)應(yīng)用白皮書(shū)。SK 海力士公布的實(shí)證結(jié)果表明，通過(guò)使用下一代 CXL 內(nèi)存，可以將數(shù)據(jù)處理能力提高 40% 以上。

SK 海力士通過(guò)擴(kuò)展 CXL 內(nèi)存的帶寬，系統(tǒng)處理速率提高了 40%，超過(guò)了僅使用 DRAM 的系統(tǒng)。此外，延遲時(shí)間提高了 30-50%。這表明，通過(guò)同時(shí)使用 CXL 內(nèi)存，可以節(jié)省 DRAM 的高成本。傳統(tǒng)上，不同的設(shè)備有不同的連接方法。然而，CXL 統(tǒng)一了多個(gè)接口，允許直接設(shè)備連接和共享內(nèi)存。這不僅擴(kuò)展了內(nèi)存容量和性能，還解決了與數(shù)據(jù)處理延遲和速度降低相關(guān)的問(wèn)題。

2022 年 8 月，SK 海力士率先開(kāi)發(fā)了基于 DDR5 DRAM 的 CXL 內(nèi)存樣品。5 月，在美國(guó)內(nèi)華達(dá)州拉斯維加斯舉行的 IT 展會(huì) Dell Technologies World (DTW) 2023 上，也展示了真實(shí)服務(wù)器中的 CXL 內(nèi)存。

CXL 內(nèi)存市場(chǎng)尚未完全成熟，因?yàn)槟軌蚶?CXL 內(nèi)存的 CPU 尚未推出。不過(guò)，英特爾預(yù)計(jì)將在明年上半年發(fā)布其首款商用服務(wù)器 CPU，名為 Sierra Forest。在此之前，三星電子和 SK 海力士計(jì)劃于今年晚些時(shí)候生產(chǎn)下一代 CXL 2.0 內(nèi)存。

這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)，仍在持續(xù)。

閃存技術(shù)：層數(shù)較勁

2023 年 8 月 9 日，SK 海力士宣布，通過(guò) 321 層 4D NAND 樣品的發(fā)布，正式成為業(yè)界首家正在開(kāi)發(fā) 300 層以上 NAND 閃存的公司。

SK 海力士美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的「2023 閃存峰會(huì)」上公布了 321 層 1Tb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND 閃存開(kāi)發(fā)的進(jìn)展，并展示了現(xiàn)階段開(kāi)發(fā)的樣品。

作為業(yè)界首家公布 300 層以上 NAND 具體開(kāi)發(fā)進(jìn)展的公司，SK 海力士宣布，將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。SK 海力士相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：以正在量產(chǎn)的最高級(jí) 238 層 NAND 積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，公司正在有序進(jìn)行 321 層 NAND 的研發(fā)。

321 層 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 層 512Gb 提高了 59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實(shí)現(xiàn)更大存儲(chǔ)容量，進(jìn)而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

此前 SK 海力士在公告中稱，已開(kāi)始量產(chǎn) 238 層 4D NAND 閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。

SK 海力士強(qiáng)調(diào)：「公司以 238 層 NAND 閃存為基礎(chǔ)，成功開(kāi)發(fā)適用于智能手機(jī)和 PC 的客戶端 SSD（Client SSD）解決方案產(chǎn)品，并在 5 月已開(kāi)始量產(chǎn)。公司在 176 層甚至在 238 層產(chǎn)品，都確保了成本、性能和品質(zhì)方面的世界頂級(jí)競(jìng)爭(zhēng)力，期待這些產(chǎn)品在下半年能夠起到改善公司業(yè)績(jī)的牽引作用?！?/p>

據(jù)介紹，238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb，號(hào)稱比上一代的速度快 50%，并且改善了約 20% 的讀寫性能。

SK 海力士表示，計(jì)劃在完成智能手機(jī)客戶公司的驗(yàn)證后，首先向移動(dòng)端產(chǎn)品供應(yīng) 238 層 NAND 閃存，隨后將其適用范圍擴(kuò)大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固態(tài)硬盤（SSD）和數(shù)據(jù)中心級(jí)高容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品等。

SK 海力士在 2018 年研發(fā)的 96 層 NAND 閃存就導(dǎo)入了 4D 方式，采用電荷捕獲型技術(shù) (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC（Peri. Under Cell）技術(shù)。相比 3D 方式，4D 架構(gòu)號(hào)稱具有單元面積更小、生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點(diǎn)。

據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星準(zhǔn)備明年開(kāi)始生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 技術(shù)的產(chǎn)品，將超過(guò) 300 層，繼續(xù)沿用雙堆棧架構(gòu)。

所謂雙堆棧架構(gòu)，即在 300mm 晶圓上先生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 閃存堆棧，然后在原有基礎(chǔ)上再構(gòu)建另一個(gè)堆棧。超過(guò) 300 層的第 9 代 V-NAND 技術(shù)將提高 300mm 晶圓生產(chǎn)的存儲(chǔ)密度，使得制造商能夠生產(chǎn)更低成本的固態(tài)硬盤，或者讓相同存儲(chǔ)密度及性能的固態(tài)硬盤變得更便宜。據(jù)了解，三星為了保證產(chǎn)量，可能會(huì)在第 10 代 V-NAND 技術(shù)上引入三堆棧架構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到 430 層。這意味著會(huì)增加原材料的使用量，并增加每個(gè) 3D NAND 晶圓的成本。去年三星在「Samsung Tech Day 2022」上提出的長(zhǎng)期愿景是，到 2030 年會(huì)將層數(shù)提高至 1000 層。

本是同根生

三星和 SK 海力士看似打的不可開(kāi)交，其實(shí)也是「一根繩上的螞蚱」，本質(zhì)同根生。

無(wú)論是三星還是 SK 海力士對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)的依賴程度都很高，并且有不少芯片產(chǎn)能都放在中國(guó)大陸。三星和 SK 海力士在中國(guó)無(wú)錫、青島等地都擁有芯片工廠，根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，三星和 SK 海力士有近半的芯片產(chǎn)能都在中國(guó)大陸，不僅如此中國(guó)市場(chǎng)也是三星和 SK 海力士最主要的海外市場(chǎng)之一。

然而美國(guó)的「限制」讓三星和海力士苦不堪言。三星和 SK 海力士在中國(guó)市場(chǎng)上的出貨也受到了限制。例如此前美光被中國(guó)相關(guān)部門部分禁售的時(shí)候，三星和 SK 海力士就曾被美國(guó)要求不得擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

就在前不久，三星和 SK 海力士被拜登列入到最終驗(yàn)證名單當(dāng)中，獲得了所謂的永久豁免權(quán)。其在中國(guó)大陸的工廠將可以從美設(shè)備廠商處獲得設(shè)備，并且芯片出貨的限制在一定程度上也被放開(kāi)。這件事不僅讓人們意識(shí)到三星和 SK 海力士本就是一根繩上的螞蚱，更是應(yīng)該齊心協(xié)力擺脫外部障礙的最佳搭檔。

為了促進(jìn)存儲(chǔ)回暖，三星電子和 SK 海力士宣布對(duì) DRAM 和 NAND 閃存芯片漲價(jià) 10%-20%。供應(yīng)商為了緩解虧損，開(kāi)始降低產(chǎn)能和投資，減少供應(yīng)量。這樣一來(lái)，供需關(guān)系逐步改善，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格也出現(xiàn)了止跌回升的跡象。