今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。

DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴(kuò)大產(chǎn)線

當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%，每瓦性能提升33%。

近期，美光又帶來了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，該系列內(nèi)存具有高達(dá) 8000 MT/s 的速度，適用于服務(wù)器和工作站平臺。該款芯片同樣采用美光的1β 技術(shù)，能源效率提高達(dá)24%，延遲降低高達(dá)16%。此外，美光計劃2024年開始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號，未來將推出 8000 MT/s 的型號。

另一家存儲大廠三星則致力于提升DDR5產(chǎn)能。此前媒體報道三星計劃擴(kuò)產(chǎn)高附加值DRAM，將繼續(xù)投資先進(jìn)DRAM芯片的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，并擴(kuò)大研發(fā)支出，以鞏固其長期市場領(lǐng)導(dǎo)地位。

最新消息報道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星內(nèi)部正在考慮擴(kuò)大DDR5生產(chǎn)線。鑒于DDR5的高價值及其在PC和服務(wù)器市場的采用，今年基本上被視為“DDR5的大規(guī)模采用年”。

HBM：擴(kuò)產(chǎn)潮開啟、營收有望顯著成長

AI大勢之下，HBM熱度有增無減，供不應(yīng)求態(tài)勢持續(xù)。為持續(xù)滿足供應(yīng)，存儲大廠積極擴(kuò)產(chǎn)。

近期，媒體報道三星電子等廠商正計劃將HBM產(chǎn)量提高至2.5倍。此外，11月初，媒體還報道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計追加投資7000億-1萬億韓元。 

美光方面，11月6日該公司宣布臺灣地區(qū)臺中四廠正式啟用。美光表示，臺中四廠將整合先進(jìn)探測與封裝測試功能，量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品，從而滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及云端等各類應(yīng)用日益增長的需求。

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢研究顯示，HBM是高端AI芯片上搭載的存儲器，主要由三大供應(yīng)商三星、SK海力士與美光供應(yīng)。隨著AI熱潮帶動AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產(chǎn)能。展望2024年，HBM供給情況有望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉(zhuǎn)至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產(chǎn)品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。