向電動汽車的加速轉(zhuǎn)型推動汽車充電系統(tǒng)取得了重要的創(chuàng)新成果，這愈發(fā)需要更具成本效益的高性能功率電子器件。為此，英飛凌科技股份公司近日推出QDPAK封裝，進一步擴展其650 V CoolMOS? CFD7A產(chǎn)品陣容。與行業(yè)熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封裝的產(chǎn)品系列具有同等的散熱能力，但電氣性能更高，能夠在車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)高效的能源利用。

高效且強大的電動汽車充電系統(tǒng)有助于縮短充電時間、減輕汽車重量、提高設計靈活性并降低汽車的總體擁有成本。這一新產(chǎn)品系列通過頂部和底部冷卻封裝實現(xiàn)了多種功能和優(yōu)勢特性，是對現(xiàn)有CoolMOS CFD7A產(chǎn)品系列的有效補充。QDPAK TSC（頂部冷卻）封裝使設計人員能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度和更佳的PCB空間利用率。

650 V CooMOS CFD7A

650 V CoolMOS CFD7A提供了支持在高壓應用中可靠運行的多項重要功能。由于降低了寄生電感，該器件可以最大程度地減少電磁干擾（EMI），確保清晰的信號和穩(wěn)定的性能。開爾文源極引腳提高了電流檢測的精度，即使在惡劣條件下也能保證測量的準確性。該器件具有適合高壓應用的爬電距離，以及在25°C溫度環(huán)境下高達694 W的大電流能力和高功率耗散（Ptot）能力，是一款適用于各種高壓應用的強大通用器件。

采用基于QDPAK TSC封裝的650 V CoolMOS CFD7A器件，進行新系統(tǒng)設計，將最大限度地利用PCB空間，使功率密度加倍，并通過板級去耦加強散熱管理。這種方法簡化了裝配、避免了電路板堆疊，并減少了對連接器的需求，從而降低了系統(tǒng)成本。該電源開關可降低高達35%的熱阻，提供比標準冷卻解決方案更優(yōu)的高功率耗散能力。

該特性克服了在底部冷卻SMD設計中采用FR4 PCB所帶來的熱限制，顯著提高了系統(tǒng)性能。經(jīng)過優(yōu)化的電源環(huán)路設計將驅(qū)動器置于電源開關附近，通過降低雜散電感和芯片溫度來提高可靠性?？傊?，這些特性有助于構建一個具有高成本效益、穩(wěn)健、高效的系統(tǒng)，能夠很好地滿足現(xiàn)代化的充電需求。

正如2023年2月所宣布的，適合高功率應用的QDPAK TSC封裝已注冊為JEDEC標準，通過統(tǒng)一的標準封裝設計和占板面積，推動TSC封裝在新型設計中的廣泛采用。為進一步加快這一轉(zhuǎn)型，英飛凌還將于2024年發(fā)布更多用于車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器的、采用QDPAK TSC封裝的車規(guī)級器件，例如750 V CoolSiC?器件和1200 V CoolSiC?器件等。

供貨情況

650 V CoolMOS CFD7A器件采用了QDPAK封裝，共有兩個版本，分別采用了頂部冷卻（TSC）封裝和底部冷卻（BSC）封裝兩種形式。兩個版本現(xiàn)在均可訂購。