基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時代。這項(xiàng)技術(shù)為太陽能和家用熱泵等可再生能源應(yīng)用帶來諸多優(yōu)勢，進(jìn)一步加強(qiáng)了Nexperia為可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)前沿器件技術(shù)的承諾。該技術(shù)還適用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用，如伺服驅(qū)動器、開關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器和電信應(yīng)用。

Nexperia的創(chuàng)新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術(shù)，無需內(nèi)部焊線，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設(shè)計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進(jìn)一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應(yīng)用設(shè)計，無需復(fù)雜的柵極驅(qū)動器和控制電路，只需使用標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動器即可輕松驅(qū)動這些器件。Nexperia的GaN技術(shù)提高了開關(guān)穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的R_DS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導(dǎo)通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認(rèn)識到，工業(yè)和可再生能源設(shè)備的設(shè)計人員需要一種高度穩(wěn)健的開關(guān)解決方案，以便在進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換時實(shí)現(xiàn)出色的熱效率。因此Nexperia決定將其級聯(lián)GaN FET的優(yōu)異開關(guān)性能與其CCPAK封裝的優(yōu)越熱性能結(jié)合起來，為客戶提供杰出的解決方案?！?/span>