本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)理念，可作為了解該器件在特定應(yīng)用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應(yīng)，將簡要解讀產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中公布的熱數(shù)據(jù)和曲線。

了解熱網(wǎng)絡(luò)

對于外部條件可能出現(xiàn)極端變化的汽車應(yīng)用而言，了解并準(zhǔn)確估計(jì)器件的熱響應(yīng)是一個(gè)長期存在的挑戰(zhàn)。以瞬態(tài)或連續(xù)溫度波動(dòng)形式表現(xiàn)的超過器件熱容量的熱過應(yīng)力，是該領(lǐng)域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經(jīng)常觀察到這種瞬態(tài)。此外，隨著硅特征幾何形狀、芯片和封裝尺寸不斷縮小，產(chǎn)生“熱斷裂”的可能性越來越大。這需要全面了解器件的熱響應(yīng)和外部因素的影響，例如器件安裝情況、應(yīng)用板、外圍熱源/熱匯等。從設(shè)計(jì)角度看，布局、結(jié)構(gòu)和保護(hù)特性（包含在器件中）應(yīng)考慮對目標(biāo)應(yīng)用中熱性能的影響。本部分描述上述內(nèi)部和外部因素在確定和/或?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)所需熱行為方面的作用。此外，本部分還會(huì)解釋量化熱性能的相關(guān)指標(biāo)以及相應(yīng)的示例性數(shù)據(jù)表規(guī)格。最后將討論限流和熱關(guān)斷（絕對和差分）等保護(hù)特性的設(shè)計(jì)理念，以及由此帶來的熱性能改進(jìn)。

熱阻——物理解釋

在半導(dǎo)體行業(yè)中，瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)熱阻參數(shù)常被用來量化器件的熱性能。此參數(shù)通常在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中的某一組條件下指定。而在數(shù)學(xué)上，此參數(shù)被描述為 °C/W，即施加于器件的功率所造成的溫度變化；該物理表示類似于其電學(xué)上的對應(yīng)物——通過產(chǎn)生熱勢（類似于電壓）來阻礙/抵抗熱流（類似于電流）的量。圖69描繪了逐層結(jié)構(gòu)，即應(yīng)用中的熱勢分割器階梯。

圖69：應(yīng)用中的熱阻物理階梯

在解釋上面的分層結(jié)構(gòu)之前，假設(shè)功率脈沖被施加到器件上。在這種情況下，器件和“周圍環(huán)境”的溫度將升高，熱量將開始以熱通量的形式流動(dòng)。一旦電源關(guān)閉，溫度便開始下降，最終達(dá)到穩(wěn)態(tài)或平衡。

現(xiàn)在，假設(shè)通過器件的電流密度均勻且沒有表面缺陷，那么器件的結(jié)將觀察到最大溫度擺幅。由于結(jié)被限制在相當(dāng)淺的深度，因此在近表面區(qū)域可觀察到最高溫度。在電流密度不均勻的情況下，近表面區(qū)域的一部分會(huì)導(dǎo)通更多電流，從而產(chǎn)生熱點(diǎn)（可能會(huì)不可逆地?fù)p壞芯片），這使得我們難以模擬平均結(jié)溫。熱通量路徑中的下一層統(tǒng)稱為“硅”，包括基板、外延層和任何植入物（不在結(jié)附近）。芯片的厚度對實(shí)現(xiàn)所需的熱性能起著關(guān)鍵作用，尤其是在短時(shí)間的功率事件中（這將在后面討論）。芯片越厚，熱量流出器件所需的時(shí)間就越長，熱通量遇到的熱阻就越大。這就需要權(quán)衡參數(shù)，因?yàn)樾枰^大的外延厚度來支持所需的擊穿電壓并確保晶圓的機(jī)械穩(wěn)定性（尤其是對于大直徑晶圓）。此外，基板的材料、有無體積缺陷也會(huì)影響熱量從器件流出。例如，相比于硅基板，在絕緣硅片基板上實(shí)現(xiàn)的器件具有更低的漏電流，閂鎖可能性更小，但熱阻更高。另一方面，SiC（碳化硅）之類的材料具有比 Si 更高的熱導(dǎo)率。因此，決定基板的材料和物理特性時(shí)，應(yīng)該考慮最終器件的期望熱性能。

在基板之后，階梯中的下一層是背面金屬，接著是焊料。安森美高邊 SmartFET 系列中的所有產(chǎn)品都有背面漏極觸點(diǎn)，以通過將電流密度分布在整個(gè)基板接觸區(qū)域來管理高功率需求。金屬的選擇也決定了熱阻。圖69所示的結(jié)構(gòu)假設(shè)漏極端子有一個(gè)背面凸耳或“裸露焊盤”連接（根據(jù)器件和技術(shù)的不同，它可能存在也可能不存在）。這通常是利用焊料作為凸耳的導(dǎo)電芯片連接來實(shí)現(xiàn)的。焊料層的厚度應(yīng)均勻，并與漏極觸點(diǎn)共形。焊料中的空隙是已知的會(huì)導(dǎo)致高瞬態(tài)熱阻的故障模式。在源極側(cè)，源極觸點(diǎn)的功率金屬化和焊線組決定并限制了器件的熱性能。在凸耳層（包括引線框架、模塑料和封裝）之前，假設(shè)熱流模型為一維（這是合理的），熱流垂直流動(dòng)。這一點(diǎn)之前的熱阻統(tǒng)稱為θJunction-Case，或稱為θJunction?Pin（如果沒有背面裸露焊盤），或稱為θJunction–Soldering Point。一旦熱量開始流出封裝，則還需要考慮所關(guān)注器件附近的任何其他熱源傳入的橫向熱通量，該模型可能會(huì)變成三維熱流網(wǎng)絡(luò)，這通常更難分析和估計(jì)。然而，這一假設(shè)并不總是適用于多通道器件，因?yàn)橄噜復(fù)ǖ揽赡軙?huì)導(dǎo)通功率并將熱量橫向散發(fā)到芯片中，從而使分析變得復(fù)雜。封裝層之后，安裝和應(yīng)用條件決定熱阻。相關(guān)因素包括焊料量、應(yīng)用PCB上的銅散熱器面積、走線的長度和寬度、PCB中的層數(shù)、用于熱導(dǎo)通的內(nèi)部平面、應(yīng)用PCB和ECU外殼之間使用的環(huán)氧樹脂（如有）的特性等。了解數(shù)據(jù)表曲線部分討論了其中一些因素對系統(tǒng)熱阻的影響。將所有這些階梯的電阻貢獻(xiàn)相加，即得到應(yīng)用的結(jié)至環(huán)境總熱阻。

上面討論的階梯結(jié)構(gòu)內(nèi)的熱流范圍取決于脈沖時(shí)序和占空比。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和仿真結(jié)果，估計(jì)對于最長數(shù)百微秒的單脈沖功率事件，芯片有源面積、技術(shù)和物理特性決定了熱阻，外部應(yīng)用環(huán)境對短脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi)的熱響應(yīng)的貢獻(xiàn)非常小。隨著（單）脈沖周期延長，引線框架、封裝、模塑料等開始對熱性能產(chǎn)生影響。對于幾毫秒的脈沖周期，這種影響通常很明顯。對于長達(dá)幾秒鐘的較長脈沖周期，應(yīng)用條件（如上段所述）對熱阻的影響更大。當(dāng)系統(tǒng)在長脈沖周期（通常超過100秒）內(nèi)達(dá)到平衡時(shí)，器件本身對穩(wěn)態(tài)熱阻的貢獻(xiàn)非常小，熱性能僅取決于測試條件。應(yīng)注意的是，這些時(shí)間周期只是估計(jì)值，而且假設(shè)所施加的脈沖周期和功率水平完全在針對器件定義的邊界條件內(nèi)，并且不會(huì)干擾針對保護(hù)電路定義的閾值，例如熱關(guān)斷。

重復(fù)功率脈沖事件情況下的熱阻取決于占空比。根據(jù)占空比的不同，功率脈沖中積累的熱量可能會(huì)也可能不會(huì)“結(jié)轉(zhuǎn)”到后續(xù)脈沖，這會(huì)使分析更加復(fù)雜。此外，電功率波和隨后的熱波之間有一個(gè)時(shí)間滯后，這點(diǎn)在重復(fù)脈沖事件的熱分析過程中必須考慮。參見下面示例性器件上的假設(shè)功率曲線對應(yīng)的仿真熱波。

圖70：任意功率曲線的熱波滯后的仿真

改善瞬態(tài)熱性能

如上一部分所述，相對較短時(shí)間（通常限于幾毫秒）內(nèi)的瞬態(tài)熱阻更多地取決于器件，而不是應(yīng)用條件。這里的“器件”包括來自芯片和封裝的貢獻(xiàn)。決定芯片的幾何和物理特性的主要考慮是為了優(yōu)化性能參數(shù)，如導(dǎo)通損耗和擊穿電壓，因此芯片本身幾乎沒有任何改進(jìn)的余地來提高熱能力。另一方面，封裝改進(jìn)相對更站得住腳，與單脈沖和重復(fù)脈沖改進(jìn)相比，它能顯著改善瞬態(tài)熱性能。

某些安森美高邊SmartFET（取決于技術(shù)和應(yīng)用要求）集成了一個(gè)用于漏極端子的裸露焊盤或耳片連接，以改善散熱。圖 71 顯示了流經(jīng)裸露焊盤的熱流。與尺寸相似的、漏極連接使用引腳分配或引腳組合（通過焊線焊接到背面漏極）的器件相比，裸露焊盤連接提供更好的瞬態(tài)熱性能。

圖71：漏極端子有裸露焊盤情況下的熱流

有了裸露焊盤，應(yīng)用 PCB 上的焊料和散熱器面積也會(huì)增加，從而實(shí)現(xiàn)額外的散熱，幫助改善更長脈沖持續(xù)時(shí)間（>1秒）情況下的散熱。

除了漏極端子之外，功率流路徑中的另一個(gè)節(jié)點(diǎn)是源極端子。源極觸點(diǎn)、頂部功率金屬和引線框架的外合 (bond-out) 都會(huì)影響瞬態(tài)熱性能，從而決定器件的最大功率處理能力。大部分功耗發(fā)生在結(jié)深較淺的地方，因此必須考慮源極頂部金屬的熱導(dǎo)率和厚度，尤其是在設(shè)計(jì)高功率密度器件時(shí)。一些高功率安森美SmartFET采用銅頂部金屬代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鋁合金，以改善熱阻。如果器件的RDS(ON)極低（如NCV84004A、NCV84006A等），與“后端技術(shù)”（包括焊線）相關(guān)的間接電損耗往往會(huì)限制器件的參數(shù)性能。對于此類器件，“銅夾片”形式的焊接替代方案可提供出色的電氣和熱性能。銅夾片覆蓋功率 FET 的整個(gè)有源區(qū)域，并瞬間將熱量從硅片傳遞到引線框架，從而起到頂部散熱器的作用。

雖然對低RDS(ON)的高功率器件有利，但在高功耗的情況下，銅夾片布局和放置對于芯片的穩(wěn)定性而言是一個(gè)重大問題。銅夾片邊緣周圍的任何未暴露區(qū)域都可能產(chǎn)生局部熱點(diǎn)，成為熱失控的場所。對于控制電路位于控制邏輯旁邊、饋通信號(hào)布線的空間狹窄的單片器件，解決這一問題尤為重要。布局一個(gè)銅夾片并保持其在整個(gè)FET區(qū)域上的一致性通常是很有挑戰(zhàn)性的。在這種情況下，應(yīng)探索改善熱性能的其他途徑，包括但不限于改變頂部金屬疊層的組成和厚度、增加焊線的數(shù)量和/或厚度。

此外，對于功率需求較低的器件，由于可用于焊接的硅面積較小，銅夾片放置還面臨經(jīng)濟(jì)和技術(shù)限制。這些器件采用焊線將漏極和源極連接到引線框架。通過采用多條焊線，以及（在某些情況下）為每條這樣的焊線使用多次縫合，可以增強(qiáng)熱性能。還應(yīng)用了其他封裝增強(qiáng)方法，例如：改善模塑料化學(xué)特性，以及優(yōu)化焊接參數(shù)以避免產(chǎn)生“熱破裂”。

總之，焊接類型和頂部金屬疊層取決于可制造性的難易程度和特定器件所需的電熱性能。

數(shù)據(jù)表參數(shù)和規(guī)格

熱阻——物理解釋部分說明了熱阻的物理解釋。此解釋盡管對于了解熱網(wǎng)絡(luò)是必不可少的，但可能無法進(jìn)行建模、仿真以及在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中從數(shù)學(xué)上加以規(guī)定，從而量化和比較器件的熱性能。

Foster和Cauer網(wǎng)絡(luò)

出于數(shù)據(jù)表的目的，對于給定的芯片和封裝，瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)熱測量是在實(shí)驗(yàn)室設(shè)置條件下的受控環(huán)境中進(jìn)行的，熱阻是通過記錄已知功率脈沖引起的溫度變化來測量的。這種溫度變化通常通過分析預(yù)校準(zhǔn)片內(nèi)溫度計(jì)的參數(shù)變化——例如功率 FET 的體二極管的正向壓降——來測量。該溫度計(jì)在空間上應(yīng)該靠近結(jié)；在某些情況下，它是專門制造的，用來模擬熱剖面。在固定溫度時(shí)，熱接地（對于結(jié)至環(huán)境測量，其為環(huán)境；對于結(jié)至外殼/結(jié)至引腳測量，其為外殼/引腳）通過強(qiáng)制對流和散熱保持穩(wěn)定（以快速消散系統(tǒng)接地的熱量）。此外，利用 SPICE、ANSYS 等可用建模工具對器件進(jìn)行熱仿真。完成測量并繪制圖形后，建立一個(gè)數(shù)學(xué)R-C仿真模型來擬合該測量曲線。圖 72 顯示了仿真的Foster R-C網(wǎng)絡(luò)。

圖72：Foster R-C網(wǎng)絡(luò)模型

R和C的連接使得階梯中的每個(gè)“梯級(jí)”具有唯一的時(shí)間常數(shù)，其中：

（公式18）

每個(gè)梯級(jí)的貢獻(xiàn)與其時(shí)間常數(shù)成反比；隨著系統(tǒng)向穩(wěn)態(tài)發(fā)展，時(shí)間常數(shù)越長的梯級(jí)貢獻(xiàn)越大。盡管如此，但Foster網(wǎng)絡(luò)中的電阻和相應(yīng)的時(shí)間常數(shù)沒有物理意義，即它們與熱阻——物理解釋部分中描述的物理梯形結(jié)構(gòu)不相關(guān)。此外，階梯中梯級(jí)的順序和數(shù)量也是任意的，并且可以改變。換言之，F(xiàn)oster階梯是擬合實(shí)測熱阻曲線的純數(shù)學(xué)模型。梯級(jí)數(shù)越多，精度越高，相對于實(shí)際曲線的誤差系數(shù)越小。使用Foster模型的優(yōu)點(diǎn)是易于仿真。一旦一個(gè)器件有了R-C網(wǎng)絡(luò)，那么為該系列中的其他器件創(chuàng)建R-C模型（從而生成瞬態(tài)熱阻曲線）就相對容易，只需改變仿真模型的輸入，如功率FET的器件有源面積、總硅面積等。梯形圖中R的總和就是系統(tǒng)的結(jié)至環(huán)境總熱阻。

另一類R-C階梯是Cauer網(wǎng)絡(luò)，如下圖73所示。在該網(wǎng)絡(luò)中，電容全都連接到系統(tǒng)的熱接地，每個(gè)階梯中的 R 和 C 與物理梯形結(jié)構(gòu)直接相關(guān)。從階梯中可以直觀地觀察到，靠近結(jié)的梯級(jí)將首先充電（熱意義上），朝向接地的梯級(jí)只有當(dāng)上面的梯級(jí)發(fā)生熱量飽和時(shí)才會(huì)充電。因此，靠近結(jié)的梯級(jí)可以與器件和封裝相關(guān)，而靠近環(huán)境地的梯級(jí)可以與外部應(yīng)用條件（如 PCB）相關(guān)，但器件與其外圍之間沒有明確的界限。

圖73：Cauer R-C網(wǎng)絡(luò)模型

雖然Cauer網(wǎng)絡(luò)階梯中的電阻總和也能得出總熱阻，但各個(gè)梯級(jí)與Foster網(wǎng)絡(luò)不同。通過觀察Cauer R-C網(wǎng)絡(luò)的相應(yīng)變化，可以更好地認(rèn)知系統(tǒng)條件的變化（幾個(gè)具有相似時(shí)間常數(shù)的物理貢獻(xiàn)因素與其數(shù)學(xué)等價(jià)物之間的關(guān)系相當(dāng)復(fù)雜）。Cauer網(wǎng)絡(luò)一般很難建模，也很難從一個(gè)器件轉(zhuǎn)置到另一個(gè)器件，而且它一般是利用已知算法根據(jù)其 Foster 對應(yīng)網(wǎng)絡(luò)來計(jì)算。

安森美高邊SmartFET系列的數(shù)據(jù)表可能包括也可能不包括這些R-C模型，具體取決于特定產(chǎn)品。然而，這些模型可以根據(jù)客戶的具體要求提供。

了解數(shù)據(jù)表曲線

除非另有說明，數(shù)據(jù)表列出了穩(wěn)態(tài)結(jié)至環(huán)境熱阻和結(jié)至外殼/引腳/焊點(diǎn)的熱阻，同時(shí)給出了瞬態(tài)熱阻圖。應(yīng)注意的是，這些熱阻是根據(jù)一組應(yīng)用和安裝條件指定的，如PCB銅散熱器面積和厚度、FR4面積、電路板層數(shù)等。公布的曲線僅在這些條件下有效，如果應(yīng)用條件與數(shù)據(jù)表中提到的條件不同，則不應(yīng)使用這些曲線來估算結(jié)溫。按照同樣的思路，任何比較分析（安森美產(chǎn)品組合內(nèi)的比較或與競爭器件的比較）只有在測試條件一致的情況下才能提供可靠結(jié)果。為此，應(yīng)當(dāng)遵循規(guī)定電路板幾何形狀和特性的某些標(biāo)準(zhǔn)，例如JEDEC JESD 51-3、51-7等。關(guān)于描述熱阻時(shí)遵循的一組條件，請參考相應(yīng)的產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。以圖74為例，考慮NCV84160的結(jié)至環(huán)境瞬態(tài)熱阻曲線：

圖74：瞬態(tài)熱阻示例性曲線-NCV84160

應(yīng)注意的是，θ和R(t)可以互換使用，二者均用于描述器件的熱阻。上圖描繪了單個(gè)脈沖和一個(gè)PWM功率脈沖序列（由占空比定義）對應(yīng)的熱阻。測量條件指定單層PCB，F(xiàn)R4面積為4.8cm*4.8cm，正面 1 盎司銅散熱器面積約為200mm2（一般只考慮漏極和源極端子），背平面覆蓋有 1 盎司銅散熱器，沒有內(nèi)部平面。此外，假設(shè)被測器件附近沒有其他熱源在工作，否則這些熱源可能影響系統(tǒng)的熱剖面。走線/測試線的長度、過孔（如果有）的布置、測試板的方向和環(huán)境溫度的穩(wěn)定性（通常通過強(qiáng)制對流實(shí)現(xiàn)）也是已知的會(huì)影響熱響應(yīng)的因素，當(dāng)然還有許多其他因素。因此，熱阻規(guī)格僅在上述條件下有效，而不能普遍適用于任何其他應(yīng)用條件。為了量化應(yīng)用條件變化的影響，圖75中的曲線描繪了同一器件 (NCV84160) 在與以上所述相同的條件下的熱阻，但正面銅散熱器面積從200mm2變?yōu)樽钚『副P（銅區(qū)僅存在于封裝引腳的焊點(diǎn)處）。

圖75：瞬態(tài)熱阻示例性曲線-NCV84160，

正面銅面積為最小焊盤

在這種情況下，正面銅散熱器面積減少200mm2，穩(wěn)態(tài)熱阻增加約16%。再舉一例，F(xiàn)R4 面積增加約75%，預(yù)計(jì)會(huì)使穩(wěn)態(tài)電阻降低約7%（如圖73所示，F(xiàn)R4特性一般與非常長的時(shí)間常數(shù)相關(guān)，只有在脈沖持續(xù)時(shí)間較長的情況下才會(huì)有明顯的影響）。此處提供的數(shù)據(jù)僅對這種特定情況有效，不應(yīng)擴(kuò)展到其他器件，因?yàn)闇y試條件和對熱阻的相應(yīng)影響可能不同。

假設(shè)在特定應(yīng)用中，測試條件與圖74中公布的曲線所依據(jù)的條件相同，那么可通過下述近似計(jì)算來估計(jì)假想電感切換環(huán)境中的平均結(jié)溫。

考慮切換1 mH電感，峰值電流為5A，環(huán)境溫度為25°C，電池電壓為14V。忽略輸出導(dǎo)通路徑中的串聯(lián)電阻（這在實(shí)際應(yīng)用中不一定如此）。下面的理想化波形集描述了這種情況：

圖76：假想電感切換事件的理想化波集-計(jì)算結(jié)溫

使用下面的公式計(jì)算tON和tAVAL，結(jié)果分別為約0.38ms 和約0.16ms。

（公式19）

（公式20）

這樣，充電和雪崩事件期間的平均功耗可以分別近似為2W和80W。這些功率水平的計(jì)算假設(shè)在充電和放電循環(huán)期間電流具有理想直線衰減曲線。在實(shí)際應(yīng)用中，平均功率水平應(yīng)該直接測量（大多數(shù)測量設(shè)備可以執(zhí)行數(shù)學(xué)運(yùn)算來輸出測量功率），而不是進(jìn)行這些近似計(jì)算。

現(xiàn)在，參考圖74中的一組曲線，x 軸定義功率脈沖的時(shí)間周期，y軸指定不同占空比操作下的熱阻。從單脈沖曲線外推熱阻，在約0.38ms（充電周期）時(shí)熱阻約為 1.2°C/W，可以計(jì)算出溫升為1.2*2~2.4°C。對放電事件進(jìn)行類似的外推，可以計(jì)算出溫升為0.8*80~64°C。將該溫升與環(huán)境溫度相加，SCIS事件結(jié)束時(shí)的結(jié)溫為25+2.4+64~92°C。

在重復(fù)開關(guān)的情況下，應(yīng)參考占空比曲線，而不是單脈沖曲線。例如，如果圖76中的電感以100Hz的頻率切換，則時(shí)間周期為10ms。充電和放電事件的占空比分別為0.38/10~3.8% 和0.16/10~1.6%?？梢詫@些曲線進(jìn)行插值以獲得估計(jì)的熱阻，并且可以用與上述類似的方式計(jì)算結(jié)溫。

這里的計(jì)算假設(shè)感應(yīng)充電和放電事件具有一個(gè)平均矩形功率剖面當(dāng)量，這并不完全準(zhǔn)確，也不一定在每個(gè)應(yīng)用中都成立。上述計(jì)算的目的是演示熱阻曲線的解釋和使用。如果對動(dòng)態(tài)溫度變化感興趣，則需要將瞬時(shí)功率剖面輸入計(jì)算器，后者采用 Foster R-C 模型，并使用一組公式進(jìn)行分段積分，以估計(jì)相應(yīng)的溫度剖面。這種剖面可以根據(jù)客戶的具體請求提供。

所有上述計(jì)算和R-C網(wǎng)絡(luò)中展示的是結(jié)至環(huán)境熱阻模型，這是因?yàn)樗趯?shí)際場景中更有意義。雖然結(jié)至外殼（或結(jié)至引腳）熱阻似乎是估算結(jié)溫的便捷工具，只需記錄功率事件期間的外殼溫度，但使用已公布的結(jié)至外殼熱阻數(shù)字可能會(huì)造成誤導(dǎo)。結(jié)至外殼測量背后的前提是假設(shè)器件的“外殼”被視為“熱接地”，無論結(jié)溫如何動(dòng)態(tài)變化，它都應(yīng)保持在固定的已知溫度。這種條件在實(shí)踐中很難實(shí)現(xiàn)，在短暫瞬變中幾乎不可能實(shí)現(xiàn)，因?yàn)橥鈿囟入S著動(dòng)態(tài)功率水平的變化而搖擺不定。此外，大多數(shù)溫度記錄器件（如熱電偶）的響應(yīng)時(shí)間遠(yuǎn)高于汽車 PWM 應(yīng)用中施加的典型功率瞬變，因此很難預(yù)測準(zhǔn)確的外殼溫度。相比之下，結(jié)至環(huán)境熱阻更可靠，因?yàn)樵趧?dòng)態(tài)功率變化的情況下，我們可以更精確地控制環(huán)境溫度（通過適當(dāng)?shù)纳岷褪芸貧饬鳎?/p>

設(shè)計(jì)理念——保護(hù)特性

安森美高邊SmartFET中的保護(hù)特性（尤其是限流和溫度關(guān)斷）的設(shè)計(jì)考慮了器件的熱性能。低功耗器件采用線性限流和熱驅(qū)動(dòng)的重試策略，而在密集技術(shù)上實(shí)現(xiàn)的高功率器件使用更精確的限流峰值檢測關(guān)斷和基于定時(shí)器的重試策略。從布局角度看，對芯片的熱圖進(jìn)行仿真以評估該區(qū)域?qū)κ┘拥墓β首蠲舾校ň蜏囟茸兓裕┑牟糠?。溫度檢測結(jié)構(gòu)的布局是為了優(yōu)化：a) 最大芯片溫度；b) 傳感器相對于芯片上最大溫度的線性度；c) 差分溫度檢測所需的變化量，以限制瞬態(tài)熱應(yīng)力。在整合了銅夾片以覆蓋有源源極區(qū)域的器件中，這些傳感器的布置變得更具挑戰(zhàn)性。電流檢測結(jié)構(gòu)的布局也考慮了電流密度分布的均勻性，同時(shí)避免形成制約通道，防止在芯片上產(chǎn)生熱點(diǎn)。除布局外，這些保護(hù)特性的模擬控制電路還需要針對所需的熱性能進(jìn)行設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)該電路時(shí)，主要考慮控制激活閾值和電路元件的溫度系數(shù)。