Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC? 柵極驅(qū)動(dòng)器:進(jìn)一步擴(kuò)展其mSiC 解決方案,加速高壓SiC 電源模塊采用
萬(wàn)物電氣化推動(dòng)了碳化硅 (SiC)技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車(chē)等中高壓應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛采用。為了幫助開(kāi)發(fā)人員部署SiC解決方案并快速推進(jìn)開(kāi)發(fā)流程,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出采用Augmented Switching? 專(zhuān)利技術(shù)的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器采用預(yù)配置模塊設(shè)置,開(kāi)箱即用,可顯著縮短設(shè)計(jì)和評(píng)估時(shí)間。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202402/455668.htm為了加快產(chǎn)品上市,這款即插即用的解決方案已經(jīng)完成了柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證等復(fù)雜的開(kāi)發(fā)工作。XIFM 數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器是一種結(jié)構(gòu)緊湊的解決方案,具備數(shù)字控制、集成電源和可提高抗噪能力的堅(jiān)固光纖接口。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有預(yù)配置的“開(kāi)/關(guān)”柵極驅(qū)動(dòng)曲線(xiàn),可量身定制以?xún)?yōu)化模塊性能。
它具有10.2 kV初級(jí)到次級(jí)強(qiáng)化隔離,內(nèi)置監(jiān)控和保護(hù)功能,包括溫度和直流鏈路監(jiān)控、欠壓鎖定(UVLO)、過(guò)壓鎖定(OVLO)、短路/過(guò)流保護(hù)(DESAT)和負(fù)溫度系數(shù) (NTC)。這款柵極驅(qū)動(dòng)器還符合鐵路應(yīng)用的重要規(guī)范EN 50155標(biāo)準(zhǔn)。
Microchip碳化硅業(yè)務(wù)部副總裁Clayton Pillion表示:“隨著碳化硅市場(chǎng)的不斷發(fā)展和對(duì)更高電壓極限的不斷突破,Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC柵極驅(qū)動(dòng)器等交鑰匙解決方案,使電源系統(tǒng)開(kāi)發(fā)商更容易采用寬帶隙技術(shù)。與傳統(tǒng)模擬解決方案相比,該解決方案通過(guò)預(yù)配置柵極驅(qū)動(dòng)電路,可將設(shè)計(jì)周期縮短 50%。”
Microchip在SiC器件和電源解決方案的開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和支持等方面擁有20多年的豐富經(jīng)驗(yàn),能夠幫助客戶(hù)輕松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC?產(chǎn)品可提供最低的系統(tǒng)成本、最快的上市時(shí)間和最低的風(fēng)險(xiǎn)。Microchip 的 mSiC? 產(chǎn)品包括具有標(biāo)準(zhǔn)、修改和定制選項(xiàng)的 SiC MOSFET、二極管和柵極驅(qū)動(dòng)器。
供貨
3.3 kV XIFM即插即用mSiC柵極驅(qū)動(dòng)器現(xiàn)已上市。
評(píng)論