4月2日消息，據(jù)湖北九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯(lián)合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”技術。

據(jù)介紹，該研究通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極?。s為0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。

且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。

作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數(shù)。

當半導體制造節(jié)點進入到100nm甚至是10 nm以下，如何產生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發(fā)做技術儲備。

上述具有自主知識產權的光刻膠體系在產線上完整了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優(yōu)化，實現(xiàn)了從技術開發(fā)到成果轉化的全鏈條打通。