近日，臺(tái)積電在年度技術(shù)論壇北美場發(fā)布埃米級A16先進(jìn)制程，2026年量產(chǎn)，不僅較競爭對手英特爾Intel 14A，以及三星SF14都是2027年量產(chǎn)早，且臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)A16還不需用到High-NA EUV，成本更具競爭力，市場樂觀看待臺(tái)積電進(jìn)入埃米時(shí)代第一戰(zhàn)有豐碩戰(zhàn)果。

臺(tái)積電A16量產(chǎn)時(shí)間與成本或?qū)㈩I(lǐng)先競爭對手

根據(jù)臺(tái)積電表示，A16先進(jìn)制程將結(jié)合超級電軌（Super PowerRail）與納米片晶體管，2026年量產(chǎn)。超級電軌將供電網(wǎng)絡(luò)移到晶圓背面，晶圓正面釋出更多訊號網(wǎng)絡(luò)空間，提升邏輯密度和效能，適用復(fù)雜訊號布線及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高效能運(yùn)算（HPC）產(chǎn)品。

相較臺(tái)積電N2P制程，A16相同Vdd（工作電壓）下，速度增加8%~10%，相同速度功耗降低15%~20%，芯片密度提升高達(dá)1.1倍，支援?dāng)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

另外，因?yàn)锳I芯片公司迫切希望最佳化設(shè)計(jì)，以發(fā)揮臺(tái)積電制程全部性能，因此，臺(tái)積電也認(rèn)為不需用到阿斯麥（ASML）最新高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV來生產(chǎn)A16制程芯片。此外，臺(tái)積電還展示2026年啟用的超級電軌供電，從芯片背面供電，可以幫助AI芯片加速運(yùn)行。

英特爾Intel 14A延續(xù)“四年五節(jié)點(diǎn)”布局

今年2月，英特爾公布“四年五節(jié)點(diǎn)”后Intel 14A制程，導(dǎo)入High-NA EUV生產(chǎn)后，Intel 14A會(huì)比Intel 18A能耗效率提升15%，晶體管密度會(huì)提升20%。強(qiáng)化版Intel 14A-E也會(huì)在Intel 14A基礎(chǔ)上提升5%能耗。照計(jì)劃，Intel 14A最快2026年量產(chǎn)，Intel 14A-E要到2027年。

而近日，英特爾也宣布完成業(yè)界首臺(tái)商用高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)設(shè)備（High NA EUV）組裝。由光刻技術(shù)大廠阿斯麥TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻設(shè)備，開始多項(xiàng)校準(zhǔn)，2027年啟用、生產(chǎn)Intel 14A制程。英特爾強(qiáng)調(diào)，當(dāng)High-NA EUV光刻設(shè)備與自家晶圓代工服務(wù)的其他領(lǐng)先制程技術(shù)相結(jié)合時(shí)，打印尺寸比現(xiàn)有EUV機(jī)臺(tái)縮小1.7倍，因2D尺寸縮小，密度提高2.9倍，協(xié)助英特爾推展制程藍(lán)圖。

三星SF1.4增加納米片，改善性能與功耗

相對于臺(tái)積電與英特爾，媒體報(bào)導(dǎo)，三星兩年前在Samsung Foundry Forum 2022就層公布先進(jìn)制程藍(lán)圖，埃米級SF1.4（1.4納米）2027年量產(chǎn)。三星高層透露，正在開發(fā)SF1.4納米片量從三個(gè)增至四個(gè)，有望改善性能和功耗。

三星2022年6月宣布量產(chǎn)SF3E（3納米GAA）后，導(dǎo)入全新GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)，今年公布SF3（3納米GAP）第二代3納米制程，使用第二代多橋通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET），原有SF3E基礎(chǔ)上性能最佳化，還有性能增強(qiáng)型SF3P（3GAP+），適合制造高性能芯片。到2025年，三星會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)SF2（2納米）制程，2027年量產(chǎn)SF1.4（1.4納米）制程。

三星希望增加每個(gè)晶體管納米片數(shù)量，強(qiáng)化驅(qū)動(dòng)電流、提高性能，更多納米片允許更高電流通過晶體管，增強(qiáng)開關(guān)能力和操作速度。更多納米片也更能控制電流，有助減少漏電，降低功耗。改善電流控制，代表晶體管產(chǎn)生更少熱量。