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          解決補(bǔ)能焦慮,安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布

          作者: 時(shí)間:2024-06-14 來(lái)源:安森美 收藏

          800V車(chē)型刷屏,高壓車(chē)載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上,近期有越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構(gòu)車(chē)型的量產(chǎn),多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標(biāo)配車(chē)型上市。2024年,隨著車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn),將進(jìn)一步拉動(dòng)滲透。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202406/459906.htm

          SiC迎來(lái)800V高壓平臺(tái)風(fēng)口

          ◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車(chē)主流

          電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn),安森美(onsemi)電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅(qū)方案部門(mén)產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購(gòu)買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性,800V高壓架構(gòu)憑借其在續(xù)航提升與快充能力方面的顯著優(yōu)勢(shì),成為最佳應(yīng)對(duì)之道。

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          ◆ SiC如何輕松拿捏應(yīng)用?

          部分采用800V架構(gòu)的國(guó)產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)已具備“充電5分鐘,續(xù)航200公里”的超快補(bǔ)能能力。這背后離不開(kāi)SiC器件在主驅(qū)中的廣泛應(yīng)用,研究顯示,由IGBT向SiC的切換可使效率提升2%至5%。SiC之所以能在高壓環(huán)境下展現(xiàn)出如此顯著的優(yōu)勢(shì),主要?dú)w功于其獨(dú)特的材料屬性。比如,更寬的帶隙,更高的電子遷移率,更高的擊穿電壓,更高的硬度和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。

          ◆ SiC供大于求?

          安森美電源方案事業(yè)部副總裁兼汽車(chē)主驅(qū)方案部門(mén)總經(jīng)理Bret Zahn表示:“至少到2024年,SiC市場(chǎng)出現(xiàn)供應(yīng)過(guò)剩的可能性較小。究其原因,主驅(qū)逆變器對(duì)SiC器件的質(zhì)量、電流輸出能力和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求極高,目前具備成熟SiC模塊生產(chǎn)能力的企業(yè)仍屬少數(shù),真正能夠?qū)⑵鋺?yīng)用于主驅(qū)逆變器的產(chǎn)品則更為稀缺?!?/p>

          ◆ 垂直整合=SiC穩(wěn)定供應(yīng)

          垂直整合能力是保證產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)的法寶,安森美在收購(gòu)上游SiC供應(yīng)企業(yè)GTAT后,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合,是世界上為數(shù)不多能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商,包括SiC球生長(zhǎng)、襯底、外延、器件制造、同類(lèi)最佳的集成模塊和分立封裝方案。得益于穩(wěn)定的供應(yīng)能力與領(lǐng)先的技術(shù)能力,安森美已經(jīng)與新勢(shì)力(如極氪,理想)和傳統(tǒng)車(chē)企(如奔馳、寶馬和大眾等)達(dá)成了深度合作。

          兩大關(guān)鍵詞解讀VE-Trac?

          ◆ 主驅(qū)逆變器與VE-Trac?,絕配

          基于在SiC領(lǐng)域豐富的經(jīng)驗(yàn),安森美推出了專(zhuān)為電動(dòng)車(chē)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的車(chē)規(guī)級(jí)VE-Trac?系列,包括VE-Trac? Direct SiC(1.7 m? Rdson, 900 V 6-pack),VE-Trac? Direct SiC(2.2 m? Rdson, 900 V 6-pack),VE-Trac? B2 SiC(2.6 m? Rdson, 1200 V 半橋)功率模塊。

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          ◆ 燒結(jié)工藝

          為了達(dá)到最佳的散熱效果,安森美VE-Trac? Direct SiC采用最新的銀燒結(jié)工藝,將SiC裸芯直接燒結(jié)在DBC上,DBC焊接到Pin Fin底板,底板下是冷卻液,這樣,芯片結(jié)和冷卻液之間的直接冷卻路徑有助于大大減少間接冷卻的熱阻,從而確保更大的功率輸出。

          ◆ 壓鑄模封裝技術(shù)

          差異化的壓鑄模封裝技術(shù),比傳統(tǒng)的凝膠模塊可靠性更高,功率密度更高,雜散電感更低,散熱性能更好,易于擴(kuò)展功率,更具成本優(yōu)勢(shì)。

          安森美擁有完整的主驅(qū)逆變器解決方案組合,包括IGBT和 SiC 技術(shù),因此OEM和tier1可以為其應(yīng)用找到合適的逆變器半導(dǎo)體解決方案。此外,安森美的高性能功率產(chǎn)品還廣泛應(yīng)用于OBC和DC-DC應(yīng)用中,加速汽車(chē)電氣化進(jìn)程。



          關(guān)鍵詞: SiC 逆變器 功率模塊

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