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          因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

          作者: 時間:2024-08-13 來源:IT之家 收藏

          IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見聞報道稱,SK 已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱, DDR5 漲價主要是因為 3/3E 產(chǎn)能擠占。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202408/461979.htm

          今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能,這表明價格已經(jīng)不太可能下降;再加上下半年是傳統(tǒng)旺季,預(yù)計價格會有所上漲。

          ▲ SK DDR5 DRAM

          IT之家今日早些時候還有報道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即將在 2024~2025 年推出。而從下代 1d nm 節(jié)點開始,先進(jìn)內(nèi)存將使用 EUV 多重曝光,大幅提升生產(chǎn)流程中 EUV 光刻環(huán)節(jié)的成本。




          關(guān)鍵詞: 海力士 HBM 存儲

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