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          美芯片禁令失算!日媒:中國大陸只落后臺積電這么少

          作者: 時間:2024-08-27 來源:中時電子報 收藏

          美國對大陸下達(dá),反而推動中國大陸芯片業(yè)驚人大躍進(jìn),根據(jù)「日經(jīng)新聞」報導(dǎo),大陸芯片業(yè)實(shí)力持續(xù)進(jìn)步,目前只差臺積電3年水平。而美國出口管制的目標(biāo),是想讓大陸在芯片競賽中落后長達(dá)10年的時間。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202408/462402.htm

          報導(dǎo)引述半導(dǎo)體調(diào)查公司TechanaLye社長清水洋治說法指出,大陸半導(dǎo)體實(shí)力僅落后臺積電3年,他以華為2024年4月開賣的最新智能手機(jī)「Huawei Pura 70 Pro」應(yīng)用處理器(AP)「KIRIN 9010」,以及華為「KIRIN 9000」為例,「KIRIN 9010」是由華為旗下海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、加上中芯采用7納米技術(shù),「KIRIN 9000」則是海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、采用臺積電2021年時的5納米制程量產(chǎn)。

          清水洋治續(xù)指,中芯采用7納米量產(chǎn)的芯片,該款芯片面積118.4平方毫米,與臺積電5納米芯片面積107.8平方毫米差距不大,不過處理性能幾乎相同,雖然兩者在良率上有落差,但從出貨的芯片性能來看,中芯的實(shí)力只落后臺積電3年,尤其中芯采用7納米技術(shù),卻能和臺積電5納米性能同等,代表海思半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)能力已進(jìn)一步提升。

          另以華為Pura 70 Pro為例,其搭載37個主要半導(dǎo)體產(chǎn)品,海思半導(dǎo)體就負(fù)責(zé)14個,其他陸廠負(fù)責(zé)18個,非陸制產(chǎn)品僅有5個,包括DRAM和運(yùn)動傳感器是由SK Hynix、Bosch生產(chǎn),代表該產(chǎn)品高達(dá)86%半導(dǎo)體為大陸自制。

          清水洋治最后總結(jié),美國政府的管制只是稍微拖慢大陸的技術(shù)革新,反而刺激了大陸芯片產(chǎn)業(yè)的自主化。

           




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