Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，便于無縫集成。

標(biāo)桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達(dá)到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類似的性能。

優(yōu)越的性能表現(xiàn)與器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片(Copper Clip)，這意味著功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側(cè)是漏極散熱片，另一側(cè)是源極夾片。優(yōu)化后的設(shè)計(jì)無需引線鍵合，進(jìn)而可降低導(dǎo)通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進(jìn)熱性能。

CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側(cè)重于高效率和高可靠性的耗電工業(yè)應(yīng)用，包括無刷直流(BLDC)電機(jī)控制、開關(guān)電源(SMPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和可再生能源存儲(chǔ)。這類單個(gè)大功率封裝的MOSFET可減少并聯(lián)需求、簡化設(shè)計(jì)，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。

Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)開發(fā)的新型MOSFET (ASFET)，主要用于為日益增強(qiáng)的AI服務(wù)器實(shí)現(xiàn)熱插拔操作。這些器件的安全工作區(qū)(SOA)經(jīng)過強(qiáng)化，可在線性模式轉(zhuǎn)換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。 

本系列器件提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，讓相關(guān)應(yīng)用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因?yàn)槟承崦舾衅骷拗贫鵁o法直接通過PCB進(jìn)行散熱的設(shè)計(jì)。 

Nexperia產(chǎn)品部總經(jīng)理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場(chǎng)領(lǐng)先的性能，但我們知道，一些客戶對(duì)于采用相對(duì)較新的封裝進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)仍猶豫不決。為此，我們已經(jīng)向JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織注冊(cè)了CCPAK1212，參考編號(hào)為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時(shí)，我們就采用了類似的方法，因此現(xiàn)在市場(chǎng)上有許多兼容的器件。當(dāng)創(chuàng)新能夠?yàn)榭蛻魟?chuàng)造真正的價(jià)值時(shí)，市場(chǎng)很快就會(huì)給予響應(yīng)?！?nbsp;

所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具支持，包括熱補(bǔ)償仿真模型。Nexperia還將傳統(tǒng)的PDF數(shù)據(jù)手冊(cè)升級(jí)成了用戶友好型交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，其中新增了一項(xiàng)“圖形轉(zhuǎn)csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個(gè)器件關(guān)鍵特性背后的數(shù)據(jù)。這不僅簡化了設(shè)計(jì)流程，而且增強(qiáng)了對(duì)設(shè)計(jì)選擇的信心。

Nexperia計(jì)劃將CCPAK1212封裝應(yīng)用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車規(guī)級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合，以實(shí)現(xiàn)超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)不斷變化的需求。