STM32-FSMC機制的NOR Flash存儲器擴展技術
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對于異步突發(fā)訪問方式，FSMC主要設置3個時間參數(shù)：地址建立時間(ADDSET)、數(shù)據(jù)建立時間(DATAST)和地址保持時間(ADDHLD)。FSMC綜合了SRAM／ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號特點，定義了4種不同的異步時序模型。選用不同的時序模型時，需要設置不同的時序參數(shù)，如表2所列。在實際擴展時，根據(jù)選用存儲器的特征確定時序模型，從而確定各時間參數(shù)與存儲器讀／寫周期參數(shù)指標之間的計算關系；利用該計算關系和存儲芯片數(shù)據(jù)手冊中給定的參數(shù)指標，可計算出FSMC所需要的各時間參數(shù)，從而對時間參數(shù)寄存器進行合理的配置。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202625.htm
3 STM2擴展S29GL系列NOR Flash實例
3．1 S29GL系列NOR Flash簡介
Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術制造的高集成度NOR Flash存儲芯片，提供16～128 MB可選容量，支持最快25 ns的頁訪問速度和11O ns的隨機訪問速度，帶有最大64字節(jié)的寫緩沖區(qū)，以提供更快、更高效的編程，是嵌入式系統(tǒng)設計中大容量存儲器擴展的理想選擇。本文選用的型號為S29GL512P，容量為512×64K字(總容量64 MB)，擴展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個子BANK。
3．2 STM32與S29GL512P的電路連接
S25GL512P可通過控制引腳BYTE選擇對芯片的訪問單位(字／字節(jié))，區(qū)別在于：
①對于芯片引腳DQ15，字模式時傳送最高數(shù)據(jù)位D15；字節(jié)模式時傳送最低地址A-1。
②字模式時，數(shù)據(jù)引腳D0～D15上傳送數(shù)據(jù)信號；字節(jié)模式時，只有D0～D7上有信號。
此處，將BYTE上拉到高電平，選擇16位的字訪問單位。FSMC數(shù)據(jù)線FSMC_D[15：0]與S29GL512P的D15～D0對應連接；FSMC地址線FSMC_A[25：0]的低25根與S29GL512P的地址線A[24：0]對應連接。
由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可確定其片選線應連接FSMC片選控制線FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳，提供等待信號。
3．3 FSMC的配置
根據(jù)S29GL512P的映射位置，需要對FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器進行配置。
(1)FSMC_BCR2
配置S29GL512P的讀／寫采用統(tǒng)一時間參數(shù)，只需要設置時間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲器類型為NORFlash，數(shù)據(jù)總線寬度為16位(字)，不采用地址／數(shù)據(jù)復用，使能BANK1的子BANK2。
(2)FSMC_BTR2
由表2可知，異步NOR Flash時序模型Mode2／B需要設置時間參數(shù)DATAST和ADDSET。根據(jù)時序圖，兩個參數(shù)的計算公式如下：
式中：Twc和Trc為所選存儲芯片的寫周期長度和讀操作周期長度；Twp為所選存儲芯片的寫信號持續(xù)長度。根據(jù)S29GL512P用戶手冊，可知參數(shù)Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。設STM32微控制器采用72 MHz主頻，則HCLK=(1／72×10-6)s。通過上述公式計算，可取值為：DATAST=2，ADDSET=5。
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