三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。

目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。

最新消息是，KAIST的研究人員探索了一種新的解決方案——利用鉿鐵電體的鐵電特性來開發(fā)更小、更高效的電容器和存儲(chǔ)設(shè)備，有助于三星實(shí)現(xiàn)千層NAND技術(shù)，使PB級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）目標(biāo)不遠(yuǎn)。

盡管三星并沒有直接參與研發(fā)，但市場(chǎng)消息稱與其有直接關(guān)系，雖然還不能確定Hafnia Ferroelectrics是否會(huì)導(dǎo)致PB級(jí)存儲(chǔ)器設(shè)備誕生，但可能發(fā)揮主導(dǎo)作用，最終達(dá)到里程碑。