隨著IT技術的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經難以滿足這些需要了。

傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM(Static Random Access Memory)和動態(tài)存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下失去所保存的數(shù)據(jù)。

非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。

相對于其他類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型問搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。同傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有功耗小、讀寫速度快、抗輻照能力強等優(yōu)點，因此受到很大關注。

2 鐵電存儲器工作原理

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。

因此，在一個外加電場下，鐵電材料的極化特性會發(fā)生改變，當這個電場去掉以后，這個信息仍然能夠保存。沒有外加電場的情況下，極化特性有兩種穩(wěn)定的狀態(tài)。圖1是一個鐵電材料電容的電滯回線，顯示了鐵電電容在所加不同電場的情況下的不同極性。其中，最重要的兩個參數(shù)是剩余極化程度Pr，和矯頑場Ec。在沒有電場強度的情況下，+／-Pr就表示了“0”、“1”兩個狀態(tài)。為了獲得這兩個狀態(tài)，所加電場必須大于+／-Ec，因此，所需要的閾值電壓也就確定了。

相比之下，鐵電電容的漏電流沒有EEPROM、FLASH之類的傳統(tǒng)非易失性存儲器那么重要，因為FeRAM的信息存儲是由極化來實現(xiàn)的，而不是自由電子。

3 鐵電材料簡介

理想的鐵電材料需要滿足如下特點：

?介電常數(shù)小；

?合理的自極化程度(～5μC／cm2)；

?高的居里溫度(在器件的存儲和工作溫度范圍之外)；

?鐵電材料厚度要薄(亞微米)以使矯頑場Ec較??；

?能夠承受一定的擊穿場強；

?內在開關速度要快(納秒級別)；

?數(shù)據(jù)的保持能力和持久能力要好；

?如果是軍方使用的話，還要求能夠抗輻照；

?化學穩(wěn)定性要好；

?加工均勻性好；

?易于集成到CMOS工藝中去；

?對周圍電路無不良影響；

?污染小等。

經過多年的研究，目前主流的鐵電材料主要有以下兩種：PZT、SBT。

PZT是鋯鈦酸鉛PbZrxTil-xO3；SBT是鉭酸鍶鉍Sr1-yBi2+xTa2O9。這兩種材料的結構示意圖如圖2所示。

PZT是研究最多、使用最廣泛的，它的優(yōu)點是能夠在較低的溫度下制備，可以用濺射和MOCVD的方法來制備，具有剩余極化較大、原材料便宜、晶化溫度較低的優(yōu)點；缺點是有疲勞退化問題，還有含鉛會對環(huán)境造成污染。

SBT最大的優(yōu)點是沒有疲勞退化的問題，而且不含鉛，符合歐盟環(huán)境標準；但是它的缺點是工藝溫度較高，使之工藝集成難度增大，剩余極化程度較小。兩種材料的對比見表1。

目前從環(huán)境保護的角度來說，PZT已經被禁止使用了，但是從鐵電存儲器的性能和工藝集成的難易和成本的角度來說，SBT與PZT相比沒有優(yōu)勢，因此目前關于鐵電材料的選擇還值得探討。

4 鐵電存儲器的電路結構

鐵電存儲器的電路結構主要分成以下三種：2晶體管-2電容(2T2C)、1晶體管-2電容(