安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）進一步拓展其經(jīng)濟高效的高性能功率MOSFET系列，推出新系列的自護式SmartDiscrete™器件，具有先進的集成水平，由公司領先業(yè)界的HDPlus™芯片工藝制造，為要求苛嚴的汽車和工業(yè)應用提供優(yōu)越的性能表現(xiàn)。

這些新型器件是低邊、自鉗位、46伏（V）、48-185毫歐MOSFET，集成了電流限制保護、過熱關斷、過壓保護以及靜電放電（ESD）保護。安森美半導體的HDPlus™芯片工藝以單片式設計在很寬的溫度范圍內(nèi)優(yōu)化性能。供選擇的集成功能，范圍從取代通用3055 MOSFET的業(yè)界首款主動鉗位、ESD保護器件，到帶電流和溫度限制功能的全自護式MOSFET。

安森美半導體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說：“系統(tǒng)設計人員渴望獲得能減少元件數(shù)量、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性并簡化硬件和軟件設計的解決方案。安森美半導體的新型SmartDiscrete™ MOSFET為多種分立器件集成了保護電路，是開發(fā)可靠系統(tǒng)的節(jié)省空間且經(jīng)濟高效的解決方案。”

在功率MOSFET必須經(jīng)受高功率與/或短路情況的應用中，強制需具備保護功能。針對這種需求，安森美半導體的新型SmartDiscrete™ 功率MOSFET的自護式電路設計結合了漏極電流感應與限制。在負載短路的情況下，電流限制電路保護可阻止電流尖峰。如果這種情況持續(xù)下去，溫度電路監(jiān)測接點溫度將在到達某設定點時（典型值為175˚ C）關斷器件。內(nèi)部溫度限制電路設計為在接點溫度降低約15° C時自動接通主MOSFET。器件不斷進行熱循環(huán)，直到短路情況被修正。

該等器件采用低成本、節(jié)省空間的SOT-223和DPAK表面貼裝。