wbg 文章 進(jìn)入wbg技術(shù)社區(qū)
碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)
- 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風(fēng)
- 關(guān)鍵字： WBG SiC 半導(dǎo)體
SiC MOSFET 器件特性知多少？
- 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG
寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體: 切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案
- 減少能源轉(zhuǎn)換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體是一個切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術(shù)對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設(shè)計(jì)人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)，更小更輕的電子設(shè)備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠(yuǎn)。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
- 關(guān)鍵字： 202207 寬帶隙 WBG 意法半導(dǎo)體
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體：切實(shí)可靠的節(jié)能降耗解決方案
- 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 意法半導(dǎo)體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術(shù)改良研發(fā)活動取得的新進(jìn)展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設(shè)計(jì)的動力電機(jī)逆變器、車載充電機(jī)和DC-DC轉(zhuǎn)換器時的嚴(yán)格要求。在高端工業(yè)領(lǐng)域，我們的第三代碳
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 寬帶隙 WBG
碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動
- 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)和許多其他功能。提高電機(jī)驅(qū)動的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
KEMET利用KONNEKT?高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展KC-LINK?系列
- 全球領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商基美電子（“KEMET”），近日繼續(xù)通過使用KONNEKT高密度封裝技術(shù)擴(kuò)展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強(qiáng)其電源轉(zhuǎn)換解決方案，從而滿足業(yè)界對快速開關(guān)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體、EV/HEV、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和無線充電應(yīng)用不斷增長的需求。這項(xiàng)技術(shù)將KC-LINK堅(jiān)固耐用的專有C0G賤金屬電極（BME）電介質(zhì)系統(tǒng)與KONNEKT的創(chuàng)新型瞬態(tài)液相燒結(jié)（TLPS）材料相結(jié)合，創(chuàng)建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應(yīng)用使用，所產(chǎn)生的電容高達(dá)單個多層陶瓷電容器的四
- 關(guān)鍵字： WBG BME TLPS
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。快速本征二
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
SiC器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀
- 眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關(guān)性能。可用的標(biāo)準(zhǔn)模塊越來越多，而且有越來越多的新先進(jìn)技術(shù)通過實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)、降低熱阻與提高可靠性來提高產(chǎn)品價(jià)值。器件技術(shù)SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計(jì)
- 關(guān)鍵字： WBG RdsA
安森美半導(dǎo)體將在EV China 2019展示電動汽車和助推邁向自動駕駛的技術(shù)
- 汽車領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動汽車(EV)，并采用將最終實(shí)現(xiàn)全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續(xù)開發(fā)和推出器件及集成的系統(tǒng)方案，以使強(qiáng)固、可靠并完全符合最新汽車標(biāo)準(zhǔn)的高性能電子成分遍及整個車輛。
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 自動駕駛 WBG
| 共11條 1/1 1 |
wbg介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條wbg!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對wbg的理解，并與今后在此搜索wbg的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對wbg的理解，并與今后在此搜索wbg的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
wbg專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473