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          在音頻放大電路中采用D類放大器提高效率

          作者: 時間:2006-11-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          D類音頻放大器已在電路中被廣泛采用,它和過去人們熟悉的放大器在原理上有很大不同,設(shè)計人員必須了解其中的區(qū)別才能更好應(yīng)用在實(shí)際設(shè)計中。本文將對與D類放大器進(jìn)行比較,討論D類放大器高效率實(shí)現(xiàn)原理,并解釋了輸出為脈寬(PWM)波形時還可通過揚(yáng)聲器聽到正常聲音的原因。

          目前在移動電話、平面電視、LCD顯示器以及便攜式游戲設(shè)備等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,已越來越多采用高效率D類放大器,但在很多情況下,設(shè)計人員并不明白消費(fèi)類電子產(chǎn)品內(nèi)部D類放大器的基本工作情況,必須將原來對或線性放大器的有關(guān)知識擴(kuò)展至D類放大器,對放大器理論進(jìn)行重新認(rèn)識。

          效率對比

          D類放大器比AB類放大器的效率要高很多,圖1顯示了兩類放大器在輸出功率變化時功耗變化情況,圖中將4Ω和8Ω的典型AB類放大器與立體聲D類放大器TPA3002D2進(jìn)行對比。D類放大器可為音頻設(shè)計人員帶來兩大好處,如果應(yīng)用由電池供電,那么電池能夠使用更長的時間,因?yàn)榉糯笃骼速M(fèi)的電量會減少;另外如果同時需要較小體積以及較大輸出功率,D類放大器可大幅減少散熱片所占面積甚至取消散熱片。

          從圖1可看到,AB類放大器隨著輸出接近最大輸出功率,其效率會不斷提高,但我們還應(yīng)考慮輸出功率的振幅因數(shù),這與功耗有關(guān),也相當(dāng)重要。振幅因數(shù)是峰值輸出功率與RMS輸出功率之比,即振幅因數(shù)=10log(輸出功率峰值/輸出功率RMS)

          正弦波的振幅因數(shù)為3dB,這意味著對于峰值功率20W的放大器,RMS值將為10W。音頻信號的振幅因數(shù)為12~15dB,這是由于音樂是由不同樂器構(gòu)成,可能生成更大的電壓峰值,如在敲擊樂鼓或彈奏低音吉他時的情況,因此對相同的放大器輸入而言,RMS功率將為1.3W(采用12dB),也就是說比正弦波要低很多。這意味著當(dāng)播放音頻信號時,放大器很多時間都會在圖1的低功率區(qū)域,這時AB類與D類的效率差別很大。以圖1為例,在1.3W輸出功率上,AB類放大器的功耗為7W,而D類放大器的功耗僅為0.9W。



          放大原理

          線性放大器為所需輸出電壓提供固定電流,與橋式(BTL)AB類放大器中輸出電流相等,圖2A顯示了一個簡化的H橋AB類放大器輸出級結(jié)構(gòu)。

          如圖1所示,輸出MOSFET具有不同的電阻,阻值作為放大器輸出電壓的函數(shù)而隨時變化,如漏極-源極電阻就將隨輸出電壓變化而變化。從電源通過的電流在MOSFET中會產(chǎn)生壓降,將該電流乘以MOSFET的壓降就得到了放大器的主要功耗,MOSFET中的功耗是AB類放大器與D類放大器相比效率不高的主要原因所在。

          相比于線性音頻放大器,D類放大器是在給定時間內(nèi)向負(fù)載提供固定量的功率。D類放大器生成PWM信號,使輸出電壓在電源軌上交換,從而在輸出晶體管上產(chǎn)生很小壓降。

          D類放大器H橋中,優(yōu)化的MOSFET在狀態(tài)為“ON”時RDS(ON)(漏極-源極電阻)為零,在狀態(tài)為“OFF”時RDS(OFF)無限大,這樣D類放大器就可從電源向負(fù)載提供等量的功率。由于所有MOSFET都存在一定的RDS(on)以及RDS(off)不可能無限大,會因RDS(on)和RDS(off)產(chǎn)生一定損耗,如圖2B所示,圖中的MOSFET簡化為“ON”或“OFF”開關(guān)。

          從圖2B可以看到,電流從電源通過最初狀態(tài)為“ON”的MOSFET、負(fù)載、并通過后面一個狀態(tài)為“ON”的MOSFET,MOSFET上只會產(chǎn)生較小壓降。分壓電路由RDS(on)、RDS(off)以及輸出負(fù)載或揚(yáng)聲器RL形成,MOSFET的RDS(ON)極小,因此它上面幾乎沒有壓降;而狀態(tài)為“OFF”的MOSFET的RDS(off)值很大,因此幾乎沒有電流通過它們。同AB類放大器相比這里僅有極小的功率被MOSFET消耗掉,因此D類放大器效率是非常高的。

          此外,這些輸出MOSFET開關(guān)頻率通常約為250kHz,之所以采用該頻率是為了減小放大器的總諧波失真(THD)。如果放大器設(shè)置在更低的頻率上,所得的波形將導(dǎo)致較差的THD;而如果開關(guān)頻率上升,則因開關(guān)期間損耗上升會降低放大器的效率。250kHz開關(guān)頻率是THD和效率之間一個很好的均衡。

          D類放大器輸出頻率為250kHz,這將形成如圖4所示的波形。請注意,有的使用揚(yáng)聲器電感器作為存儲元素,往往不再需要較大的LC過濾器。

          圖5顯示了整個負(fù)載上的差動信號。開關(guān)信號并不是音頻信號,但耳朵實(shí)際上是一個低通濾波器,會自然過濾掉所有高于22kHz的頻率。耳朵不能聽出高于22kHz的頻率,所以聽到的將只有音頻信號。

          一般說來,D類放大器都作為整個系統(tǒng)的一部分進(jìn)行設(shè)計,放大器的開關(guān)性質(zhì)會導(dǎo)致對系統(tǒng)其它組件形成EMI干擾,因此我們可能還需要一些更多的過濾。就TI帶有新式方案的5V D類放大器系列而言(如TPA2000D系列),如果從放大器到揚(yáng)聲器的線徑較短,那么無需輸出過濾器即可使用。在實(shí)驗(yàn)室測試中,揚(yáng)聲器線長在10厘米左右時,TPA2005D1不用屏蔽就能通過FCC和CE對輻射標(biāo)準(zhǔn)的要求,但是對于像TPA3000D系列具有更高電壓的D類放大器而言,通常都需要在所有應(yīng)用中采用鐵氧體磁珠過濾器以減小電磁干擾。

          當(dāng)設(shè)計不用LC過濾器就無法通過輻射標(biāo)準(zhǔn),且敏感電路頻率高于1MHz時,可使用鐵氧體磁珠過濾器。這對那些必須通過FCC和CE的電路來說是很好的選擇,因?yàn)檫@些電路只檢測高于30MHz的電磁輻射,而鐵氧體磁珠過濾器在衰減大于30MHz高頻段時的表現(xiàn)要好于LC過濾器。而且選擇的鐵氧體磁珠過濾器在高頻帶有應(yīng)有較高阻抗而DC電阻極低,此外還應(yīng)確保額定電流值為所需音頻輸出電流的兩倍。



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