2013年NANDFlash產(chǎn)業(yè)雖然被DRAM產(chǎn)業(yè)搶進(jìn)鋒頭，但從應(yīng)用面來(lái)看，NANDFlash仍是備受期待，估計(jì)2013年全球NANDFlash產(chǎn)值約246億美元，2014年更上看270億美元，尤其未來(lái)產(chǎn)業(yè)在制程微縮的轉(zhuǎn)折點(diǎn)上，轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NANDFlash技術(shù)，可讓NANDFlash產(chǎn)業(yè)需求更加百花齊放。

　　NANDFlash產(chǎn)業(yè)應(yīng)用備受期待，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce指出，2013年NANDFlash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約246億美元，較2012年成長(zhǎng)22%，2014年NANDFlash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值上看270億美元，固態(tài)硬碟(SSD)將是主要驅(qū)動(dòng)力道，尤其N(xiāo)ANDFlash成本逐年下降，反映制程微縮帶來(lái)的效應(yīng)，將可讓系統(tǒng)廠愿意將更多產(chǎn)品替換成NANDFlash，尤其是眾多行動(dòng)裝置產(chǎn)品。

　　NANDFlash產(chǎn)業(yè)應(yīng)用面擴(kuò)增，技術(shù)也持續(xù)精進(jìn)，有助于滲透率大幅提升。李建梁攝

　　2014年有個(gè)十分受到重視的技術(shù)，就是3D-NANDFlash。NANDFlash制程技術(shù)走的DRAM快很多，目前多數(shù)的記憶體廠在NANDFlash晶片上都轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米、1X奈米制程技術(shù)，先進(jìn)制程已經(jīng)是NANDFlash產(chǎn)業(yè)主流，合計(jì)20奈米和1X奈米占出貨比重達(dá)90%，更朝1Y奈米制程邁進(jìn)，再往下發(fā)展，即使3D-NANDFlash技術(shù)世代來(lái)臨。

　　整體來(lái)看，TrendForce統(tǒng)計(jì)指出，2015年3D-NANDFlash技術(shù)的市占率可提升至20%以上，帶動(dòng)NANDFlash單位成本將呈等比級(jí)數(shù)下滑，讓儲(chǔ)存容量性價(jià)比將可有效提升，這將有助于NANDFlash滲透率再提升。

　　整體來(lái)看，不論是三星電子(SamsungElectronics)的V-NAND技術(shù)生產(chǎn)伺服器用SSD，抓緊云端儲(chǔ)存商機(jī)，東芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)聯(lián)手發(fā)展BiCS技術(shù)，也希望能延續(xù)NANDFlash晶片的制程微縮效應(yīng)，2015年前寄望能以1Y與1Z奈米技術(shù)為3D-NANDFlash的量產(chǎn)化作鋪路。

　　新帝和東芝2013年宣布擴(kuò)建日本三重縣四日市的Fab5，預(yù)計(jì)2014年可陸續(xù)量產(chǎn)，屆時(shí)新制程技術(shù)的比重也是外界關(guān)注焦點(diǎn)。