引言

　　數(shù)字電源目前主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)通信、存儲(chǔ)、服務(wù)器等性能和智能化要求較高的領(lǐng)域。在美國(guó)TI公司等半導(dǎo)體企業(yè)的推動(dòng)下，數(shù)字電源技術(shù)有了快速發(fā)展。

　　業(yè)界都比較認(rèn)同TI公司對(duì)數(shù)字電源所下的定義：

　　數(shù)字電源就是數(shù)字化控制的電源產(chǎn)品，它能提供配置、監(jiān)控和管理功能，并延伸到對(duì)整個(gè)回路的控制。

　　數(shù)字電源具有以下特點(diǎn)：數(shù)字化控制的電源轉(zhuǎn)換，以MCU（微控制器）或DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）為核心，它能實(shí)現(xiàn)PWM（脈寬調(diào)制）穩(wěn)壓回路控制、軟件啟動(dòng)等功能；數(shù)字電源管理，對(duì)電壓和電流等電源輸出進(jìn)行配置的功能；采用整合數(shù)字電源（fusion digital power）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源中模擬組件與數(shù)字組件的優(yōu)化組合，例如，功率級(jí)所用的模擬組件——MOsFET驅(qū)動(dòng)器，可以方便地與數(shù)字電源控制器相連并實(shí)現(xiàn)各種保護(hù)；能達(dá)到很高的技術(shù)指標(biāo)，例如，其PWM分辨力可達(dá)150 ps（10 S～12 S）水平，這是傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源所望塵莫及的；大量的電源管理和一些電源控制功能是通過(guò)PMBus（電源管理總線）實(shí)現(xiàn)的，PMBus是一種開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字電源管理協(xié)議，該協(xié)議是2004年10月由2家世界領(lǐng)先的電源公司Artesyn Technologies和AstecPower，以及6家世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)共同建立。

　　1 數(shù)字電源的硬件設(shè)計(jì)

　　數(shù)字電源屬于開(kāi)關(guān)電源類(lèi)產(chǎn)品，其主要的性能指標(biāo)有：紋波與噪聲、電源轉(zhuǎn)換效率、輸出電壓穩(wěn)定度、保護(hù)與安全特性。性能指標(biāo)數(shù)據(jù)的高低直接影響數(shù)字電源產(chǎn)品的品質(zhì)好壞。本文重點(diǎn)介紹數(shù)字電源的系統(tǒng)組成、PWM穩(wěn)壓回路和電源濾波電路的設(shè)計(jì)。

　　1.1 系統(tǒng)組成

　　數(shù)字電源有MCU控制和DSP控制兩種解決方案。本數(shù)字電源系統(tǒng)采用MCU控制方案，整個(gè)系統(tǒng)由主控制器、PWM穩(wěn)壓回路、電流電壓取樣電路、鍵盤(pán)顯示電路、電源濾波電路等組成，其系統(tǒng)的框圖見(jiàn)圖1。數(shù)字電源的主控制器是深圳宏晶科技有限公司生產(chǎn)、具有A／D 轉(zhuǎn)換和PWM 功能、高速／低功耗STC12C5410AD型單片機(jī)，其內(nèi)部配有10 kB程序存儲(chǔ)器和512 B的RAM。電流電壓的取樣信號(hào)反饋到單片機(jī)的A／D輸入端，經(jīng)數(shù)字信號(hào)處理分析，單片機(jī)輸出PWM信號(hào)，控制PWM穩(wěn)壓回路的功率開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通或截止，經(jīng)功率電感的充放電實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。

　　用戶不僅能從顯示器上觀察到當(dāng)前的電源參數(shù)，還可通過(guò)鍵盤(pán)隨時(shí)修改電源參數(shù)。單片機(jī)通用串行口實(shí)現(xiàn)上位計(jì)算機(jī)與數(shù)字電源之間通信。

　　1.2 PWM 穩(wěn)壓回路設(shè)計(jì)

　　考慮到功率MOSFET的諸多優(yōu)點(diǎn)，PWM穩(wěn)壓回路中的半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件用MOSFET取代晶體管。

　　PWM穩(wěn)壓回路如圖2所示。

　　MOSFET驅(qū)動(dòng)電路是由R1、R2、R3、C2、V1和V2組成，MOSFET管的開(kāi)關(guān)頻率可以很高，所需驅(qū)動(dòng)功率很小，容易驅(qū)動(dòng)，是高頻小功率變換器的理想功率器件。MOSFET管的輸入阻抗很高，其導(dǎo)通和關(guān)斷就相當(dāng)于輸入電容充放電過(guò)程。

　　MOSFET過(guò)高的輸入電容C 對(duì)7}=父轉(zhuǎn)換速度起很甭要的作用，降低C 影響，足MOSFET驅(qū)動(dòng)電路改計(jì)的承點(diǎn)。

　　MOSFET的等效輸入電容為：

　　1.3 電源濾波電路設(shè)計(jì)

　　電源要求輸出盡量小的紋波及噪聲，濾波電容在開(kāi)關(guān)電源中對(duì)抑制電源的紋波及噪聲起著非常露要的作用，選擇品質(zhì)優(yōu)良、ESR（低等效串聯(lián)電阻）的電容是提高濾波效果的關(guān)鍵。

　　根據(jù)開(kāi)關(guān)電源盼沒(méi)計(jì)理論，以降壓BUCK拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器為例，開(kāi)關(guān)電源的紋波電壓AV為：

　　式中，f。 為MOSFET的導(dǎo)通時(shí)問(wèn)；R 為ESR值。

　　從輸出紋波電壓△ .的表達(dá)式導(dǎo)出，在給定的條件下，針對(duì)一個(gè)所期望的頻率范圍來(lái)選擇和R ，選擇比較合適的電感值后，決定輸出電壓紋波大小的主要因素是輸出電容的R 。

　　因低R 電容（如鉭電容和日本三洋OSCON電容）成本較高，所以，本電源系統(tǒng)降低輸出電容R嘞的方法是：在保持輸出電容總?cè)萘坎蛔兊那疤嵯拢言瓉?lái)的一個(gè)電容拆分成幾個(gè)電容的并聯(lián)，這樣，隨著電容容量的減少其 EsR相應(yīng)減少，幾個(gè)電容并聯(lián)后，總的尺是單個(gè)電容的幾分之一；如果選用電容的耐壓值適當(dāng)提高，單個(gè)電容的 可進(jìn)一步降低，這是因?yàn)橥萘康碾娙?，耐壓提高?咖變小。采用以上設(shè)計(jì)方法后，輸出電容的 大幅度下降，輸出電壓紋波明顯減小。

　　電源濾波電路見(jiàn)圖3，符合設(shè)計(jì)要求。