32 位 MCU 性能差異

　　微控制器（MCU）領(lǐng)域如今仍由 8 位和 16 位器件控制，但隨著更高性能的 32 位處理器開始在 MCU 市場(chǎng)創(chuàng)造巨大收益，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面，芯片架構(gòu)師面臨著 PC 設(shè)計(jì)人員早在十年前便遇到的挑戰(zhàn)。盡管新內(nèi)核在速度和性能方面都在不斷提高，一些關(guān)鍵支持技術(shù)卻沒有跟上發(fā)展的步伐，從而導(dǎo)致了嚴(yán)重的性能瓶頸。

　　很多 MCU 完全依賴于兩種類型的內(nèi)部存儲(chǔ)器件。適量的 SRAM 可提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)所需的空間，而 NOR 閃存可提供指令及固定數(shù)據(jù)的空間。

　　在新 32 位內(nèi)核的尺寸和運(yùn)行速度方面，嵌入式 SRAM 技術(shù)正在保持同步。成熟的 SRAM 技術(shù)在 100MHz 的運(yùn)行范圍更易于實(shí)現(xiàn)。對(duì) MCU 所需的典型 RAM 容量來說，這個(gè)速度級(jí)別也更具成本效益。

　　但是標(biāo)準(zhǔn)的 NOR 閃存卻落在了基本 32 位內(nèi)核時(shí)鐘速度之后，幾乎相差一個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)前的嵌入式 NOR 閃存技術(shù)的存取時(shí)間基本為 50ns (20 MHz)。這在閃存器件和內(nèi)核間轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)的能力方面造成了真正的瓶頸，因?yàn)楹芏鄷r(shí)鐘周期可能浪費(fèi)在等待閃存找回特定指令上。

　　標(biāo)準(zhǔn)MCU 執(zhí)行模型——XIP (eXecute In Place)更加劇了處理器內(nèi)核速度和閃存存取時(shí)間之間的性能差距。

　　大容量存儲(chǔ)中的應(yīng)用容錯(cuò)及 SRAM較高的成本是選擇直接從閃存執(zhí)行的兩個(gè)主要原因。存儲(chǔ)在閃存內(nèi)的程序基本不會(huì)被系統(tǒng)內(nèi)的隨機(jī)錯(cuò)誤破壞，如電源軌故障。利用閃存直接執(zhí)行還無需為MCU器件提供足夠的 SRAM，來將應(yīng)用從一個(gè) ROM 或閃存器件復(fù)制至目標(biāo) RAM 執(zhí)行空間。

　　消除差距

　　理想的情況是，改進(jìn)閃存技術(shù)，以匹配32位內(nèi)核的性能。雖然當(dāng)前的技術(shù)有一定的局限，仍有一些有效的方法，可幫助架構(gòu)師解決性能瓶頸問題。

　　簡(jiǎn)單的指令預(yù)取緩沖器和指令高速緩存系統(tǒng)在32位MCU設(shè)計(jì)中的采用，將大大提高M(jìn)CU的性能。下面將介紹系統(tǒng)架構(gòu)師如何利用這些技術(shù)將16位的MCU架構(gòu)升級(jí)至32位內(nèi)核CPU。

　　在 MCU 設(shè)計(jì)中引入 32位內(nèi)核

　　圖 1 介紹了將現(xiàn)有16位設(shè)計(jì)升級(jí)至基本32位內(nèi)核的情況，顯示了新32 位內(nèi)核及其基本外設(shè)集合之間的基本聯(lián)系。由于我們?cè)谟懻搶⑿碌?2位處理器內(nèi)核集成至新的 MCU 設(shè)計(jì)，我們假設(shè)可采用新32位內(nèi)核采用以下規(guī)范。

　　32 位內(nèi)核——改良的哈佛架構(gòu)

　　與很多 MCU 一樣，新的 32位 內(nèi)核也采用改良的哈佛架構(gòu)。因此，程序存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間是在兩個(gè)獨(dú)立的總線構(gòu)架上執(zhí)行。一個(gè)純哈佛設(shè)計(jì)可防止數(shù)據(jù)在程序存儲(chǔ)空間被讀取，該內(nèi)核改良的哈佛架構(gòu)設(shè)計(jì)仍可實(shí)現(xiàn)這樣的操作，同時(shí)，該32位內(nèi)核設(shè)計(jì)還可實(shí)現(xiàn)程序指令在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間的執(zhí)行。

　　在標(biāo)準(zhǔn)總線周期內(nèi)，程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器接口允許插入等待狀態(tài)，有助于響應(yīng)速度緩慢的存儲(chǔ)或存儲(chǔ)映射器件。

　　32位內(nèi)核——工作頻率

　　新內(nèi)核的最高工作時(shí)鐘頻率為120MHz，是被替代的16位內(nèi)核速度的六倍。

　　32位內(nèi)核——指令存儲(chǔ)器接口

　　指令存儲(chǔ)系統(tǒng)接口有一個(gè)32位寬的數(shù)據(jù)總線，以及一個(gè)總共地址空間為1MB的20位寬的地址總線。盡管 32位內(nèi)核具備更大的地址空間，而這足夠滿足這個(gè)MCU的目標(biāo)應(yīng)用空間。標(biāo)準(zhǔn)的控制信號(hào)同樣具備為緩慢的存儲(chǔ)器件插入等待狀態(tài)的能力。

　　該設(shè)計(jì)的閃存器件與16位設(shè)計(jì)采用的技術(shù)一樣，最高運(yùn)行速度達(dá)20 MHz。

　　32 位內(nèi)核——數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器接口

　　系統(tǒng) SRAM 和存儲(chǔ)器映射外設(shè)都通過系統(tǒng)控制器與處理器數(shù)據(jù)總線相連。系統(tǒng)控制器可提供額外的地址解碼及其他控制功能，幫助處理器內(nèi)核正確訪問數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器映射外設(shè)，而無需處理特定的等待狀態(tài)、不同的數(shù)據(jù)寬度或每個(gè)映射到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間的器件的其他特殊需求。

　　系統(tǒng)控制器和處理器內(nèi)核之間的數(shù)據(jù)總線為 32 位寬，與系統(tǒng)控制器和SRAM 間的數(shù)據(jù)總線寬度相同。系統(tǒng)控制器和外設(shè)以及 GPIO 端口間的數(shù)據(jù)總線寬度可為 8 位、16 位或 32 位，視需求而定。

　　目標(biāo)設(shè)計(jì)采用的 SRAM 與 16 位設(shè)計(jì)采用的類型相同，在 120 MHz時(shí)可實(shí)現(xiàn) 0 等待狀態(tài)操作。

　　初步分析

　　目前系統(tǒng)的性能由幾個(gè)因素控制。處理器內(nèi)核與閃存器件速度的差異可極大地影響性能，因?yàn)橹辽儆形鍌€(gè)等待狀態(tài)必須添加到每個(gè)指令提取中。根據(jù)粗粒經(jīng)驗(yàn)法則，至少每十個(gè)指令有一個(gè)讀取或存儲(chǔ)。每條指令加權(quán)平均周期(CPI)的典型順序?yàn)椋?/P>

　　CPI = (9 inst * 6 閃存周期 + 1 inst *1 SRAM周期) / 10 指令

　　CPI = 5.5

　　內(nèi)核的吞吐量由閃存接口的速度決定，因此以前所有的32位內(nèi)核都是數(shù)據(jù)通道寬度的兩倍。

　　在這種情況下，SRAM接口無關(guān)緊要。雖然某些問題很有可能源于存儲(chǔ)接口方面，如中斷延遲和原子位處理，SRAM存儲(chǔ)器的零等待狀態(tài)操作可以忽略。關(guān)注的重點(diǎn)是通過采用目前可用的、具有成本效益的技術(shù)，來提高指令存儲(chǔ)接口的性能。

　　提高CPU內(nèi)核性能——閃存接口

　　來自高性能計(jì)算環(huán)境的一個(gè)通用概念是高速緩存，在主要存儲(chǔ)器件和處理器內(nèi)核之間采用更小及更快的內(nèi)存存儲(chǔ)，可以實(shí)現(xiàn)突發(fā)數(shù)據(jù)或程序指令的更快訪問。

　　設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)高速緩存可能非常復(fù)雜——需要考慮高速緩存標(biāo)記、N-Way級(jí)聯(lián)和普通高速緩存控制等問題——僅關(guān)注程序指令存儲(chǔ)器可讓這項(xiàng)工作變得非常簡(jiǎn)單。這是因?yàn)閷?duì)此特定的 32 位內(nèi)核來說，對(duì)程序存儲(chǔ)器的訪問是一個(gè)嚴(yán)格的只讀操作。在這種情況下，我們只需考慮一個(gè)方向的數(shù)據(jù)流可以減少緩沖器和高速緩存系統(tǒng)的復(fù)雜性。

　　預(yù)取緩沖器

　　增加閃存接口總體帶寬的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是擴(kuò)展處理器和閃存器件間的通道寬度。假定閃存的速度一定，增加帶寬的另外一個(gè)方法是擴(kuò)展接口寬度，以實(shí)現(xiàn)一次提取更多指令，創(chuàng)造一個(gè)更為快速的閃存接口外觀。

　　這是預(yù)取緩沖器的一個(gè)基本前提。它利用了連接閃存的更寬接口的優(yōu)勢(shì)，可在同樣的時(shí)鐘周期數(shù)內(nèi)讀取更大的數(shù)據(jù)量，這通常只要花閃存讀一個(gè)字的時(shí)間。

　　因此，預(yù)取緩沖器還定義了新數(shù)據(jù)通道的最小尺寸，原因顯而易見。

　　圖2.1顯示了我們的120 MHz內(nèi)核連接到20 MHz閃存陣列的情況。采用兩個(gè)系統(tǒng)間的速度比作為起始值，我們可以確定預(yù)取緩沖器、閃存接口讀取的寬度，假設(shè)我們需要在無需等待狀態(tài)的情況下讀取指令。

　　在這種情況下，預(yù)取/閃存數(shù)據(jù)通道將是：

　　(120/20)X32位=192位寬

　　預(yù)取緩沖器控制邏輯不斷對(duì)存取緩沖器的讀取數(shù)進(jìn)行標(biāo)記。最后一次存取后，它將使下一個(gè)周期從閃存重新加載整個(gè)緩沖器。

　　預(yù)取緩沖器控制邏輯還可識(shí)別緩沖器每次進(jìn)入的有效地址。它還將提供適當(dāng)?shù)慕獯a，根據(jù)正確的順序指令顯示處理器數(shù)據(jù)總線，當(dāng)一個(gè)執(zhí)行分支需要完整的新的順序指令時(shí)，將重新加載緩沖器。

　　當(dāng)然，在提取新的指令時(shí)，分支將造成一些額外的延遲。但是由于相比處理器內(nèi)核，預(yù)取緩沖器實(shí)現(xiàn)六合一方法在數(shù)據(jù)通道寬度方面具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)，為該分支問題的最終平衡的結(jié)果付出的代價(jià)是值得的。

　　更多經(jīng)驗(yàn)法則分析都顯示，一個(gè)典型的嵌入式應(yīng)用有20％發(fā)生分支的機(jī)會(huì)，每五個(gè)周期相當(dāng)于一個(gè)分支。采用之前的方法，CPI值現(xiàn)在為：

　　CPI = (4指令*1周期+1指令*6周期)/5指令

　　CPI = 2.0

　　我們已經(jīng)看到利用基本實(shí)現(xiàn)方法，整個(gè)系統(tǒng)周期效率有了大幅提高。

　　圖2.1還顯示了一個(gè)更為現(xiàn)實(shí)解決方案方法，即將六個(gè)獨(dú)立的閃存系統(tǒng)的32位總線加在一起，而不是重新設(shè)計(jì)一個(gè)新的、極寬的數(shù)據(jù)總線閃存系統(tǒng)。預(yù)取緩沖器控制邏輯將自動(dòng)創(chuàng)建六個(gè)連續(xù)的程序地址，然后允許一個(gè)正常的讀取周期同時(shí)訪問所有六個(gè)組。在讀取周期的末尾，預(yù)取緩沖器現(xiàn)在可保持六個(gè)新的指令，而非一個(gè)，模擬的零等待狀態(tài)系統(tǒng)。

　　指令高速緩存

　　形式指令高速緩存賦予預(yù)