基于超低電感器DCR采樣的電流模式開關(guān)電源
當(dāng)電流模式開關(guān)電源與電壓模式開關(guān)電源相比時(shí),前者有幾種優(yōu)勢: (1) 高可靠性,具快速、逐周期電流采樣和保護(hù)能力; (2) 簡單和可靠的環(huán)路補(bǔ)償,全部用陶瓷輸出電容器就可穩(wěn)定;(3) 在大電流多相 (PolyPhase?) 電源中易于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的均流。在大電流應(yīng)用中,電流采樣組件中的功率損耗是一個(gè)令人擔(dān)憂的問題,因此采樣組件的電阻必須盡可能低。問題是低電阻采樣組件會使信噪比降低,因此在大電流和高密度應(yīng)用中,開關(guān)抖動就成了問題。
凌力爾特的 LTC3866 就解決了這個(gè)問題,使用該器件可以建立可靠和電流采樣電阻 0.5mΩ 的電流模式開關(guān)電源。這款單相同步降壓型控制器用內(nèi)置柵極驅(qū)動器驅(qū)動所有 N 溝道電源 MOSFET 開關(guān)。該器件采用一種獨(dú)特的架構(gòu),可提高電流采樣信號的信噪比,從而允許使用 DC 電阻 (DCR) 非常低的功率電感器或電阻值非常低的電流采樣電阻器,以最大限度地提高大電流應(yīng)用的效率。這種特性可降低在 DCR 很低的應(yīng)用中常見的開關(guān)抖動。
這款控制器具備 4.5V 至 38V 的寬輸入范圍;運(yùn)用準(zhǔn)確度為 0.5% 的基準(zhǔn)進(jìn)行遠(yuǎn)端輸出電壓采樣;運(yùn)用電感器 DCR 采樣時(shí),提供可編程和溫度補(bǔ)償?shù)碾娏飨拗?短路軟恢復(fù)時(shí)沒有過沖;芯片過熱停機(jī)。就電信系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療儀器、以及 DC 配電系統(tǒng)而言,LTC3866 為高效率、高功率密度和高可靠性解決方案的設(shè)計(jì)提供了方便。該控制器采用低熱阻 24 引線 4mm x 4mm QFN 和 24 引線裸露焊盤 FE 封裝。
特點(diǎn)
LTC3866 采用恒定頻率峰值電流模式控制架構(gòu),從而可確保逐周期峰值電流限制和不同電源之間的均流。
該器件尤其適用于低壓、大電流電源,因?yàn)槠洫?dú)特的架構(gòu)能提高電流檢測電路的信噪比。這允許 LTC3866 能以由 DCR 非常低 (1mΩ 或更低) 的電感器產(chǎn)生小的采樣信號工作,這在大電流電源中可提高電源效率。提高信噪比可最大限度地減小由開關(guān)噪聲引起的抖動,而這有可能使信號產(chǎn)生訛誤。憑借精心的 PCB 布局,LTC3866 可對低至 0.2mΩ 的 DCR 值采樣,盡管在這種極端情況下,應(yīng)該額外考慮 PCB 和焊料電阻。
圖 1:具超低電感器 DCR 的 LTC3866 電流采樣電路。大電流通路用粗線顯示
如圖 1 所示,LTC3866 有兩個(gè)正的采樣引腳 (SNSD+ 和 SNSA+) 以采集信號,并在內(nèi)部對信號進(jìn)行處理,這在響應(yīng)低壓采樣信號時(shí),可使信噪比改善 14dB (5 倍)。電流限制門限仍然是電感器峰值電流及其 DCR 值的函數(shù),而且可以用 ILIM 引腳以 5mV 的步進(jìn)在 10mV 至 30mV 的范圍內(nèi)準(zhǔn)確設(shè)定。在整個(gè)溫度范圍內(nèi),器件至器件的電流限制誤差僅約為 1mV。
INDUCTOR:電感器
PLACE C1, C2 NEXT TO IC:靠近 IC 放置 C1 和 C2
PLACE R1, R2 NEXT TO INDUCTOR:靠近電感器放置 R1 和 R2
SNSD+ 通路的濾波器時(shí)間常數(shù) R1 x C1 應(yīng)該等于輸出電感器的 L/DCR,而 SNSA+ 通路的濾波器應(yīng)該有 5 倍于 SNSD+ 的帶寬,也就是 R2 x C2 = R1 x C1/5。一個(gè)可選的附加溫度補(bǔ)償電路保證在很寬的溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的電流限制,這在 DCR 采樣中尤其重要。
LTC3866 還具備精確的 0.6V 基準(zhǔn),而且其保證的容限為 ±0.5%,這就可以提供 0.6V 至 3.5V 的準(zhǔn)確輸出電壓。其差分遠(yuǎn)端 VOUT 采樣放大器使 LTC3866 非常適用于低壓、大電流應(yīng)用。
應(yīng)用
圖 2 顯示了一款以非常低的 DCR 完成采樣的高效率、1.5V/30A 降壓型轉(zhuǎn)換器。在這個(gè)設(shè)計(jì)中采用了一個(gè) DCR = 0.32mΩ 的電感器,以最大限度地提高效率。
圖 2:以非常低的 DCR 完成采樣的高效率、1.5V/30A 降壓型轉(zhuǎn)換器
不同工作模式的效率如圖 3 所示。在 12V 輸入電壓時(shí),滿負(fù)載效率高達(dá) 90.3%。與采用 1mΩ 采樣電阻器和具備相同功率級設(shè)計(jì)的電源相比,這大約改善了 1.4%。在沒有任何空氣流動時(shí),熱點(diǎn) (底部 MOSFET) 的溫度僅上升 39.6°C (如圖 4 所示)。在這張圖中,環(huán)境溫度大約為 23.8°C。EFFICIENCY:效率
圖 3:圖 2 電路的效率
Burst Mode? OPERATION:突發(fā)模式 (Burst Mode?) 工作
PULSE-SKIPPING:脈沖跳躍模式
圖 4:圖 2 電路的熱量測試
獨(dú)特的設(shè)計(jì)提高了效率以及噪聲靈敏度。在采用非常低的 0.32mΩ 電感器 DCR 時(shí),最差情況的開關(guān)節(jié)點(diǎn)抖動減輕了 60%,如圖 5 所示。
評論