引言

　　由于市場對于提升信息技術(shù)和通信設(shè)備性能的需求，因此如今的系統(tǒng)設(shè)計人員面臨著必需設(shè)計 EMI 兼容產(chǎn)品的巨大挑戰(zhàn)。在銷售之前，所有通常被規(guī)定為具有一個高于 9kHz 之已調(diào)時鐘信號的信息技術(shù)設(shè)備 （ITE） 都必須滿足相關(guān)的政府標(biāo)準(zhǔn)，例如美國的 FCC Part 15 Subpart B 和歐盟的 EN55022，這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)和商業(yè)環(huán)境 （Class A） 以及家庭環(huán)境 （Class B） 的最大可容許輻射發(fā)射。鑒于此類嚴(yán)格的 EMI 標(biāo)準(zhǔn)、工程人力資源限制和產(chǎn)品快速上市要求，使得通過 EN55022 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證之電源模塊的普及率有所提高。然而重要的是必須知曉電源模塊在認(rèn)證時所處的電氣操作條件，以避免在之后的設(shè)計過程中感到詫異。對開關(guān)模式穩(wěn)壓器中的 EMI 干擾源和場強因子有所了解將有助于設(shè)計工程師選擇最佳的組件，以減輕特別是那些所需電流水平較高之尖端設(shè)備中的電磁輻射。

　　EMI 輻射源

　　由于其特殊的性質(zhì)，開關(guān)電源會產(chǎn)生輻射到周圍大氣中的電磁波。脈沖電壓和電流將因開關(guān)動作而出現(xiàn)，并直接影響輻射電磁波的強度 （見邊欄）。此外，轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的寄生器件也會產(chǎn)生電磁輻射。圖 2 給出了一款典型的降壓型轉(zhuǎn)換器，其包括功率 MOSFET 的寄生電感器和寄生電容器。

　　在每個開關(guān)周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當(dāng)能量釋放時將在開關(guān)節(jié)點 （VSW） 上產(chǎn)生一個很大的電壓尖峰，其最大可達(dá)輸入電壓的兩倍，如圖 3 所示。當(dāng) MOSFET 的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關(guān)動作還使輸入電流以及流過頂端 MOSFET （ITOP） 和底端 MOSFET （IBOT） 的電流產(chǎn)生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和 PCB 板印制線 （其充當(dāng)了發(fā)射天線） 上產(chǎn)生電波，從而產(chǎn)生輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。

　　當(dāng)輸入電壓和輸出電流增加時，每個周期中功率電感器改變極性時開關(guān)節(jié)點上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內(nèi)部產(chǎn)生的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測試器件所處的電氣操作條件。一般來說，輻射噪聲將隨著輸入電壓和輸出功率 （特別是輸出電流） 的提高而增加。由于作為低噪聲替代方案的線性穩(wěn)壓器效率過低，而且在高電壓和高功率級別下耗散過多的熱量，因此設(shè)計工程師不得不克服因采用最先進(jìn)的開關(guān)電源解決方案而引發(fā)的難題，其中的 EMI 抑制變得頗為棘手。

　　用于降低來自開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計的輻射 EMI 之替代方法面臨著其他的難題。一種傳統(tǒng)方法是在電源解決方案周圍增設(shè) EMI 屏蔽，其將在金屬外殼內(nèi)包含一個 EMI 場。然而，EMI 屏蔽會增加設(shè)計復(fù)雜性、尺寸和成本。在開關(guān)節(jié)點上 （VSW） 布設(shè)一個 RC 減振器電路可幫助減小電壓尖峰和后續(xù)的振鈴?？墒牵鲈O(shè)一個減振器電路將降低工作效率，從而增加功率耗散，導(dǎo)致環(huán)境溫度和 PCB 溫度升高。最后一種對策是采取優(yōu)良的 PCB 布局方案，包括使用局部低 ESR 陶瓷去耦電容器，并為所有的大電流通路采用簡短的 PCB 走線間隔，以最大限度地抑制圖 2 中所示的寄生效應(yīng)，不過代價是增加了工程設(shè)計時間并延緩了產(chǎn)品的上市進(jìn)程。

　　總的說來，為了同時滿足尺寸、效率、熱耗散和 EMI 規(guī)格要求，工程師必需具備豐富的電源設(shè)計經(jīng)驗并做出艱難的權(quán)衡取舍，特別是在高輸入電壓、高輸出功率應(yīng)用中 （原因如上所述）。為了評估折衷策略和設(shè)計一款符合 EMI 標(biāo)準(zhǔn)并滿足所有系統(tǒng)要求的電源轉(zhuǎn)換器，電路設(shè)計人員常常需要花費大量的時間和精力。

　　保證符合EMI 標(biāo)準(zhǔn)的解決方案

　　為了對一款簡單和符合 EMI 標(biāo)準(zhǔn)的高輸出功率電源設(shè)計提供保證，凌力爾特公司向一家獨立的認(rèn)證測試實驗室 （TUV Rheinland） 提交了 LTM4613 8A 降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器演示板 （DC1743 ），該實驗室的 10 米 EN55022 試驗箱得到了美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所 （U.S. National Institute of Standards and Technology — NIST） 的正式認(rèn)可。在一個 24V 輸入提供 96W 輸出功率的情況下，發(fā)現(xiàn) LTM4613 演示板符合 EN55022 Class B 限值。只需采用輸入電容、輸出電容和少量的其他小型組件，即可輕松實現(xiàn)一款符合 EN55022 標(biāo)準(zhǔn)的“無憂型”解決方案，特別是在采用可免費下載的 DC1743 光繪 （Gerber） 文件的情況下。

　　在市面上所有經(jīng)驗證符合 EN55022B 規(guī)范的電源模塊產(chǎn)品中，LTM4613 可提供最高的輸出功率和效率。憑借一個謹(jǐn)慎設(shè)計的集成型濾波器、細(xì)致的內(nèi)部布局、屏蔽電感器、內(nèi)部減振器電路和功率晶體管驅(qū)動器，LTM4613 在尺寸、輸出功率、效率和 EMI 輻射之間實現(xiàn)了完美的平衡。LTM4613 與經(jīng) EN55022B 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的 μModule 穩(wěn)壓器系列中其他許多成員 （其具有各種不同的輸出功率級別） 一起免除了增設(shè)磁屏蔽和外部減振器的需要，從而削減了解決方案總體尺寸、成本以及某些麻煩的設(shè)計任務(wù)。

　　總結(jié)

　　針對 EMI 相符性來設(shè)計信息技術(shù)設(shè)備 （ITE） 產(chǎn)品是一項必然要求，它需要超乎尋常的技巧和時間。雖然很麻煩，但是對于保證相鄰電子設(shè)備或系統(tǒng)自身內(nèi)部其他附屬組件的正常功能運轉(zhuǎn)而言，此類限制是至關(guān)緊要的。為滿足這一需求，業(yè)界推出了諸如 LTM4613 等經(jīng)過 EN55022 Class B 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的電源模塊。然而，由于 EMI 場強在很大程度上取決于諸多的因素 （例如：輸入電壓、輸出電流、輸出電壓和 PCB 布局），因此在比較產(chǎn)品時應(yīng)確定：EN55022 認(rèn)證是在相似的電氣條件下進(jìn)行的 （由業(yè)界認(rèn)可的 EMI 測試實驗室在與您的設(shè)計相近的輸入電壓和輸出功率級別下實施）。凌力爾特公布了針對最常見工作條件的 EMI 測試結(jié)果和演示板光繪文件，從而提供了一款由授權(quán)獨立實驗室認(rèn)證的良好電源設(shè)計，這給客戶吃了顆“定心丸”。