色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 介紹低壓差穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)和使用技巧

          介紹低壓差穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)和使用技巧

          作者: 時間:2012-11-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文介紹低壓差(LDO)的以確保其穩(wěn)定工作。我們還討論ADI公司LDO系列產(chǎn)品的設(shè)計特點,這些特點可提供一種保持動態(tài)穩(wěn)定性和直流(DC)穩(wěn)定性的靈活方法。

            問:什么是LDO?如何使用它們?

            答:用于提供一種不隨負(fù)載阻抗、輸入電壓、溫度和時間變化而變化穩(wěn)定的電源電壓。低壓差因其能夠在電源電壓(輸入端)與負(fù)載電壓(輸出端)之間保持微小壓差而著稱。例如,如果鋰電池電壓從4.2 V(全充電)下降到2.7V(幾乎全放電),而LDO可在負(fù)載端保持2.5 V恒定電壓。

            便攜式應(yīng)用的日益增加使得設(shè)計工程師考慮使用LDO保持所需的系統(tǒng)電壓,而與電池充電狀態(tài)無關(guān)。便攜式系統(tǒng)不是受益于LDO的唯一應(yīng)用,任何需要穩(wěn)定恒定電壓,同時使上流電源電壓最?。ɑ蛘吣芴幚砩狭麟娫创蠓炔▌樱┑脑O(shè)備都可以考慮使用LDO。典型實例包括使用數(shù)字和射頻(RF)負(fù)載的電路。

            “線性”串聯(lián)穩(wěn)壓器(見圖1)通常包括一個基準(zhǔn)電壓源、一個比例輸出電壓與基準(zhǔn)電壓比較環(huán)節(jié)、一個反饋放大器和一個串聯(lián)調(diào)整管組成(雙極型晶體管或FET管)組成,用放大器控制穩(wěn)壓器的壓降維持要求的輸出電壓值。例如,如果負(fù)載電流下降,會引起輸出電壓顯著上升,誤差電壓增大,放大器的輸出上升,調(diào)整管兩端的電壓會增加,因此輸出電壓回到其原始值。


          圖1. 基本的增強型PMOS LDO

            在圖1中,誤差放大器和PMOS晶體管構(gòu)成壓控電流源。輸出電壓VOUT按分壓比(R1,R2)成比例下降,并且將其與基準(zhǔn)電壓(VREF)比較。誤差放大器的輸出控制增強型PMOS晶體管。

            穩(wěn)壓器的“壓差”是指輸出電壓與輸入電壓之間的壓差,如果此輸入電壓繼續(xù)減小那么該電路便不能穩(wěn)壓。通常認(rèn)為當(dāng)輸出電壓下降到低于標(biāo)稱值100 mV時是達到的目標(biāo)。表征這LDO穩(wěn)壓器的關(guān)鍵指標(biāo)取決于負(fù)載電流和調(diào)整管的PN結(jié)溫度。

            問:如何根據(jù)壓差對穩(wěn)壓器分類?

            答:我們建議分為三類:標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器、準(zhǔn)LDO和LDO。

            標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器,通常使用NPN調(diào)整管,通常輸出管的壓降大約為2 V。

            準(zhǔn)LDO穩(wěn)壓器,通常使用達林頓復(fù)合管結(jié)構(gòu)(見圖2)以便實現(xiàn)由一只NPN晶體管和一只PNP 晶體管組成的調(diào)整管。這種復(fù)合管的壓降,VSAT (PNP) + VBE (NPN)通常大約為1 V——比LDO高但比標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器低。


          圖2. 準(zhǔn)LDO電路

            LDO穩(wěn)壓器通常根據(jù)壓差要求作最佳選擇,通常壓差在100 mV~200 mV范圍。然而,LDO的缺點是其接地引腳的電流通常比準(zhǔn)LDO或標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器大。

            標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器比其它類型穩(wěn)壓器具有較大的壓差,較大的功耗和較低的效率。大多數(shù)情況下可使用LDO穩(wěn)壓器代替標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器,但是應(yīng)該考慮到LDO穩(wěn)壓器的最大輸入電壓指標(biāo)比標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器低。此外,有些LDO需要精心挑選外部電容器以保持穩(wěn)定性。這三種類型穩(wěn)壓器在帶寬和動態(tài)穩(wěn)定性考慮因素方面也有些不同。

            問:如何為我的應(yīng)用選擇最佳穩(wěn)壓器?

            答:為特定的應(yīng)用選擇合適的穩(wěn)壓器,需要考慮輸入電壓的類型和范圍(例如穩(wěn)壓器前面的DC/DC變換器或開關(guān)電源的輸出電壓)。其它重要考慮因素是:需要的輸出電壓、最大負(fù)載電流、最小壓差、靜態(tài)電流和功耗。通常,穩(wěn)壓器的附加功能可能很有用,例如待機引腳或指示穩(wěn)壓失效的錯誤標(biāo)志。

            為了選擇合適類型的LDO,需要考慮輸入電壓源。在電池供電應(yīng)用中,當(dāng)電池放電時,LDO必須維持所需的系統(tǒng)電壓。如果DC輸入電壓是由經(jīng)過整流的AC電源提供,那么壓差并不重要,因此標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器可能是更好的選擇,因為其更價格較低并且可以提供較大的負(fù)載電流。但是如果需要較低功耗或較精密的輸出電壓,則LDO是合適的選擇。

            當(dāng)然,穩(wěn)壓器應(yīng)該在最壞工作環(huán)境達到規(guī)定精度的條件下能夠為負(fù)載提供足夠大的電流。

            LDO結(jié)構(gòu)

            在圖1中,調(diào)整管是PMOS晶體管。然而,穩(wěn)壓器可能使用各種類型的調(diào)整管,因此可以根據(jù)所使用的調(diào)整管類型對LDO分類。不同結(jié)構(gòu)和特性的LDO具有不同的優(yōu)點和缺點。

            四種類型調(diào)整管示例如圖3所示,包括NPN雙極型晶體管、PNP雙極型晶體管、復(fù)合晶體管和PMOS晶體管。


          圖3. 調(diào)整管示例

            對于給定的電源電壓,雙極型調(diào)整管可提供最大的輸出電流。PNP優(yōu)于NPN,因為PNP的基極可以與地連接,必要時使晶體管完全飽和。NPN的基極只能與盡可能高的電源電壓連接,從而使最小壓降限制到一個VBE結(jié)壓降。因此,NPN管和復(fù)合調(diào)整管不能提供小于1 V的壓差。然而它們在需要寬帶寬和抗容性負(fù)載干擾時非常有用(因為它們具有低輸出阻抗ZOUT特性)。

            PMOS和PNP晶體管可以快速達到飽和,從而能使調(diào)整管電壓損耗和功耗最小,從而允許用作低壓差、低功耗穩(wěn)壓器。PMOS調(diào)整管可以提供盡可能最低的電壓降,大約等于RDS(ON)×IL。它允許達到最低的靜態(tài)電流。PMOS調(diào)整管的主要缺點是MOS晶體管通常用作外部器件 —— 特別當(dāng)控制大電流時 —— 從而使IC構(gòu)成一個控制器,而不能構(gòu)成一個自身完整的穩(wěn)壓器。

            一個完整穩(wěn)壓器的總功耗是

          PD = (VIN -VOUT ) IL + VIN IGND 

            上面關(guān)系式的第一部分是調(diào)整管的功耗;第二部分是電路控制器部分的功耗。有些穩(wěn)壓器的接地電流,特別是那些用飽和雙極型晶體管作調(diào)整管的穩(wěn)壓器,會在上電期間達到峰值。

            問:如何確保LDO的動態(tài)穩(wěn)定性?

            答:適合普通應(yīng)用的傳統(tǒng)LDO穩(wěn)壓器設(shè)計存在穩(wěn)定性問題。這個問題是由于反饋電路的性能、多種可能的負(fù)載、環(huán)路中元件的變化和難于獲得具有一致性參數(shù)的精密補償。下面將討論這些考慮因素,然后介紹可提高穩(wěn)定性的anyCAP?電路的結(jié)構(gòu)。

            LDO通常使用一個反饋環(huán)路在輸出端提供一個與負(fù)載無關(guān)的恒定電壓。因為對于任何高增益反饋環(huán)路來說,環(huán)路增益?zhèn)鬟f函數(shù)中極點和零點的位置都決定其穩(wěn)定性。

            基于NPN管的穩(wěn)壓器具有低阻抗射極負(fù)載輸出,傾向于對輸出容性負(fù)載很不敏感。然而,基于PNP管和PMOS管的穩(wěn)壓器具有較大的輸出阻抗(在基于PNP管的穩(wěn)壓器中具有高阻抗集電極負(fù)載)。此外,環(huán)路增益和相位特性強烈依賴負(fù)載阻抗,因此對于穩(wěn)定性問題需要特別考慮。

            基于PNP管的LDO和基于PMOS管的LDO的傳遞函數(shù)具有幾個影響穩(wěn)定性的極點:

            主極點(圖4中的P0)由誤差放大器決定;它是由放大器的gm通過內(nèi)部補償電容CCOMP一起控制和確定的。主極點對上述所有LDO結(jié)構(gòu)都是共同的。

            第二極點(P1)由輸出電抗(指輸出電容和負(fù)載電容以及負(fù)載阻抗)決定。這使得應(yīng)用問題更難處理,因為這些電抗會影響環(huán)路的增益和帶寬。

            第三極點(P2)由調(diào)整管附近的寄生電容決定。在相同條件下,PNP功率晶體管的單位增益頻率(fT)比NPN晶體管的fT低很多。


          圖4. LDO的幅頻響應(yīng)

            如圖4所示,每個極點產(chǎn)生每10倍頻程20 dB的增益下降并且伴隨90°的相移。因為這里所討論的LDO有多個極點,所以如果單位增益頻率處的相移達到-180°,線性穩(wěn)壓器會變得不穩(wěn)定。圖4還示出了容性負(fù)載對穩(wěn)壓器的影響,其等效串聯(lián)電阻(ESR)會在傳遞函數(shù)中增加一個零點(ZESR)。該零點有助于補償其中一個極點,并且如果該極點出現(xiàn)在單位增益頻率以下時有助于穩(wěn)定環(huán)路并且保持相應(yīng)頻點的相移低于-180°。

            ESR對于維持穩(wěn)定性可能是至關(guān)重要的,特別對于使用縱向PNP調(diào)整管的LDO。然而,由于電容器的寄生特性,所以ESR不總是好控制。電


          上一頁 1 2 下一頁

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉