功率開關(guān)器件產(chǎn)生的du/dt是開關(guān)電源中的主要干擾源之一，IGBT與功率MOSFET在開通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的|du /dt|的大小是不同的，這是在分析和處理電力電子裝置和系統(tǒng)的干擾時(shí)必須注意的一個(gè)問題。如圖是一臺(tái)IGBT電壓型橋式逆變器電路的測(cè)試結(jié)果，圖（a）表明隨著負(fù)載電流的加大，關(guān)斷產(chǎn)生的|du/dt|值變大，而圖（b）表明負(fù)載電流的變化對(duì)開通的|du/dt|影響不大。實(shí)驗(yàn)和分析都表明，由于開通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的|du/dt|不同，從而對(duì)外部產(chǎn)生的干擾脈沖也是不同的。

　　圖 IGBT開關(guān)動(dòng)作時(shí)的電壓跳變和負(fù)載電流的關(guān)系