改進的開關性能快速IGBT帶來新的挑戰(zhàn)
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
加上吸收電容，直流母線就像一個諧振頻率為fRes,ZK的諧振電路。因此，可能會產(chǎn)生臨界狀態(tài)。例如，如果開關頻率是f0的偶次因數(shù)，就會出現(xiàn)臨界現(xiàn)象。在這種情況下，如果諧振電路的品質(zhì)因數(shù)足夠好，在下一個開關操作中注入到吸收電容中的能量是同相的。這可能會在短短的幾個時鐘脈沖之后導致臨界的過電壓。由于測試模塊相對較差的質(zhì)量，可以預計當開關頻率為30kHz或以上時該影響會顯現(xiàn)。
此外，各種直流母線電路和/或模塊之間的不正確連接也可能導致不希望的激勵，這種情況應該在每個案例中進行檢查。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/230972.htm
8 總結(jié)
關斷過程中uce-和iC的測量分析，說明了直流母線寄生電感和模塊電感之間的相互作用。這使得在給定的應用中非常容易分析出薄弱環(huán)節(jié)，并在模擬中發(fā)現(xiàn)最大的潛力。
可以看出，單純改變關斷速度只能降低模塊所產(chǎn)生的過電壓尖峰。直流母線電路中的過電壓主要是電流等級的函數(shù)，只能通過降低di/dt略微減小。
關斷過程的形式化描述，揭示了選擇合適的開關速度、吸收電容和模塊設計時的可能性和限制。措施均衡結(jié)合是優(yōu)化成本、提高可靠性的一個好方法——直接在電腦上進行，無需復雜的測試。
參考文獻
[1] Josef Lutz: Halbleiter-Leistungsbauelemente, Springer-Verlag 2006
[2] Weizmann Institute of Science: grace / xmgrace
[3] Steinbuch, Rupprecht: Nachrichtentechnik, Bd1: Schaltungstechnik, Springer-Verlag 1982
[4] Application Note AN7006: IGBT Peak Voltage Measurement and Snubber Capacitors Specification
評論