納米級電路板可獲得245THz超高運算速度
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編者按：當硅材料即將接近物理極限時，尋找更理想的材料或許是集成電路的出路。
新加坡國立大學(NUS)的研究者們設(shè)計并制造了一款電路板,而它可以達到高達245THz的速度.這一速度要比現(xiàn)代微處理器的速度要快了上萬倍.該研究成果將推動新電路的設(shè)計.
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/245911.htm
當光與某些金屬產(chǎn)生聯(lián)系時,它能產(chǎn)生眾多震動頻率極快的電子,即離子.我們可以利用這一現(xiàn)象來建造超快計算機等設(shè)備.然而該現(xiàn)象發(fā)生在極為微小的層面以至于我們無法使用儀器來研究,更別說利用這一現(xiàn)象了.
而NUS大學的研究人員卻發(fā)現(xiàn)了一種利用該現(xiàn)象的方法.該研究團隊構(gòu)造了一個分子級別的電路板,其中包含2個離子生成器(將光子轉(zhuǎn)為例子的裝置).兩個離子生產(chǎn)器間是一層分子,厚度僅為0.5納米.
通過使用電子顯微鏡觀測,科學家們發(fā)現(xiàn)這一層分子可以使離子來回運動,可以使該系統(tǒng)產(chǎn)生至高為24THz的頻率.而通過改變分子層材料,科學家們也可以控制系統(tǒng)的頻率.
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