三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)于6月19日剛剛落下帷幕的PCIM亞洲展上大放異彩，以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜六款全新產(chǎn)品，在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相，現(xiàn)場觀眾絡(luò)繹不絕。

　　今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用。

　　在新產(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流75A至2500A;繼承傳統(tǒng)的三種封裝，適應(yīng)不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計需求;采用預涂熱界面材料，降低模塊與散熱器的接觸熱阻。

　　在高端變頻器和伺服驅(qū)動器應(yīng)用方面，三菱電機這次推出的G系列IPM(智能功率模塊)，采用第7代CSTBTTM硅片，進一步降低損耗;采用更適合伺服驅(qū)動應(yīng)用的窄長形封裝;兼容控制管腳和現(xiàn)有L1系列相同。

　　對于鐵路牽引和直流輸電應(yīng)用，新推出了X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT，進一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的電流等級;應(yīng)用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術(shù)，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關(guān)損耗;采用針對電力傳輸應(yīng)用的6500V/1000A單管HVIGBT。

　　在電動汽車應(yīng)用上，最新的J1系列EV T-PM模塊，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊;應(yīng)用低損耗的第7代IGBT硅片技術(shù);與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%;適合體積緊湊的電動車。

　　另外，針對太陽能發(fā)電，三菱電機還展出三電平逆變器用IGBT模塊，它的特色是低損耗、低電感、高絕緣和易并聯(lián)，能完全滿足正在發(fā)展的太陽能發(fā)電市場的需要。

　　在碳化硅器件應(yīng)用方面，三菱電機今年將繼續(xù)展出四款產(chǎn)品，包括用于變頻空調(diào)的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驅(qū)動器的混合碳化硅IPM、用于新能源發(fā)電的全碳化硅MOSFET模塊、以及用于鐵路牽引的混合碳化硅HVIGBT。

　　與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開關(guān)頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運行的可靠性;還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。碳化硅功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。

　　為了方便客戶采用新型功率模塊開發(fā)變流器產(chǎn)品，三菱電機還將展示多種一體化應(yīng)用解決方案，包括基于新MPD的風電用MPDStacK;基于新MPD的500kW光伏逆變器功率組件;基于工業(yè)用小型DIPIPMTM的伺服驅(qū)動器解決方案;基于第6代DIPIPMTM 的通用變頻器解決方案;基于第6代DIPIPMTM的變頻空調(diào)壓縮機驅(qū)動解決方案; 基于MOS DIPIPMTM 的變頻冰箱壓縮機驅(qū)動解決方案;及J1系列EV T-PM測試套件。

　　作為全球首家掌握功率半導體硅片技術(shù)和封裝技術(shù)的公司，三菱電機將積極致力于基于新材料的開發(fā)和應(yīng)用，努力為電力電子業(yè)界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊。