2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績告捷，在次世代存儲器技術(shù)競爭中也占據(jù)優(yōu)勢，未來可望帶動版圖變化。

　　SK海力士的次世代存儲器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優(yōu)勢。

　　據(jù)韓國每日經(jīng)濟報導，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進行測試。

　　SK海力士的次世代DRAM存儲器HBM是將DRAM4層堆疊的產(chǎn)品。與現(xiàn)有的DRAM相比，資訊處理速度快4倍，且耗電量減少約40%。

　　SK海力士計劃2014年底或2015年第1季，于京畿道利川廠中量產(chǎn)該產(chǎn)品，2015年應(yīng)用在繪圖處理器(GPU)、2016年起優(yōu)先供應(yīng)給伺服器、超級電腦、網(wǎng)路、高性能電腦等產(chǎn)品使用。之后將擴大應(yīng)用范圍到電視游戲機(gameconsole)、數(shù)位消費性產(chǎn)品等。

　　SK海力士的成果來自于完全改變PC的中央處理器(CPU)設(shè)置模式。目前PC業(yè)者是各自取得CPU和存儲器的供貨，但未來可能會以一顆CPU上搭載多顆存儲器的系統(tǒng)級封裝(SiP)形態(tài)進行采購。裝置往小型、輕量化的方向發(fā)展，芯片也往整合為一的方向發(fā)展。

　　SK海力士2013年底采用直通矽穿孔(TSV)技術(shù)研發(fā)出HBM，目前向固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)申請標準化，全力推動商用化。

　　HBMDRAM是可以取代DDR的技術(shù)。智能型手機時代來臨后，電腦和電腦運算的DRAM性能和容量也隨之提升，耗電量也要求要縮減。但現(xiàn)有的DDR系列DRAM在降低耗電量同時提升資訊處理速度方面仍有技術(shù)上限，目前存儲器芯片性能最好的產(chǎn)品為GDDR5，每秒可處理6GB資訊。

　　SK海力士的HBM采TSV技術(shù)，將20納米級DRAM4層堆疊，克服技術(shù)瓶頸。所謂TSV是將2顆以上芯片垂直堆疊穿孔并形成電極，讓芯片間可傳輸訊號的尖端封裝技術(shù)。

　　在1.2V電壓下，處理速度為1Gbps，共有1,024個輸出、輸入口，每秒可處理128GB資訊量。即資訊處理速度快4倍以上，且耗電量較低。

　　韓國業(yè)界認為，存儲器市場版圖將自然而然出現(xiàn)變化。三星在次世代DRAM研發(fā)上也絕對不遜于SK海力士，但以封裝方式供貨的SK海力??士，在2016年后，可望撼動三星電子DRAM強者地位。

　　三星電子強化移動應(yīng)用處理器(AP)、晶圓代工等系統(tǒng)芯片事業(yè)，英特爾(Intel)、高通(Qualcomm)等大廠也都出手牽制三星等，對存儲器事業(yè)也將帶來影響。