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SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官
- 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
- 關鍵字： SK海力士 內(nèi)存 NAND
老對頭三星、SK海力士結盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內(nèi)存
- 12月2日消息，據(jù)韓國媒體報道， 在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內(nèi)存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術的標準化進程，以適應設備內(nèi)AI技術的發(fā)展。隨著設備內(nèi)AI技術的興起，PIM內(nèi)存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合，直接在存儲單元進行計算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
- 關鍵字： 三星 SK海力士 內(nèi)存 LPDDR6
SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存
- 2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應對市場需求?！惫驹诖舜萎a(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
- 關鍵字： SK海力士 321層 NAND閃存
SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣
- 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內(nèi)存領域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280G
- 關鍵字： SK海力士 內(nèi)存 HBM3E
SK海力士揭秘半導體全球生產(chǎn)基地及應用領域
- 設想一下，如果沒有了智能手機、電腦或互聯(lián)網(wǎng)，世界會變成怎樣？顯而易見，缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而，如果沒有半導體作為推動眾多科技發(fā)展的引擎，世界無疑便會陷入無法想象的境地。盡管半導體芯片在生活中很常見，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時至今日，半導體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心，芯片可謂是推動科技發(fā)展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進設備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導體產(chǎn)業(yè)和應用領域，本期半導體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地，并探索
- 關鍵字： SK海力士 半導體
SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術實力。 SK海力士強調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)， 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
- 關鍵字： SK海力士 12層 堆疊HBM3E
SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux
- 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲器運行的自研軟件異構存儲器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認可，并成功應用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標志著不僅是如HBM等超高性能硬件實力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認可，具有重大意義?！蔽磥?/li>
- 關鍵字： SK海力士 CXL Linux
SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”
- 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后，將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領域，同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領域，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應商領導者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時代的全面到
- 關鍵字： SK海力士 數(shù)據(jù)中心 固態(tài)硬盤 PEB110 E1.S
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
- 關鍵字： SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
自動駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E
- 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開始將HBM引入汽車半導體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導體正在從LPDDR 4轉向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預測表示，當自動駕駛L3、L4級普及時，對HBM的需求將迅速增加，更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關重要，HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報道，SK海力士已向上游設備企業(yè)訂購
- 關鍵字： HBM2E 自動駕駛 SK海力士
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
- 關鍵字： SK海力士 內(nèi)存 NAND
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