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          低壓驅動的RF MEMS開關模擬設計

          作者: 時間:2013-10-11 來源:網(wǎng)絡 收藏

          近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關注,特別是MEMS開關構建的移相器與天線,是實現(xiàn)上萬單元相控陣雷達的關鍵技術,在軍事上有重要意義。在 通信領域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機上得到應用。然而RF MEMS開關普遍存在高、長的問題,劣于FET場效應管開關和PIN二極管開關。相對于國外已取得的成果,國內的研究尚處于起步階段。下 文將針對MEMS開關的缺陷做一些改進。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/259691.htm

          1 RF MEMS開關的一般考慮

          當MEMS開關的梁或膜受靜電力吸引向下偏移到一定程度時達到閾值電壓,梁或膜迅速偏移至下極板,電壓大小取決于材料參數(shù)、開關尺寸及結構。梁或膜的材料需要比較好的與屈服強度,越大諧振頻率就越高,保證工作的高速穩(wěn)定及開關壽命;尺寸設計上要考慮靜電驅動力的尺寸效應;結構的固有振 動頻率則影響開關的最高工作速度。單從結構上看,降低的途徑為:降低極板間距;增加驅動面積;降低梁或膜的彈性系數(shù)。常見的結構有串、并聯(lián)懸臂梁 開關、扭轉臂開關和電容式開關,前三者為電阻接觸式,金屬與信號線外接觸時存在諸如插入損耗大等很多問題,而電容接觸式開關的絕緣介質也存在被擊穿的問 題。有研究表明,所加電壓越高開關的壽命越短,的降低勢必導致開關速度變慢,如何同時滿足驅動電壓和開關速度的要求是當前的困難所在。

          2 RF MEMS開關的模擬與優(yōu)化

          對于電容式開關,驅動電壓隨著橋膜長度的增加而下降,橋膜殘余應力越大驅動電壓也越大。通常把楊氏張量78 GPa、泊松比O.44的Au作為橋膜材料,為獲得好的隔離度要求開關有大的電容率,這里選介電常數(shù)為7.5的S3N4作為介質層,橋膜單元為 Solid98,加5 V電壓,電介質為空氣,下極板加O V電壓。然后用ANSYS建模、劃分網(wǎng)格、加載并求解靜電耦合與模態(tài)分析。5 V電壓下的開關形變約為O.2 μm左右,尚達不到低壓驅動要求。提取開關前五階模態(tài)如圖1所示。

            

          可見開關從低階到高階的共振頻率越來越大,分別為79.9 kHz,130.3 kHz,258.8 kHz,360.7 kHz,505.6 kHz,一階模態(tài)遠離其他模態(tài),即不容易被外界干擾,只有控制開關頻率低于一階模態(tài)的諧振頻率才能保證其穩(wěn)定工作。由于實際仍不理想,所以在膜上 挖孔以減小壓縮模的阻尼,從而增加開關速度。雖然關態(tài)的電容比下降了,但孔可以減輕梁的重量,得到更高的力學諧振頻率。最終的模型共挖了100個孔,并對 兩端做了彎曲處理以降低驅動電壓,仿真得到5 V電壓下形變?yōu)?μm以上、穩(wěn)定的在5μs以下的電容式開關,如圖2所示。

            

          考慮到電容式開關仍存在的介質擊穿問題,這里對其結構加以改進,將扭轉臂杠桿與打孔電容膜相結合,在減小驅動電壓和提高開關速度的同時,又不影響電容 比,一定程度上抑制了電擊穿。其工作原理是:push電極加電壓時杠桿上抬,介質膜與接觸膜間距離增大導致其耦合電容很小,信號通過傳輸線;pull電極 加電壓時杠桿下拉,耦合電容變大,微波信號被反射。材料選擇上仍以Au和S3N4為主,某些部分可用A1代替Au。結構與尺寸的設計上由超越方程與開關通 斷下的電容方程得到估計值,下極板為25×25(單位制采用μMKSV,長度單位為μm,下同),其上附有絕緣介質層,孔為3.4×3.4,杠桿為 100x30,結構層為20×20,極板厚度為1。用ANSYS仿真得到圖3所示結果。

            

          在ANSYS做靜電耦合與模態(tài)分析后利用ANSOFT HFSS對該開關進行3D電磁場仿真,進一步求得其插入損耗與隔離度,確定共面波導和接觸膜的結構,從而完善開關的射頻性能。建模時忽略開關的彎曲,定義 材料特性與空氣輻射邊界,利用wave port端口進行仿真,分別求解開態(tài)的插入損耗和關態(tài)的隔離度。介質層較薄時,開關在10 GHz附近具有良好的隔離度,且插入損耗在1 dB以下。

          3 RF MEMS開關的制備工藝

          合理選擇生長介質膜的工藝對開關性能有很大影響,本文的RF MEMS開關需要在基底表面生長一層氮化硅膜,一般選擇LP-CVD工藝,而介質膜則選擇工藝為宜,金屬膜的性能要求相對較低,用濺射方法即 可??紤]到基底要求漏電流與損耗盡可能小,選取高阻硅與二氧化硅做基底,后者保證了絕緣要求。金質信號線與下極板通過正膠剝離形成,電子束蒸發(fā)得到鋁質上 極板。但從可行性考慮,部分方案的工藝實現(xiàn)對于國內的加工工藝尚有難度,只能犧牲微系統(tǒng)的性能來達到加工條件。

          4 結語

          本文主要從結構上進行了創(chuàng)新,通過計算機輔助設計仿真分析得到了理論解,一定程度上滿足了設計初衷,但在工藝上還不成熟。更低的驅動電壓和更高的開關頻率仍是亟待解決的問題,另外如何保證實際產(chǎn)品的可靠性、實用性也是未來的研究重點。



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