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          探源蘋(píng)果內(nèi)存控制IC問(wèn)題的真與假

          作者: 時(shí)間:2014-11-10 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 收藏
          編者按: 按照蘋(píng)果封閉式NAND控制IC策略,蘋(píng)果NAND Flash控制IC可能由韓國(guó)SK Hynix海力士NAND芯片廠提供,或由蘋(píng)果自行設(shè)計(jì)。由于此次可能因NAND控制IC出錯(cuò)導(dǎo)致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰,蘋(píng)果可能會(huì)轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略,改為外購(gòu),為臺(tái)灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

            iPhone 6上市后,市場(chǎng)一直供不應(yīng)求,尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來(lái)自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息, 或許讓果粉「退而求其次」,改買(mǎi)64GB甚至更低容量機(jī)種,在「擠牙膏」的效應(yīng)下,恐造成全系列iPhone 6的新機(jī)供應(yīng)更加吃緊。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/265077.htm

            AppleInsider10月23日曾報(bào)導(dǎo),支援社群(Support Communities)論壇最近有多名用戶重復(fù)抱怨iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰、或不斷重開(kāi)機(jī)的問(wèn)題,目前還不清楚故障的原因?yàn)楹危腥艘呀?jīng)因此連換四支iPhone 6 Plus。

            根據(jù)韓國(guó)媒體的分析,這些問(wèn)題主要發(fā)生在128GB版iPhone 6 Plus,可能跟三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell,簡(jiǎn)稱(chēng)TLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)的有關(guān)。BusinessKorea 3日?qǐng)?bào)導(dǎo),TLC flash是一種固態(tài)的NAND Flash,每一個(gè)快閃媒介單元都能儲(chǔ)存3位元的資料,容量為單階儲(chǔ)存單元(Single-Level Cell,簡(jiǎn)稱(chēng)SLC)、多階儲(chǔ)存單元(Multi-Level Cell,簡(jiǎn)稱(chēng)MLC)的兩到三倍之多。另外,TLC flash的價(jià)格也較為便宜。不過(guò),TLC讀取/寫(xiě)入資料的速度卻不如SLC或MLC。

            坊間傳言,此次為了節(jié)省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機(jī)種運(yùn)用了TLC NAND Flash。在此之前,TLC NAND Flash都只用在部分iPad,而較為昂貴、但穩(wěn)定度高的MLC NAND Flash則應(yīng)用于大多數(shù)的iPhone。

            部分業(yè)界人士認(rèn)為,倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰的主因,那么也許會(huì)召回已經(jīng)出售的所有產(chǎn)品。 至截稿前,蘋(píng)果尚未回應(yīng)相關(guān)報(bào)導(dǎo),也尚未宣布任何iPhone召回計(jì)劃。

            那么NAND芯片到底是做什么用的呢?

            據(jù)集微網(wǎng)所知,這顆是擔(dān)任電子裝置與NAND快閃存儲(chǔ)器之間的溝通橋梁,負(fù)責(zé)中介、控制的角色,能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的順利存取。此外,它還能提升數(shù)據(jù)的存取速度、加強(qiáng)除錯(cuò)能力,延長(zhǎng)NAND芯片的壽命。NAND芯片控制IC并非昂貴的零組件,成本甚至僅iPhone新機(jī)價(jià)格的千分之一。但如若少了它,你想拍下美美的照片存起來(lái),或想下載影片至手機(jī)里,都將成為空談,它的重要性可想而知。

            根據(jù)iFixit拆解報(bào)告顯示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash,按照蘋(píng)果封閉式NAND控制IC策略,蘋(píng)果NAND Flash控制IC可能由韓國(guó)SK Hynix海力士NAND芯片廠提供,或由蘋(píng)果自行設(shè)計(jì)。由于此次可能因NAND控制IC出錯(cuò)導(dǎo)致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰,蘋(píng)果可能會(huì)轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略,改為外購(gòu),為臺(tái)灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

            目前為止,遇到問(wèn)題的用戶發(fā)現(xiàn)了幾個(gè)共通點(diǎn),即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機(jī)種、用戶安裝的應(yīng)用程式數(shù)量超過(guò)700款,且系統(tǒng)未與使用者互動(dòng)便即崩潰。部份網(wǎng)友認(rèn)為是硬件有瑕疵,因?yàn)樘O(píng)果最近發(fā)布的iOS 8.1系統(tǒng)更新并未解決這個(gè)問(wèn)題,其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

            這一問(wèn)題對(duì)于iPhone來(lái)說(shuō)屬于首次出現(xiàn),因?yàn)橹甶Phone使用的是MLC NAND 閃存,遇到這些問(wèn)題的用戶只能將手機(jī)拿到Apple Store并更換新機(jī)。

            最新來(lái)自蘋(píng)果內(nèi)部的消息人士聲稱(chēng),召回計(jì)劃完全是虛假的。蘋(píng)果官方支持論壇上關(guān)于崩潰的帖子只有159個(gè)回復(fù),其中很多來(lái)自同一個(gè)人。這些用戶通常安裝了500或1000個(gè)應(yīng)用,消息稱(chēng)蘋(píng)果已經(jīng)了解問(wèn)題,推測(cè)該問(wèn)題與閃存有關(guān)并不準(zhǔn)確。

            據(jù)iFixit拆解報(bào)告顯示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS,集微網(wǎng)小編查到的規(guī)格表中并未明確指明其是TLC還是MLC,只歸類(lèi)為E2NAND 3.0,而在TECHINSIGHTS所查,海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory,目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存儲(chǔ)器是MLC而不是TLC。

            

           

            

           

            無(wú)論此輪iPhone 6 Plus問(wèn)題是否與閃存控制IC有關(guān),iPhone的每一個(gè)動(dòng)態(tài)都將牽動(dòng)無(wú)數(shù)果粉的心。



          關(guān)鍵詞: 蘋(píng)果 內(nèi)存 控制IC

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