EVG集團，微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術和半導體市場上領先的晶圓鍵合和光刻設備供應商，今天宣布推出EVG®580 ComBond® - 一款高真空應用的晶圓鍵合系統(tǒng)，使得室溫下的導電和無氧化共價鍵合成為可能。這一全新的系統(tǒng)以模塊化平臺為基礎，可以支持大批量制造(HVM)的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應用的出現(xiàn)成為可能，包括：

　　· 多結太陽能電池

　　· 硅光子學

　　· 高真空MEMS封裝

　　· 電源器件

　　· 化合物半導體以及其他用于“后CMOS”應用的先進工程襯底，比如高電子遷移率晶體管、高性能/低功耗邏輯和射頻(RF)器件

　　多套 EVG580 ComBond 系統(tǒng)已經(jīng)成功付運到器件廠商和研發(fā)中心那里。EVG公司奧地利圣弗洛里安總部將提供客戶展示服務。如需下載產(chǎn)品數(shù)據(jù)表，請訪問網(wǎng)址： http://www.evgroup.com/118694/118810/142472/EVG580_ComBond_ShortBrochure.pdf

　　法國研究機構CEA-Leti硅技術部門副總裁Fabrice Geiger表示：“在最近的安裝和驗收測試階段，我們?nèi)碌腅VG580 ComBond系統(tǒng)在室溫下展示了卓越的共價鍵合能力。CEA-Leti實驗室正在尋求與EVG在公共實驗室內(nèi)的合作，在幾個關鍵領域內(nèi)部署EVG580 ComBond系統(tǒng)，推動研發(fā)活動的進展。”

　　EVG集團執(zhí)行技術總監(jiān)Paul Lindner 表示：“EVG580 ComBond系統(tǒng)掌握了室溫下無污染、無氧化鍵合所需要的關鍵表面預處理步驟。憑借這項突破性的技術，我們幾乎可以將任何材料鍵合在一起——開創(chuàng)出多種不同材料在晶圓形式下的組合。這不僅支持了我們客戶的研發(fā)力量，而且為大規(guī)模生產(chǎn)引入了全新的設備，使得各種快速發(fā)展的新興應用成為可能 – 從下一代電信技術硅光子學的發(fā)展到更為先進的電源器件(在兩次充電之間，可以使得電動車行駛更遠的距離)，等等。(這使得我們的客戶新器件從研發(fā)階段到大批量生產(chǎn)成為了可能，新器件指的是各種新興的、快速發(fā)展的應用——從下一代電信技術硅光子學的發(fā)展到更為先進的電源器件，更先進的電源器件可以使電動汽車在充電間隔間跑的更遠。)”

　　化合物半導體和鍵合的挑戰(zhàn)

　　將不同性能的材料鍵合在一起，用以生產(chǎn)電子器件，例如硅襯底同氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等III-V化合物半導體材料的融合，可以產(chǎn)生更高的載流子遷移率進而提高器件性能，并且開拓出全新的功能，比如支持光纖互連和路由器功能的晶硅透光發(fā)射技術。然而，通過傳統(tǒng)的外延生長工藝融合這些材料時，由于晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)之間的差異，將會導致晶體的位錯缺陷，反而會降低性能。

　　EVG集團推出室溫共價鍵合機

　　晶圓鍵合的優(yōu)勢

　　在優(yōu)化后的生長襯底上讓各個半導體材料單獨生長，之后再通過晶圓鍵合將他們?nèi)诤显谝黄?，可以減緩這些制造問題。值得一提的是，室溫共價鍵合，將是一種理想的選擇，因為這一工藝無需退火處理，退火過程產(chǎn)生的高溫將增加熱膨脹系數(shù)差異引發(fā)的額外應力。但是，室溫共價鍵合的一個關鍵局限因素在于這一工藝無法保持對接合界面層厚度和均勻性的嚴格限制，包括有效去除顆粒污染物和原生氧化層(為了鍵合材料之間的鍵合界面同時保有足夠的鍵合強度和導電性，這一點至關重要)。EVG580 ComBond系統(tǒng)則克服了限制因素。

　　EVG580 ComBond系統(tǒng)主要特色

　　· 專用的 ComBond激活模塊(CAM)無縫集成到這一平臺中，不同于濕法化學蝕刻工藝，它通過引導帶電粒子附著在襯底表面之上，提供先進的表面處理工藝，從而實現(xiàn)無污染、無氧化的鍵合界面

　　· 可在高真空工藝環(huán)境運行，從而防止加工后的晶片在進入融合階段之間出現(xiàn)再氧化。

　　· 最多可配置5個并行鍵合腔，同時滿足研發(fā)和HVM 應用需求

　　· 加工的晶圓尺寸可達8英寸(200毫米)