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          東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

          作者: 時間:2014-12-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管()“U-MOS IX-H”系列。相比傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列,新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻,實現(xiàn)業(yè)界頂級的[1]。此外,它還減少了Qoss[2]的增加,從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/266266.htm

            注:

            ·[1]截至2014年11月4日。調(diào)查。

            ·[2]Qoss:輸出電荷。

            主要特性

            ·業(yè)界頂級的:0.85mΩ(最大值)

            ·業(yè)界頂級的低RDS(ON)?Qoss:60mΩ?nC

            應(yīng)用

            適用于服務(wù)器和電信基站的高效開關(guān)電源

            主要規(guī)格

            

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