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          臺(tái)積電采購EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

          作者: 時(shí)間:2014-12-15 來源:中國電子報(bào) 收藏
          編者按:按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度,幾乎可以預(yù)見的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實(shí)際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn),在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。

            歐洲半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML透露,晶圓代工大廠(TSMC)計(jì)劃在2015年采購兩套超紫外光()掃描機(jī),或?qū)⑻降字?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/7納米">7納米的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/266782.htm

            根據(jù)ASML資深副總裁FritsvanHout的描述,采購的掃描機(jī)是針對(duì)10納米工藝應(yīng)用。他預(yù)期,可能最快在2018年以采購ASML的掃描機(jī)展開工藝芯片量產(chǎn)。

            在11月24日舉行的倫敦法說會(huì)上,ASML宣布接獲臺(tái)積電2臺(tái)NXE:3350BEUV系統(tǒng)訂單,預(yù)計(jì)于2015年出貨,用于量產(chǎn)。ASML表示,業(yè)界可能會(huì)開始傾向于支持EUV技術(shù)。

            臺(tái)積電在2012年8月便曾表示,同意投資ASML約85.4億元,以確保取得最新的量產(chǎn)技術(shù)知識(shí)。此次采用EUV設(shè)備,臺(tái)積電可能成為下一代半導(dǎo)體微影主流技術(shù)的第一波推動(dòng)者。

            臺(tái)積電共同執(zhí)行長劉德音說,他希望該套設(shè)備能在2015年年底準(zhǔn)備好試產(chǎn),并在2016年正式生產(chǎn)。

            ASML估計(jì)邏輯電路會(huì)最早使用EUV工藝,將在2016年的10納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),NAND閃存會(huì)在2019開始啟用EUV工藝,DRAM及MPU產(chǎn)品則會(huì)在2018年進(jìn)入EUV時(shí)代。如果一切順利,ASML預(yù)計(jì)2020年前會(huì)出貨50臺(tái)~60臺(tái)EUV設(shè)備,營收達(dá)到120億美元。



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