臺(tái)積電內(nèi)部全力醞釀在16納米制程搶回蘋(píng)果(Apple)處理器芯片訂單，決定將規(guī)劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測(cè)計(jì)劃全面延后一年上線，寄望2016年搭配16納米制程，全面拿回蘋(píng)果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設(shè)計(jì)客戶認(rèn)為，InFO成本仍過(guò)高，恐難與傳統(tǒng)芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術(shù)匹敵，力促臺(tái)積電再度端出Cost-down版本，避免市場(chǎng)叫好不叫座。不過(guò)，相關(guān)消息仍有待臺(tái)積電進(jìn)一步證實(shí)。

　　臺(tái)積電封測(cè)計(jì)劃原本布局3D IC技術(shù)，先嘗試推出2.5D封測(cè)技術(shù)CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)試水溫，然礙于成本過(guò)高，僅獲得賽靈思(Xilinx)采用，臺(tái)積電遂決定推出低價(jià)版本的InFO封測(cè)技術(shù)，希望提升客戶導(dǎo)入意愿，根據(jù)臺(tái)積電原本規(guī)劃，InFO技術(shù)將在2015年量產(chǎn)，業(yè)界預(yù)期會(huì)從20納米制程開(kāi)始導(dǎo)入。

　　不過(guò)，近期業(yè)界傳出臺(tái)積電為了能一出手即命中關(guān)鍵客戶蘋(píng)果，決定讓InFO技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)延后到2016年，緊密配合16納米FinFET制程放量時(shí)程，希望能一舉痛擊三星電子(Samsung Electronics)，拿回蘋(píng)果2016年新款處理器芯片大單，并讓InFO技術(shù)策略一戰(zhàn)成名。

　　盡管臺(tái)積電20納米制程順利拿下蘋(píng)果A8處理器芯片訂單，但蘋(píng)果A9處理器芯片訂單卻再度讓三星搶回一大塊，臺(tái)積電對(duì)于2016年透過(guò)16納米FinFET制程及InFO技術(shù)爭(zhēng)取A10處理器芯片訂單寄予厚望。

　　目前臺(tái)積電第一代InFO技術(shù)產(chǎn)品已通過(guò)認(rèn)證，鎖定16納米FinFET制程，全力鞏固大客戶訂單，后續(xù)InFO技術(shù)將以10納米制程為目標(biāo)，預(yù)計(jì)2017年之后量產(chǎn)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，10納米制程將是臺(tái)積電關(guān)鍵戰(zhàn)役，現(xiàn)階段積極布局封測(cè)技術(shù)，將成為臺(tái)積電更上一層樓重要推手。

　　臺(tái)積電當(dāng)初跨入封測(cè)市場(chǎng)，主要是考量封測(cè)技術(shù)已跟不上晶圓代工技術(shù)腳步，業(yè)界傳出臺(tái)積電早期爭(zhēng)取蘋(píng)果處理器芯片訂單時(shí)，就是敗在封測(cè)良率上。不過(guò)，部分IC設(shè)計(jì)客戶認(rèn)為，InFO封測(cè)技術(shù)成本仍過(guò)高，且現(xiàn)階段良率偏低，至少成本結(jié)構(gòu)必須能夠與FC CSP互別苗頭，才有機(jī)會(huì)提升InFO技術(shù)滲透率，業(yè)者紛希望臺(tái)積電能再端出Cost-down封測(cè)技術(shù)版本。

　　另外，面對(duì)臺(tái)積電大軍壓境封測(cè)領(lǐng)域，對(duì)于其他封測(cè)大廠形成相當(dāng)大競(jìng)爭(zhēng)壓力，矽品日前揭露Fan-out封裝技術(shù)進(jìn)度，2015年準(zhǔn)備量產(chǎn)低階解決方案，未來(lái)目標(biāo)鎖定高階技術(shù)的手機(jī)處理器芯片應(yīng)用，同樣將在2016年全面加入戰(zhàn)局。